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Relatorio tecnico
Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations (2020)
Acosta, Carlos Mera; Lima, Matheus P.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, TOPOLOGIA EM COMPUTAÇÃO
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ABNT
ACOSTA, Carlos Mera et al. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025. , 2020
APA
Acosta, C. M., Lima, M. P., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf
NLM
Acosta CM, Lima MP, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf
Vancouver
Acosta CM, Lima MP, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf
Relatorio tecnico
Dynamic magnetism in the disordered hexagonal double perovskite 'BA''TI'IND.1/2''MN'IND.1/2'O'IND.3' (2019)
Cantarino, M. R.; Amaral, R. P.; Araújo, J. C. R.; Lora-Serrano, R.; Luetkens, H.; Baines, C.; Bräuninger, S.; Grinenko, V.; Sarkar, R.; Klauss, H. H.; Garcia, Fernando Assis ; Freitas, Rafael Sá de
Unidade: IF
Assuntos: MAGNETISMO, SPIN, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
CANTARINO, M. R. et al. Dynamic magnetism in the disordered hexagonal double perovskite 'BA''TI'IND.1/2''MN'IND.1/2'O'IND.3'. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/abs/1906.10738. Acesso em: 02 nov. 2025. , 2019
APA
Cantarino, M. R., Amaral, R. P., Araújo, J. C. R., Lora-Serrano, R., Luetkens, H., Baines, C., et al. (2019). Dynamic magnetism in the disordered hexagonal double perovskite 'BA''TI'IND.1/2''MN'IND.1/2'O'IND.3'. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/abs/1906.10738
NLM
Cantarino MR, Amaral RP, Araújo JCR, Lora-Serrano R, Luetkens H, Baines C, Bräuninger S, Grinenko V, Sarkar R, Klauss HH, Garcia FA, Freitas RS de. Dynamic magnetism in the disordered hexagonal double perovskite 'BA''TI'IND.1/2''MN'IND.1/2'O'IND.3' [Internet]. 2019 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1906.10738
Vancouver
Cantarino MR, Amaral RP, Araújo JCR, Lora-Serrano R, Luetkens H, Baines C, Bräuninger S, Grinenko V, Sarkar R, Klauss HH, Garcia FA, Freitas RS de. Dynamic magnetism in the disordered hexagonal double perovskite 'BA''TI'IND.1/2''MN'IND.1/2'O'IND.3' [Internet]. 2019 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1906.10738
Trabalho de evento-resumo
Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells (2011)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Silva, M A T da; Lourenço, S A; Silva, E C F da; Quivy, A A; Cezar, D F
Fonte: Resumo. Nome do evento: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Silva, M. A. T. da, Lourenço, S. A., et al. (2011). Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Silva MAT da, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA, Cezar DF. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Silva MAT da, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA, Cezar DF. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
Trabalho de evento
Diários da prática pedagógica: contribuições para uma formação continuada emancipatória (2011)
Ustra, Sandro Rogério Vargas; Pacca, Jesuína Lopes de Almeida; Terrazzan, Eduardo Adolfo
Fonte: Completo. Nome do evento: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA (ESTUDO E ENSINO)
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ABNT
USTRA, Sandro Rogério Vargas e PACCA, Jesuína Lopes de Almeida e TERRAZZAN, Eduardo Adolfo. Diários da prática pedagógica: contribuições para uma formação continuada emancipatória. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/T3207-1.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Ustra, S. R. V., Pacca, J. L. de A., & Terrazzan, E. A. (2011). Diários da prática pedagógica: contribuições para uma formação continuada emancipatória. In Completo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/T3207-1.pdf
NLM
Ustra SRV, Pacca JL de A, Terrazzan EA. Diários da prática pedagógica: contribuições para uma formação continuada emancipatória [Internet]. Completo. 2011 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/T3207-1.pdf
Vancouver
Ustra SRV, Pacca JL de A, Terrazzan EA. Diários da prática pedagógica: contribuições para uma formação continuada emancipatória [Internet]. Completo. 2011 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/T3207-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100) (2010)
Lourenço, Sidney Alves; Poças, Luiz Carlos; Lopes, Joyce Marquini; Laureto, Edson; Duarte, José Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Quivy, A. A.
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LOURENÇO, Sidney Alves et al. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100). 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0686-1.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Lourenço, S. A., Poças, L. C., Lopes, J. M., Laureto, E., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., & Quivy, A. A. (2010). Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100). In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0686-1.pdf
NLM
Lourenço SA, Poças LC, Lopes JM, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100) [Internet]. 2010 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0686-1.pdf
Vancouver
Lourenço SA, Poças LC, Lopes JM, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100) [Internet]. 2010 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0686-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Study of electronic and optical properties of `TiO IND.2´ by Ab initio calculations (2007)
Borger, Pablo Damasceno; Lino, Antonio Tadeu; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva Junior, Eronides Felisberto da
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Materia Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
BORGER, Pablo Damasceno et al. Study of electronic and optical properties of `TiO IND.2´ by Ab initio calculations. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0740-1.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Borger, P. D., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., & Silva Junior, E. F. da. (2007). Study of electronic and optical properties of `TiO IND.2´ by Ab initio calculations. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0740-1.pdf
NLM
Borger PD, Lino AT, Scolfaro LMR, Silva Junior EF da. Study of electronic and optical properties of `TiO IND.2´ by Ab initio calculations [Internet]. Resumo. 2007 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0740-1.pdf
Vancouver
Borger PD, Lino AT, Scolfaro LMR, Silva Junior EF da. Study of electronic and optical properties of `TiO IND.2´ by Ab initio calculations [Internet]. Resumo. 2007 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0740-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations (2007)
Lino, A T; Borges, P D; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Rodrigues, S C P; Silva Junior, E F da
Fonte: AIP Conference Proceedings. Nome do evento: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
LINO, A T et al. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 02 nov. 2025. , 2007
APA
Lino, A. T., Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Rodrigues, S. C. P., & Silva Junior, E. F. da. (2007). Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 529-530.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 529-530.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations (2006)
Garcia, Joelson Cott; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lino, Antonio Tadeu; Freire, V N; Farias, G A; Silva, C C; Alves, H W Leite; Rodrigues, S C P; Silva, E F da
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIELÉTRICOS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations. Journal of Applied Physics, v. 100, n. 1, p. 104103-1/104103-9, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2386967. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Garcia, J. C., Scolfaro, L. M. R., Lino, A. T., Freire, V. N., Farias, G. A., Silva, C. C., et al. (2006). Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations. Journal of Applied Physics, 100( 1), 104103-1/104103-9. doi:10.1063/1.2386967
NLM
Garcia JC, Scolfaro LMR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva CC, Alves HWL, Rodrigues SCP, Silva EF da. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 1): 104103-1/104103-9.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2386967
Vancouver
Garcia JC, Scolfaro LMR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva CC, Alves HWL, Rodrigues SCP, Silva EF da. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 1): 104103-1/104103-9.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2386967
Trabalho de evento-resumo
Anderson-Stuart model of ionic conductors in sodium silicate glasses (2004)
Nascimento, Márcio Luis Ferreira; Matsuoka, Masao; Watanabe, S.; Nascimento, Eduardo do; Pontuschka, W. M.; Dantas, Noélio Oliveira
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERCONDUTIVIDADE, VIDRO
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ABNT
NASCIMENTO, Márcio Luis Ferreira et al. Anderson-Stuart model of ionic conductors in sodium silicate glasses. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0562-3.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Nascimento, M. L. F., Matsuoka, M., Watanabe, S., Nascimento, E. do, Pontuschka, W. M., & Dantas, N. O. (2004). Anderson-Stuart model of ionic conductors in sodium silicate glasses. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0562-3.pdf
NLM
Nascimento MLF, Matsuoka M, Watanabe S, Nascimento E do, Pontuschka WM, Dantas NO. Anderson-Stuart model of ionic conductors in sodium silicate glasses [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0562-3.pdf
Vancouver
Nascimento MLF, Matsuoka M, Watanabe S, Nascimento E do, Pontuschka WM, Dantas NO. Anderson-Stuart model of ionic conductors in sodium silicate glasses [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0562-3.pdf
Artigo de periodico
Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) (2003)
Miotto, R; Miwa, R H; Ferraz, A. C.
Fonte: Phisical Review B. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R e MIWA, R H e FERRAZ, A. C. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001). Phisical Review B, v. 68, n. 11, p. 115436/1-1155436/6, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Miotto, R., Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (2003). Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001). Phisical Review B, 68( 11), 115436/1-1155436/6. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
NLM
Miotto R, Miwa RH, Ferraz AC. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) [Internet]. Phisical Review B. 2003 ; 68( 11): 115436/1-1155436/6.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
Vancouver
Miotto R, Miwa RH, Ferraz AC. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) [Internet]. Phisical Review B. 2003 ; 68( 11): 115436/1-1155436/6.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface (2003)
Miwa, Roberto Hiroki; Miotto, R.; Ferraz, A. C.; Srivastava, G P
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, Roberto Hiroki et al. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface. Physical Review B, v. 67, n. 4, p. 045325/1-045325/5, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Miotto, R., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2003). Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface. Physical Review B, 67( 4), 045325/1-045325/5. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
NLM
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 4): 045325/1-045325/5.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
Vancouver
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 4): 045325/1-045325/5.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
In-rich InAs(001) surfaces: an ab initio study (2003)
Miwa, R H; Miotto, R; Ferraz, A. C.
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: European Conference on Surface Science. Unidade: IF
Assuntos: SUPERFÍCIE FÍSICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. In-rich InAs(001) surfaces: an ab initio study. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2003). In-rich InAs(001) surfaces: an ab initio study. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC. In-rich InAs(001) surfaces: an ab initio study. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC. In-rich InAs(001) surfaces: an ab initio study. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Artigo de periodico
In-rich (4x2) and (2x4) reconstructions of the InAs(001) surface (2003)
Miwa, R. H; Miotto, R; Ferraz, A. C.
Fonte: Surface Science. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA), SUPERFÍCIE FÍSICA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R. H e MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. In-rich (4x2) and (2x4) reconstructions of the InAs(001) surface. Surface Science, v. 542, n. 1-2, p. 101-111, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(03)00955-5. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2003). In-rich (4x2) and (2x4) reconstructions of the InAs(001) surface. Surface Science, 542( 1-2), 101-111. doi:10.1016/s0039-6028(03)00955-5
NLM
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC. In-rich (4x2) and (2x4) reconstructions of the InAs(001) surface [Internet]. Surface Science. 2003 ; 542( 1-2): 101-111.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(03)00955-5
Vancouver
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC. In-rich (4x2) and (2x4) reconstructions of the InAs(001) surface [Internet]. Surface Science. 2003 ; 542( 1-2): 101-111.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(03)00955-5
Trabalho de evento-resumo
2D-3D transition in a parabolic quantum well (2002)
Nunes, O A C; Fonseca, A L A; Fanyao, Qu; Daud, Samir Prado; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FENÔMENO DE TRANSPORTE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NUNES, O A C et al. 2D-3D transition in a parabolic quantum well. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Nunes, O. A. C., Fonseca, A. L. A., Fanyao, Q., Daud, S. P., & Leite, J. R. (2002). 2D-3D transition in a parabolic quantum well. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Nunes OAC, Fonseca ALA, Fanyao Q, Daud SP, Leite JR. 2D-3D transition in a parabolic quantum well. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Nunes OAC, Fonseca ALA, Fanyao Q, Daud SP, Leite JR. 2D-3D transition in a parabolic quantum well. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study (2002)
Morbec, F M O; Miwa, Roberto Hiroki; Miotto, R.; Ferraz, A. C.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORBEC, F M O et al. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Morbec, F. M. O., Miwa, R. H., Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2002). ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Morbec FMO, Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Morbec FMO, Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Artigo de periodico
Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds (2001)
Ramos, L. E.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Castineira, J L P; Rosa, A L; Leite, J. R.
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
RAMOS, L. E. et al. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, v. 63, n. 16, p. 5210/1-5210/10, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Ramos, L. E., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Castineira, J. L. P., Rosa, A. L., & Leite, J. R. (2001). Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, 63( 16), 5210/1-5210/10. doi:10.1103/physrevb.63.165210
NLM
Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210
Vancouver
Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210
Trabalho de evento-resumo
The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects (2001)
Dantas, N O; Qu, Fanyao; Leite, J. R.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ÓPTICA (PROPRIEDADES)
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ABNT
DANTAS, N O et al. The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Dantas, N. O., Qu, F., Leite, J. R., & Silva, E. C. F. da. (2001). The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dantas NO, Qu F, Leite JR, Silva ECF da. The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Dantas NO, Qu F, Leite JR, Silva ECF da. The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well (2001)
Cavalheiro, Ademir; Takahashi, Eduardo Kojy; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; MENESES, Eliermes Arraes
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE, CONDUÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAVALHEIRO, Ademir et al. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Cavalheiro, A., Takahashi, E. K., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Leite, J. R., & MENESES, E. A. (2001). The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Artigo de periodico
Comparative study of dissociative adsorption of 'NH IND.3', 'PH IND.3', and 'AsH IND.3' on Si(001)-(2X1) (2001)
Miotto, R.; Srivastava, G P; Miwa, R H; Ferraz, A. C.
Fonte: Journal of Chemical Physics. Unidade: IF
Assuntos: MICROSCOPIA, FEIXES, ABSORÇÃO, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. et al. Comparative study of dissociative adsorption of 'NH IND.3', 'PH IND.3', and 'AsH IND.3' on Si(001)-(2X1). Journal of Chemical Physics, v. 114, n. 21, p. 9549-9556, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JCPSA6000114000021009549000001&idtype=cvips. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (2001). Comparative study of dissociative adsorption of 'NH IND.3', 'PH IND.3', and 'AsH IND.3' on Si(001)-(2X1). Journal of Chemical Physics, 114( 21), 9549-9556. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JCPSA6000114000021009549000001&idtype=cvips
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Miwa RH, Ferraz AC. Comparative study of dissociative adsorption of 'NH IND.3', 'PH IND.3', and 'AsH IND.3' on Si(001)-(2X1) [Internet]. Journal of Chemical Physics. 2001 ; 114( 21): 9549-9556.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JCPSA6000114000021009549000001&idtype=cvips
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Miwa RH, Ferraz AC. Comparative study of dissociative adsorption of 'NH IND.3', 'PH IND.3', and 'AsH IND.3' on Si(001)-(2X1) [Internet]. Journal of Chemical Physics. 2001 ; 114( 21): 9549-9556.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JCPSA6000114000021009549000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Investigation of h-band emission in single heterojunctions: doping role of Si atoms (2001)
Qu, Fanyao; Dantas, N O; Leite, J. R.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ÓPTICA (PROPRIEDADES), FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
QU, Fanyao et al. Investigation of h-band emission in single heterojunctions: doping role of Si atoms. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Qu, F., Dantas, N. O., Leite, J. R., & Silva, E. C. F. da. (2001). Investigation of h-band emission in single heterojunctions: doping role of Si atoms. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Qu F, Dantas NO, Leite JR, Silva ECF da. Investigation of h-band emission in single heterojunctions: doping role of Si atoms. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Qu F, Dantas NO, Leite JR, Silva ECF da. Investigation of h-band emission in single heterojunctions: doping role of Si atoms. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 02 ]

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