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Artigo de periodico
High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction (2024)
Alzeidan, Ahmad ; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Sautter, K E; Vallejo, K D; Simmonds, P J; Quivy, Alain André
Fonte: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Assunto: FOTODETECTORES
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ABNT
ALZEIDAN, Ahmad et al. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Sensors and Actuators A: Physical, v. 374, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2024.115464. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F. de, Sautter, K. E., Vallejo, K. D., Simmonds, P. J., & Quivy, A. A. (2024). High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Sensors and Actuators A: Physical, 374. doi:10.1016/j.sna.2024.115464
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF de, Sautter KE, Vallejo KD, Simmonds PJ, Quivy AA. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2024 ; 374[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2024.115464
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF de, Sautter KE, Vallejo KD, Simmonds PJ, Quivy AA. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2024 ; 374[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2024.115464
Artigo de periodico
Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure (2023)
Izquierdo, Jose Enrique Eirez ; Cavallari, Marco Roberto ; García, Dennis Cabrera ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Quivy, Alain André
Fonte: Sensors. Unidades: EP, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, ESPECTROSCOPIA
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ABNT
IZQUIERDO, Jose Enrique Eirez et al. Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure. Sensors, v. 23, n. 18, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3390/s23187981. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Izquierdo, J. E. E., Cavallari, M. R., García, D. C., Fonseca, F. J., & Quivy, A. A. (2023). Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure. Sensors, 23( 18). doi:10.3390/s23187981
NLM
Izquierdo JEE, Cavallari MR, García DC, Fonseca FJ, Quivy AA. Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure [Internet]. Sensors. 2023 ; 23( 18):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.3390/s23187981
Vancouver
Izquierdo JEE, Cavallari MR, García DC, Fonseca FJ, Quivy AA. Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure [Internet]. Sensors. 2023 ; 23( 18):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.3390/s23187981
Trabalho de evento
On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices (2022)
Santos, Thales Borrely dos ; Huang, Tao-Yu; Yang, Yu-Chen; Goldman, Rachel S; Quivy, Alain André
Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Assuntos: TOMOGRAFIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Santos, T. B. dos, Huang, T. -Y., Yang, Y. -C., Goldman, R. S., & Quivy, A. A. (2022). On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
NLM
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Vancouver
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Trabalho de evento
Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction (2022)
Alzeidan, Ahmad; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Vallejo, Kevin. D; Simmonds, Paul J; Quivy, Alain André
Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Assunto: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
ALZEIDAN, Ahmad et al. Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro50945.2021.9585765. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F. de, Vallejo, K. D., Simmonds, P. J., & Quivy, A. A. (2022). Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMicro50945.2021.9585765
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF de, Vallejo KD, Simmonds PJ, Quivy AA. Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction [Internet]. 2022 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro50945.2021.9585765
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF de, Vallejo KD, Simmonds PJ, Quivy AA. Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction [Internet]. 2022 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro50945.2021.9585765
Trabalho de evento-resumo
INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS (2022)
Alzeidan, Ahmad ; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Quivy, Alain André
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assuntos: FOTODETECTORES, ARSÊNIO
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ABNT
ALZEIDAN, Ahmad e CANTALICE, Tiago Fernandes de e QUIVY, Alain André. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F. de, & Quivy, A. A. (2022). INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. Resumos. 2022 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. Resumos. 2022 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento
Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy (2022)
Curbelo, Victor Manuel Orlando; Alzeidan, Ahmad; Quivy, Alain André
Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Assunto: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CURBELO, Victor Manuel Orlando e ALZEIDAN, Ahmad e QUIVY, Alain André. Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881016. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Curbelo, V. M. O., Alzeidan, A., & Quivy, A. A. (2022). Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881016
NLM
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy [Internet]. 2022 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881016
Vancouver
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy [Internet]. 2022 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881016
Artigo de periodico
Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots (2022)
Gajjela, Raja Sekhar Reddy ; Alzeidan, Ahmad ; Curbelo, Victor Manuel Orlando ; Quivy, Alain André ; koenraad, Paul M
Fonte: Physical Review Materials. Unidade: IF
Assunto: MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GAJJELA, Raja Sekhar Reddy et al. Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots. Physical Review Materials, v. 6, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.114604. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Gajjela, R. S. R., Alzeidan, A., Curbelo, V. M. O., Quivy, A. A., & koenraad, P. M. (2022). Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots. Physical Review Materials, 6. doi:10.1103/PhysRevMaterials.6.114604
NLM
Gajjela RSR, Alzeidan A, Curbelo VMO, Quivy AA, koenraad PM. Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots [Internet]. Physical Review Materials. 2022 ; 6[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.114604
Vancouver
Gajjela RSR, Alzeidan A, Curbelo VMO, Quivy AA, koenraad PM. Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots [Internet]. Physical Review Materials. 2022 ; 6[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.114604
Artigo de periodico
Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors (2022)
Alzeidan, A.; Cantalice, T. F.; Vallejo, K. D.; Gajjela, R. S. R.; Hendriks, A. L.; Simmonds, P. J.; Koenraad, P. M.; Quivy, Alain André
Fonte: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA MODERNA, NANOTECNOLOGIA, MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA, RADIAÇÃO INFRAVERMELHA, FOTODETECTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALZEIDAN, A. et al. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, v. 334, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F., Vallejo, K. D., Gajjela, R. S. R., Hendriks, A. L., Simmonds, P. J., et al. (2022). Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, 334. doi:10.1016/j.sna.2021.113357
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357
Trabalho de evento-anais periodico
Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles (2022)
Pereira, M S; Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de ; Alberton, Saulo Gabriel Pereira Nascimento ; Quivy, Alain André
Fonte: Journal of Physics: Conference Series. Nome do evento: Brazilian Workshop on Nuclear Physics. Unidade: IF
Assunto: PARTÍCULAS (FÍSICA NUCLEAR)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREIRA, M S et al. Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles. Journal of Physics: Conference Series. Bristol: IOP Publishing. Disponível em: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012050. Acesso em: 02 nov. 2025. , 2022
APA
Pereira, M. S., Aguiar, V. Â. P. de, Alberton, S. G. P. N., & Quivy, A. A. (2022). Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles. Journal of Physics: Conference Series. Bristol: IOP Publishing. doi:10.1088/1742-6596/2340/1/012050
NLM
Pereira MS, Aguiar VÂP de, Alberton SGPN, Quivy AA. Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles [Internet]. Journal of Physics: Conference Series. 2022 ; 2340[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012050
Vancouver
Pereira MS, Aguiar VÂP de, Alberton SGPN, Quivy AA. Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles [Internet]. Journal of Physics: Conference Series. 2022 ; 2340[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012050
Trabalho de evento-resumo
IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY (2022)
Curbelo, Victor Manuel Orlando ; Alzeidan, Ahmad ; Quivy, Alain André
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CURBELO, Victor Manuel Orlando e ALZEIDAN, Ahmad e QUIVY, Alain André. IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Curbelo, V. M. O., Alzeidan, A., & Quivy, A. A. (2022). IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. Resumos. 2022 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. Resumos. 2022 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Artigo de periodico
A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry (2021)
Malafronte, A. A.; Petri, A. R.; Gonçalves, J. A. C.; Barros, Suelen ; Bueno, Carmen ; Maidana, Nora Lia ; Mangiarotti, Alessio ; Martins, Marcos ; Quivy, Alain André ; Vanin, Vito
Fonte: Radiation Physics and Chemistry. Unidades: IF, IPEN
Assuntos: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES, DIODOS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO GAMA, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MALAFRONTE, A. A. et al. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, v. 179, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Malafronte, A. A., Petri, A. R., Gonçalves, J. A. C., Barros, S., Bueno, C., Maidana, N. L., et al. (2021). A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, 179. doi:10.1016/j.radphyschem.2020.109103
NLM
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Vancouver
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Trabalho de evento-resumo
Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots (2020)
Cantalice, Tiago Fernandes de; Al-Zeidan, Ahmad; Quivy, Alain André
Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CANTALICE, Tiago Fernandes de e AL-ZEIDAN, Ahmad e QUIVY, Alain André. Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots. 2020, Anais.. São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física, 2020. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0852-1.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Cantalice, T. F. de, Al-Zeidan, A., & Quivy, A. A. (2020). Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots. In . São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0852-1.pdf
NLM
Cantalice TF de, Al-Zeidan A, Quivy AA. Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0852-1.pdf
Vancouver
Cantalice TF de, Al-Zeidan A, Quivy AA. Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0852-1.pdf
Relatorio tecnico
Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots (2020)
Gajjela, R.S.R. ; Hendriks, A. L.; Koenraad, P M; Alzeidan, Ahmad; Cantalice, Tiago Fernandes de; Quivy, Alain André
Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA MODERNA, MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA, SUPERFÍCIES, ÍNDIO (ELEMENTO QUÍMICO), ARSÊNIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GAJJELA, R.S.R. et al. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/2008.11711.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025. , 2020
APA
Gajjela, R. S. R., Hendriks, A. L., Koenraad, P. M., Alzeidan, A., Cantalice, T. F. de, & Quivy, A. A. (2020). Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/2008.11711.pdf
NLM
Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM, Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2008.11711.pdf
Vancouver
Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM, Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2008.11711.pdf
Trabalho de evento-resumo
The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells (2020)
Santos, Thales Borrely dos ; Lima, Marcelo Delmondes de; Fernandes, Paulo Henrique Diniz; Al-Zeidan, Ahmad; Cantalice, Tiago Fernandes de; Quivy, Alain André
Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: CÉLULAS SOLARES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells. 2020, Anais.. São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física, 2020. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Santos, T. B. dos, Lima, M. D. de, Fernandes, P. H. D., Al-Zeidan, A., Cantalice, T. F. de, & Quivy, A. A. (2020). The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells. In . São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf
NLM
Santos TB dos, Lima MD de, Fernandes PHD, Al-Zeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf
Vancouver
Santos TB dos, Lima MD de, Fernandes PHD, Al-Zeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf
Artigo de periodico
Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors (2020)
Claro, M. S.; Stroppa, D. G.; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Quivy, Alain André
Fonte: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA MODERNA, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTODETECTORES, RADIAÇÃO INFRAVERMELHA, SEMICONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CLARO, M. S. et al. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, v. 315, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Claro, M. S., Stroppa, D. G., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2020). Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, 315. doi:10.1016/j.sna.2020.112262
NLM
Claro MS, Stroppa DG, Silva ECF da, Quivy AA. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 315[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262
Vancouver
Claro MS, Stroppa DG, Silva ECF da, Quivy AA. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 315[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262
Relatorio tecnico
Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2020)
Morelhão, Sergio Luiz ; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, Alain André
Unidade: IF
Assuntos: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sergio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. . Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025. , 2020
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2020). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
Artigo de periodico
Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors (2020)
García, Dennis Cabrera; Eirez Izquierdo, José Enrique ; Cavallari, Marco Roberto ; Quivy, Alain André; Fonseca, Fernando Josepetti
Fonte: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: IF, EP
Assuntos: ÓPTICA ELETRÔNICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, CAPACITORES, DIELÉTRICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCÍA, Dennis Cabrera et al. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 15, n. 2, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
García, D. C., Eirez Izquierdo, J. E., Cavallari, M. R., Quivy, A. A., & Fonseca, F. J. (2020). Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 15( 2). doi:10.29292/jics.v15i2.170
NLM
García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170
Vancouver
García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170
Artigo de periodico
Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots (2020)
Gajjela, R.S.R. ; Hendriks, A. L.; Cantalice, T. F.; Quivy, Alain André ; koenraad, Paul
Fonte: Physical Review Materials. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA MODERNA, MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA, SUPERFÍCIES, ÍNDIO (ELEMENTO QUÍMICO), ARSÊNIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GAJJELA, R.S.R. et al. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots. Physical Review Materials, v. 4, n. 11, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.4.114601. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Gajjela, R. S. R., Hendriks, A. L., Cantalice, T. F., Quivy, A. A., & koenraad, P. (2020). Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots. Physical Review Materials, 4( 11). doi:10.1103/PhysRevMaterials.4.114601
NLM
Gajjela RSR, Hendriks AL, Cantalice TF, Quivy AA, koenraad P. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots [Internet]. Physical Review Materials. 2020 ; 4( 11):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.4.114601
Vancouver
Gajjela RSR, Hendriks AL, Cantalice TF, Quivy AA, koenraad P. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots [Internet]. Physical Review Materials. 2020 ; 4( 11):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.4.114601
Relatorio tecnico
On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system (2020)
Avanci, L H; Remedios, C M R; Quivy, Alain André ; Morelhão, Sergio Luiz
Unidade: IF
Assunto: DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AVANCI, L H et al. On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0411508.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025. , 2020
APA
Avanci, L. H., Remedios, C. M. R., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2020). On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0411508.pdf
NLM
Avanci LH, Remedios CMR, Quivy AA, Morelhão SL. On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0411508.pdf
Vancouver
Avanci LH, Remedios CMR, Quivy AA, Morelhão SL. On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0411508.pdf
Artigo de periodico
High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction (2019)
Alzeidan, Ahmad; Claro, M S; Quivy, Alain André
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: FOTODETECTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALZEIDAN, Ahmad e CLARO, M S e QUIVY, Alain André. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Journal of Applied Physics, v. 126, p. 224506(6), 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5125238. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Alzeidan, A., Claro, M. S., & Quivy, A. A. (2019). High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Journal of Applied Physics, 126, 224506(6). doi:10.1063/1.5125238
NLM
Alzeidan A, Claro MS, Quivy AA. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 126 224506(6).[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5125238
Vancouver
Alzeidan A, Claro MS, Quivy AA. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 126 224506(6).[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5125238

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