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Trabalho de evento-resumo
Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers (1996)
Levine, A; Silva, E C F; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Quivy, A. A.; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LEVINE, A et al. Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F., Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Quivy, A. A., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1996). Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Levine A, Silva ECF, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Levine A, Silva ECF, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Artigo de periodico
Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC' (1996)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TELES, L. K. et al. Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics, v. 80, n. 11, p. 6322, 1996Tradução . . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., Schikora, D., & Lischka, K. (1996). Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics, 80( 11), 6322.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics. 1996 ;80( 11): 6322.[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics. 1996 ;80( 11): 6322.[citado 2024 abr. 24 ]
Artigo de periodico
Band structure of holes in 'P-TYPE''GAMA-DOPING' quantum wells and superlattices (1996)
Sipahi, Guilherme Matos; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Band structure of holes in 'P-TYPE''GAMA-DOPING' quantum wells and superlattices. Physical Review B, v. 53, p. 9930, 1996Tradução . . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Band structure of holes in 'P-TYPE''GAMA-DOPING' quantum wells and superlattices. Physical Review B, 53, 9930.
NLM
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Band structure of holes in 'P-TYPE''GAMA-DOPING' quantum wells and superlattices. Physical Review B. 1996 ;53 9930.[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Band structure of holes in 'P-TYPE''GAMA-DOPING' quantum wells and superlattices. Physical Review B. 1996 ;53 9930.[citado 2024 abr. 24 ]
Artigo de periodico
Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields (1996)
Lino, A T; Takahashi, E K; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: International Journal Quantum Chemistry. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LINO, A T et al. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry, v. s30, p. 347, 1996Tradução . . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Lino, A. T., Takahashi, E. K., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry, s30, 347.
NLM
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Leite JR. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry. 1996 ;s30 347.[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Leite JR. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry. 1996 ;s30 347.[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Luminescence from n- and p-type'DELTA'-doping wells in 'GA''AS': a comparative theoretical study (1996)
Sipahi, Guilherme Matos; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Luminescence from n- and p-type'DELTA'-doping wells in 'GA''AS': a comparative theoretical study. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Luminescence from n- and p-type'DELTA'-doping wells in 'GA''AS': a comparative theoretical study. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Luminescence from n- and p-type'DELTA'-doping wells in 'GA''AS': a comparative theoretical study. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Luminescence from n- and p-type'DELTA'-doping wells in 'GA''AS': a comparative theoretical study. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies (1996)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Pusep, Yuri A.; Silva, S W; Silva, M T O; Galzerani, J C
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Quivy, A. A., Lima, A. P., Leite, J. R., et al. (1996). Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Artigo de periodico
Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices (1996)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Silva, S W; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices. Physical Review B, v. 54, n. 19, p. 13927-31, 1996Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Silva, S. W., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1996). Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices. Physical Review B, 54( 19), 13927-31. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices [Internet]. Physical Review B. 1996 ;54( 19): 13927-31.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices [Internet]. Physical Review B. 1996 ;54( 19): 13927-31.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf
Trabalho de evento-resumo
Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' (1995)
Takahashi, E K; Lino, A T; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1995). Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance investigations of semiconductor device structures (1995)
Soares, J A N T; Beliaev, D; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Saito, M; Leite, J. R.
Source: Materials Science & Engineering B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOARES, J A N T et al. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures. Materials Science & Engineering B, v. 35, p. 267-72, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0921-5107(95)01340-7. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Soares, J. A. N. T., Beliaev, D., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Saito, M., & Leite, J. R. (1995). Photoreflectance investigations of semiconductor device structures. Materials Science & Engineering B, 35, 267-72. doi:10.1016/0921-5107(95)01340-7
NLM
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Saito M, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0921-5107(95)01340-7
Vancouver
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Saito M, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0921-5107(95)01340-7
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres (1995)
Soares, J A N T; Beliaev, D; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engeneering B. Conference titles: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOARES, J A N T et al. Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 24 abr. 2024. , 1995
APA
Soares, J. A. N. T., Beliaev, D., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1995). Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Condutividade eletrica de super-redes com dopagem tipo delta paralela a direcao de crescimento (1995)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Condutividade eletrica de super-redes com dopagem tipo delta paralela a direcao de crescimento. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1995). Condutividade eletrica de super-redes com dopagem tipo delta paralela a direcao de crescimento. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Condutividade eletrica de super-redes com dopagem tipo delta paralela a direcao de crescimento. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Condutividade eletrica de super-redes com dopagem tipo delta paralela a direcao de crescimento. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Artigo de periodico
Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS' (1995)
Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Dias, I. F. L.
Source: Materials Science & Engineering B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ENDERLEIN, R et al. Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science & Engineering B, v. 35, p. 396-400, 1995Tradução . . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Dias, I. F. L. (1995). Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science & Engineering B, 35, 396-400.
NLM
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL. Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 396-400.[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL. Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 396-400.[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells (1995)
Tabata, A; Ceschin, A M; Scolfaro, L M R; Quivy, A. A.; Silva, E C F; Enderlein, R; Leite, J. R.; Oliveira, J. B. B.; Laureto, E; Meneses, E A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A et al. Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. 1995, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Tabata, A., Ceschin, A. M., Scolfaro, L. M. R., Quivy, A. A., Silva, E. C. F., Enderlein, R., et al. (1995). Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Quivy AA, Silva ECF, Enderlein R, Leite JR, Oliveira JBB, Laureto E, Meneses EA. Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Quivy AA, Silva ECF, Enderlein R, Leite JR, Oliveira JBB, Laureto E, Meneses EA. Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Artigo de periodico
Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon (1995)
Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon. Solid State Communications, v. 93, p. 469-9, 1995Tradução . . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1995). Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon. Solid State Communications, 93, 469-9.
NLM
Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon. Solid State Communications. 1995 ;93 469-9.[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon. Solid State Communications. 1995 ;93 469-9.[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo do transporte eletrico em super-redes semicondutoras (1995)
Ramos, L. E.; Scolfaro, L M R
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAMOS, L. E. e SCOLFARO, L M R. Estudo do transporte eletrico em super-redes semicondutoras. 1995, Anais.. São Paulo: Usp, 1995. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Ramos, L. E., & Scolfaro, L. M. R. (1995). Estudo do transporte eletrico em super-redes semicondutoras. In Resumos. São Paulo: Usp.
NLM
Ramos LE, Scolfaro LMR. Estudo do transporte eletrico em super-redes semicondutoras. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Ramos LE, Scolfaro LMR. Estudo do transporte eletrico em super-redes semicondutoras. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Artigo de periodico
Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures (1995)
Enderlein, R; Beliaev, D; Soares, J A N T; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ENDERLEIN, R et al. Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures. Physical Review B, v. 52, p. 2814-22, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.2814. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Enderlein, R., Beliaev, D., Soares, J. A. N. T., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1995). Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures. Physical Review B, 52, 2814-22. doi:10.1103/physrevb.52.2814
NLM
Enderlein R, Beliaev D, Soares JANT, Scolfaro LMR, Leite JR. Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures [Internet]. Physical Review B. 1995 ;52 2814-22.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.2814
Vancouver
Enderlein R, Beliaev D, Soares JANT, Scolfaro LMR, Leite JR. Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures [Internet]. Physical Review B. 1995 ;52 2814-22.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.2814
Trabalho de evento-resumo
Band structure of p-gama- doping structures in 'GA''AS' (1995)
Sipahi, Guilherme Matos; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Band structure of p-gama- doping structures in 'GA''AS'. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1995). Band structure of p-gama- doping structures in 'GA''AS'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Band structure of p-gama- doping structures in 'GA''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Band structure of p-gama- doping structures in 'GA''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction (1995)
Leite, J. R.; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Beliaev, D; Quivy, A. A.
Source: Materials Science and Engeneering B. Conference titles: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. et al. Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 24 abr. 2024. , 1995
APA
Leite, J. R., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Beliaev, D., & Quivy, A. A. (1995). Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study (1995)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TELES, L. K. et al. Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., & Schikora, D. (1995). Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D. Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D. Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Artigo de periodico
Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction (1995)
Leite, J. R.; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Beliaev, D; Quivy, A. A.
Source: Materials Science & Engineering B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LEITE, J. R. et al. Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science & Engineering B, v. 35, p. 250-5, 1995Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/47d23d06-b5cf-4cd4-9f85-4cadde9485b1/1-s2.0-0921510795013261-main.pdf. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Leite, J. R., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Beliaev, D., & Quivy, A. A. (1995). Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science & Engineering B, 35, 250-5. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/47d23d06-b5cf-4cd4-9f85-4cadde9485b1/1-s2.0-0921510795013261-main.pdf
NLM
Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/47d23d06-b5cf-4cd4-9f85-4cadde9485b1/1-s2.0-0921510795013261-main.pdf
Vancouver
Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/47d23d06-b5cf-4cd4-9f85-4cadde9485b1/1-s2.0-0921510795013261-main.pdf

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