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Artigo de periodico
Anisotropy of electron and hole g-factors in ('IN','GA')'AS' quantum dots (2011)
Schwan, A; Maia, A D B; Quivy, A A; Henriques, A B
Source: APPLIED PHYSICS LETTERS. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SCHWAN, A et al. Anisotropy of electron and hole g-factors in ('IN','GA')'AS' quantum dots. APPLIED PHYSICS LETTERS, v. no2011, n. 22, p. 221914, 2011Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000099000022221914000001&idtype=cvips&doi=10.1063/1.3665634&prog=normal. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Schwan, A., Maia, A. D. B., Quivy, A. A., & Henriques, A. B. (2011). Anisotropy of electron and hole g-factors in ('IN','GA')'AS' quantum dots. APPLIED PHYSICS LETTERS, no2011( 22), 221914. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000099000022221914000001&idtype=cvips&doi=10.1063/1.3665634&prog=normal
NLM
Schwan A, Maia ADB, Quivy AA, Henriques AB. Anisotropy of electron and hole g-factors in ('IN','GA')'AS' quantum dots [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2011 ; no2011( 22): 221914.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000099000022221914000001&idtype=cvips&doi=10.1063/1.3665634&prog=normal
Vancouver
Schwan A, Maia ADB, Quivy AA, Henriques AB. Anisotropy of electron and hole g-factors in ('IN','GA')'AS' quantum dots [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2011 ; no2011( 22): 221914.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000099000022221914000001&idtype=cvips&doi=10.1063/1.3665634&prog=normal
Trabalho de evento-resumo
Optical and morphological properties of large 'IN''AS'/'GA''AS' quantum dots (2011)
Rosa, Ramon Gabriel Teixeira; Duarte, Celso de Araujo; Quivy, Alain André; Maia, Alvaro Diego Bernardino
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
ROSA, Ramon Gabriel Teixeira et al. Optical and morphological properties of large 'IN''AS'/'GA''AS' quantum dots. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2731-1.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Rosa, R. G. T., Duarte, C. de A., Quivy, A. A., & Maia, A. D. B. (2011). Optical and morphological properties of large 'IN''AS'/'GA''AS' quantum dots. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2731-1.pdf
NLM
Rosa RGT, Duarte C de A, Quivy AA, Maia ADB. Optical and morphological properties of large 'IN''AS'/'GA''AS' quantum dots [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2731-1.pdf
Vancouver
Rosa RGT, Duarte C de A, Quivy AA, Maia ADB. Optical and morphological properties of large 'IN''AS'/'GA''AS' quantum dots [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2731-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Growth, processing and testing of infrared photodetectors based on quantum dots (2011)
Maia, Alvaro Diego Bernardino; Fernandes, Fernando Massa; Ferreira, Daniel Takaki; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, Alain André
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FOTODETECTORES
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ABNT
MAIA, Alvaro Diego Bernardino et al. Growth, processing and testing of infrared photodetectors based on quantum dots. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Maia, A. D. B., Fernandes, F. M., Ferreira, D. T., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2011). Growth, processing and testing of infrared photodetectors based on quantum dots. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf
NLM
Maia ADB, Fernandes FM, Ferreira DT, Silva ECF da, Quivy AA. Growth, processing and testing of infrared photodetectors based on quantum dots [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf
Vancouver
Maia ADB, Fernandes FM, Ferreira DT, Silva ECF da, Quivy AA. Growth, processing and testing of infrared photodetectors based on quantum dots [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf
Artigo de periodico
Dispersion of electron g-factor with optical transition energy in ('IN','GA')'AS'/ 'GA''AS' self-assembled quantum dots (2011)
Schwan, A; Meiners, B M; Spatzek, S; Varwig, S; Yakovlev, D R; Bayer, M; Henriques, A B ; Quivy, A A ; Maia, A D B
Source: APPLIED PHYSICS LETTERS. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SCHWAN, A et al. Dispersion of electron g-factor with optical transition energy in ('IN','GA')'AS'/ 'GA''AS' self-assembled quantum dots. APPLIED PHYSICS LETTERS, v. 98, n. ju2011, p. 233102, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3588413. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Schwan, A., Meiners, B. M., Spatzek, S., Varwig, S., Yakovlev, D. R., Bayer, M., et al. (2011). Dispersion of electron g-factor with optical transition energy in ('IN','GA')'AS'/ 'GA''AS' self-assembled quantum dots. APPLIED PHYSICS LETTERS, 98( ju2011), 233102. doi:10.1063/1.3588413
NLM
Schwan A, Meiners BM, Spatzek S, Varwig S, Yakovlev DR, Bayer M, Henriques AB, Quivy AA, Maia ADB. Dispersion of electron g-factor with optical transition energy in ('IN','GA')'AS'/ 'GA''AS' self-assembled quantum dots [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2011 ;98( ju2011): 233102.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3588413
Vancouver
Schwan A, Meiners BM, Spatzek S, Varwig S, Yakovlev DR, Bayer M, Henriques AB, Quivy AA, Maia ADB. Dispersion of electron g-factor with optical transition energy in ('IN','GA')'AS'/ 'GA''AS' self-assembled quantum dots [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2011 ;98( ju2011): 233102.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3588413
Trabalho de evento-resumo
Subband energy levels of 'IN' IND.0,75''GA' IND. 0,25''AS'/'IN' IND. 0,75''AL' IND. 0,25''AS' single square quantum well (2011)
Anghinoni, B; Mamani, N C; Gusev, G M; Quivy, A A
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: SPIN
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ABNT
ANGHINONI, B et al. Subband energy levels of 'IN' IND.0,75''GA' IND. 0,25''AS'/'IN' IND. 0,75''AL' IND. 0,25''AS' single square quantum well. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0099-1.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Anghinoni, B., Mamani, N. C., Gusev, G. M., & Quivy, A. A. (2011). Subband energy levels of 'IN' IND.0,75''GA' IND. 0,25''AS'/'IN' IND. 0,75''AL' IND. 0,25''AS' single square quantum well. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0099-1.pdf
NLM
Anghinoni B, Mamani NC, Gusev GM, Quivy AA. Subband energy levels of 'IN' IND.0,75''GA' IND. 0,25''AS'/'IN' IND. 0,75''AL' IND. 0,25''AS' single square quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0099-1.pdf
Vancouver
Anghinoni B, Mamani NC, Gusev GM, Quivy AA. Subband energy levels of 'IN' IND.0,75''GA' IND. 0,25''AS'/'IN' IND. 0,75''AL' IND. 0,25''AS' single square quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0099-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Calculation of the electron energy levels of InAs/GaAs quantum dots for application in infrared photodetectors (2011)
Maia, Alvaro Diego Bernardino; Fernandes, Fernando Massa; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, Alain André
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FOTODETECTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAIA, Alvaro Diego Bernardino et al. Calculation of the electron energy levels of InAs/GaAs quantum dots for application in infrared photodetectors. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-2.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Maia, A. D. B., Fernandes, F. M., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2011). Calculation of the electron energy levels of InAs/GaAs quantum dots for application in infrared photodetectors. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-2.pdf
NLM
Maia ADB, Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Calculation of the electron energy levels of InAs/GaAs quantum dots for application in infrared photodetectors [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-2.pdf
Vancouver
Maia ADB, Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Calculation of the electron energy levels of InAs/GaAs quantum dots for application in infrared photodetectors [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-2.pdf
Trabalho de evento-resumo
Interdot carrier transfer in self-assembled 'IN''AS'/'GA''AS' double-quantum-dots structures (2011)
Lourenço, Sidney Alves; Poças, Luiz Carlos; Sawata, Marcella Ferraz; Lopes, Joyce Marquini; Laureto, Edson; Duarte, José Leonil; Quivy, A A; Dias, Ivan Frederico Lupiano
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENÇO, Sidney Alves et al. Interdot carrier transfer in self-assembled 'IN''AS'/'GA''AS' double-quantum-dots structures. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2604-1.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Poças, L. C., Sawata, M. F., Lopes, J. M., Laureto, E., Duarte, J. L., et al. (2011). Interdot carrier transfer in self-assembled 'IN''AS'/'GA''AS' double-quantum-dots structures. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2604-1.pdf
NLM
Lourenço SA, Poças LC, Sawata MF, Lopes JM, Laureto E, Duarte JL, Quivy AA, Dias IFL. Interdot carrier transfer in self-assembled 'IN''AS'/'GA''AS' double-quantum-dots structures [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2604-1.pdf
Vancouver
Lourenço SA, Poças LC, Sawata MF, Lopes JM, Laureto E, Duarte JL, Quivy AA, Dias IFL. Interdot carrier transfer in self-assembled 'IN''AS'/'GA''AS' double-quantum-dots structures [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2604-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells (2011)
Lopes, E M; Quivy, A A; César, D F; Franchello, F; Duarte, J L; Dias, I F L; Laureto, E; Guimarães, P S S; Tanaka, R Y
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
LOPES, E M et al. Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1570-1.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Lopes, E. M., Quivy, A. A., César, D. F., Franchello, F., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., et al. (2011). Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1570-1.pdf
NLM
Lopes EM, Quivy AA, César DF, Franchello F, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Guimarães PSS, Tanaka RY. Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1570-1.pdf
Vancouver
Lopes EM, Quivy AA, César DF, Franchello F, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Guimarães PSS, Tanaka RY. Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1570-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots grown on GaAs (100) (2011)
Lourenço, Sidney Alves; Poças, Luiz Carlos; Lopes, Joyce Marquini; Laureto, Edson; Duarte, José Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Quivy, A A
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENÇO, Sidney Alves et al. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots grown on GaAs (100). 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0113-1.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Poças, L. C., Lopes, J. M., Laureto, E., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., & Quivy, A. A. (2011). Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots grown on GaAs (100). In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0113-1.pdf
NLM
Lourenço SA, Poças LC, Lopes JM, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots grown on GaAs (100) [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0113-1.pdf
Vancouver
Lourenço SA, Poças LC, Lopes JM, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots grown on GaAs (100) [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0113-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
High-efficiency infrared photodetectors based on quantum wells grown by molecular-beam epitaxy (2011)
Fernandes, F M; Maia, A D B; Ferreira, D T; Silva, E C F da; Quivy, A A
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FOTODETECTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDES, F M et al. High-efficiency infrared photodetectors based on quantum wells grown by molecular-beam epitaxy. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0026-1.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Fernandes, F. M., Maia, A. D. B., Ferreira, D. T., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2011). High-efficiency infrared photodetectors based on quantum wells grown by molecular-beam epitaxy. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0026-1.pdf
NLM
Fernandes FM, Maia ADB, Ferreira DT, Silva ECF da, Quivy AA. High-efficiency infrared photodetectors based on quantum wells grown by molecular-beam epitaxy [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0026-1.pdf
Vancouver
Fernandes FM, Maia ADB, Ferreira DT, Silva ECF da, Quivy AA. High-efficiency infrared photodetectors based on quantum wells grown by molecular-beam epitaxy [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0026-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Universal spintronic properties of (In,Ga)As/GaAs self-assembled quantum dots (2011)
Henriques, A B; Maia, A D B; Schwan, A; Quivy, A A; Yakovlev, D R; Bayer, M
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HENRIQUES, A B et al. Universal spintronic properties of (In,Ga)As/GaAs self-assembled quantum dots. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0142-1.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Henriques, A. B., Maia, A. D. B., Schwan, A., Quivy, A. A., Yakovlev, D. R., & Bayer, M. (2011). Universal spintronic properties of (In,Ga)As/GaAs self-assembled quantum dots. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0142-1.pdf
NLM
Henriques AB, Maia ADB, Schwan A, Quivy AA, Yakovlev DR, Bayer M. Universal spintronic properties of (In,Ga)As/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0142-1.pdf
Vancouver
Henriques AB, Maia ADB, Schwan A, Quivy AA, Yakovlev DR, Bayer M. Universal spintronic properties of (In,Ga)As/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0142-1.pdf
Artigo de periodico
Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder (2010)
Lopes, E M; Duarte, J L; Poças, L C; Dias, I. F. L; Laureto, E; Quivy, Alain Andre; Lamas, Tomas Eriksson
Source: JournalofLuminescence. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, E M et al. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder. JournalofLuminescence, v. 130, n. 3, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Lopes, E. M., Duarte, J. L., Poças, L. C., Dias, I. F. L., Laureto, E., Quivy, A. A., & Lamas, T. E. (2010). Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder. JournalofLuminescence, 130( 3). doi:10.1016/j.jlumin.2009.10.013
NLM
Lopes EM, Duarte JL, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Quivy AA, Lamas TE. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder [Internet]. JournalofLuminescence. 2010 ;130( 3):[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013
Vancouver
Lopes EM, Duarte JL, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Quivy AA, Lamas TE. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder [Internet]. JournalofLuminescence. 2010 ;130( 3):[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013
Artigo de periodico
Study of the influence of indium segregation on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells via split-operator method (2010)
Martini, S; Manzoli, J E; Quivy, Alain Andre
Source: Journal of Vacuum Science & Technology B. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S e MANZOLI, J E e QUIVY, Alain Andre. Study of the influence of indium segregation on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells via split-operator method. Journal of Vacuum Science & Technology B, v. 28, n. 2, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1116/1.3301612. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Martini, S., Manzoli, J. E., & Quivy, A. A. (2010). Study of the influence of indium segregation on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells via split-operator method. Journal of Vacuum Science & Technology B, 28( 2). doi:10.1116/1.3301612
NLM
Martini S, Manzoli JE, Quivy AA. Study of the influence of indium segregation on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells via split-operator method [Internet]. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2010 ; 28( 2):[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1116/1.3301612
Vancouver
Martini S, Manzoli JE, Quivy AA. Study of the influence of indium segregation on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells via split-operator method [Internet]. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2010 ; 28( 2):[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1116/1.3301612
Trabalho de evento-resumo
Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100) (2010)
Lourenço, Sidney Alves; Poças, Luiz Carlos; Lopes, Joyce Marquini; Laureto, Edson; Duarte, José Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Quivy, A. A.
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LOURENÇO, Sidney Alves et al. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100). 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0686-1.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Poças, L. C., Lopes, J. M., Laureto, E., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., & Quivy, A. A. (2010). Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100). In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0686-1.pdf
NLM
Lourenço SA, Poças LC, Lopes JM, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100) [Internet]. 2010 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0686-1.pdf
Vancouver
Lourenço SA, Poças LC, Lopes JM, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100) [Internet]. 2010 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0686-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence Study of Self-Assembled Quantum Dots of 'IN''AS' (2010)
Franchello, Flávio; Duarte, José Leonil; Laureto, Edson; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Souza, Leonardo Dias de; Quivy, A. A.
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FRANCHELLO, Flávio et al. Photoluminescence Study of Self-Assembled Quantum Dots of 'IN''AS'. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0142-1.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Franchello, F., Duarte, J. L., Laureto, E., Dias, I. F. L., Souza, L. D. de, & Quivy, A. A. (2010). Photoluminescence Study of Self-Assembled Quantum Dots of 'IN''AS'. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0142-1.pdf
NLM
Franchello F, Duarte JL, Laureto E, Dias IFL, Souza LD de, Quivy AA. Photoluminescence Study of Self-Assembled Quantum Dots of 'IN''AS' [Internet]. 2010 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0142-1.pdf
Vancouver
Franchello F, Duarte JL, Laureto E, Dias IFL, Souza LD de, Quivy AA. Photoluminescence Study of Self-Assembled Quantum Dots of 'IN''AS' [Internet]. 2010 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0142-1.pdf
Artigo de periodico
Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs (2010)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Lourenço, S A; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, v. 40, n. 1, p. 15-21, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Lourenço, S. A., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2010). Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, 40( 1), 15-21. doi:10.1590/s0103-97332010000100003
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
Trabalho de evento-resumo
Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs (2009)
Duarte, José Leonil; Toni Junior, Orlando De; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Laureto, Edson; Toguinho Filho, Dari Oliveira; Quivy, A. A.
Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
DUARTE, José Leonil et al. Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0608-1.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Duarte, J. L., Toni Junior, O. D., Dias, I. F. L., Laureto, E., Toguinho Filho, D. O., & Quivy, A. A. (2009). Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0608-1.pdf
NLM
Duarte JL, Toni Junior OD, Dias IFL, Laureto E, Toguinho Filho DO, Quivy AA. Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0608-1.pdf
Vancouver
Duarte JL, Toni Junior OD, Dias IFL, Laureto E, Toguinho Filho DO, Quivy AA. Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0608-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction (2009)
Freitas, Raul de Oliveira; Diaz, Beatriz; Abramof, Eduardo; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Source: Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Conference titles: Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging. Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira et al. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART. Acesso em: 18 abr. 2024. , 2009
APA
Freitas, R. de O., Diaz, B., Abramof, E., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2009). Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
NLM
Freitas R de O, Diaz B, Abramof E, Quivy AA, Morelhão SL. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2009 ; 206( 8):[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
Vancouver
Freitas R de O, Diaz B, Abramof E, Quivy AA, Morelhão SL. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2009 ; 206( 8):[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
Trabalho de evento-resumo
Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells (2009)
Lopes, Èlder Mantovani; Duarte, Jose Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Laureto, Edson; Poças, Luiz Carlos; Lourenço, Sidney Alves; Quivy, A. A.
Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, Èlder Mantovani et al. Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0581-1.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Lopes, È. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Laureto, E., Poças, L. C., Lourenço, S. A., & Quivy, A. A. (2009). Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0581-1.pdf
NLM
Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Poças LC, Lourenço SA, Quivy AA. Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0581-1.pdf
Vancouver
Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Poças LC, Lourenço SA, Quivy AA. Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0581-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates (2009)
Franchello, Flávio; Duarte, Jose Leonil; Laureto, Edson; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Souza, Leonardo Dias de; Quivy, A. A.
Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FRANCHELLO, Flávio et al. Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. . Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Franchello, F., Duarte, J. L., Laureto, E., Dias, I. F. L., Souza, L. D. de, & Quivy, A. A. (2009). Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. In Poster Session. São Paulo: SBF.
NLM
Franchello F, Duarte JL, Laureto E, Dias IFL, Souza LD de, Quivy AA. Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 abr. 18 ]
Vancouver
Franchello F, Duarte JL, Laureto E, Dias IFL, Souza LD de, Quivy AA. Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 abr. 18 ]

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