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Artigo de periodico
Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots (2025)
Brubach, J. ; Huang, T.-Y. ; Borrely, T ; Greenhill, C ; Walrath, J ; Fedele, G; Yang, Y.-C. ; Zimmerman, A. ; Goldman, R. S.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
BRUBACH, J. et al. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots. Applied Physics Letters, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0244331. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Brubach, J., Huang, T. -Y., Borrely, T., Greenhill, C., Walrath, J., Fedele, G., et al. (2025). Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots. Applied Physics Letters. doi:https://doi.org/10.1063/5.0244331
NLM
Brubach J, Huang T-Y, Borrely T, Greenhill C, Walrath J, Fedele G, Yang Y-C, Zimmerman A, Goldman RS. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots [Internet]. Applied Physics Letters. 2025 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0244331
Vancouver
Brubach J, Huang T-Y, Borrely T, Greenhill C, Walrath J, Fedele G, Yang Y-C, Zimmerman A, Goldman RS. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots [Internet]. Applied Physics Letters. 2025 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0244331
Trabalho de evento-resumo
Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels (2025)
Pusep, Yuri A ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Gennady ; Bakarov, Askhat
Fonte: Program. Nome do evento: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels. 2025, Anais.. Singapore: International Union of Pure and Applied Physics - IUPAP, 2025. Disponível em: https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G., & Bakarov, A. (2025). Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels. In Program. Singapore: International Union of Pure and Applied Physics - IUPAP. Recuperado de https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070
NLM
Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels [Internet]. Program. 2025 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070
Vancouver
Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels [Internet]. Program. 2025 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070
Trabalho de evento-resumo
Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag (2025)
Pusep, Yuri A ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Gennady ; Bakarov, Askhat
Fonte: Abstract Book. Nome do evento: International Conference on Nanomaterials Science and Mechanical Engineering. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. 2025, Anais.. Aveiro: Universidade de Aveiro, 2025. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G., & Bakarov, A. (2025). Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. In Abstract Book. Aveiro: Universidade de Aveiro. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf
NLM
Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Abstract Book. 2025 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf
Vancouver
Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Abstract Book. 2025 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf
Artigo de periodico
Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag (2025)
Pusep, Yuri A ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Glazov, Mikhail ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Gennady ; Bakarov, Askhat
Fonte: Physical Review Research. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. Physical Review Research, v. 7, n. 4, p. 043062-1-043062-8, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/71yh-kprh. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Patricio, M. A. T., Glazov, M., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G., & Bakarov, A. (2025). Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. Physical Review Research, 7( 4), 043062-1-043062-8. doi:10.1103/71yh-kprh
NLM
Pusep YA, Patricio MAT, Glazov M, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Physical Review Research. 2025 ; 7( 4): 043062-1-043062-8.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/71yh-kprh
Vancouver
Pusep YA, Patricio MAT, Glazov M, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Physical Review Research. 2025 ; 7( 4): 043062-1-043062-8.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/71yh-kprh
Artigo de periodico
Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects (2024)
Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza ; Padilla, Jhon Elber Leon ; Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos ; Chubaci, José Fernando Diniz ; Silva, Antonio Ferreira da
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0187962. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Sandoval, M. A. T., Padilla, J. E. L., Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., Chubaci, J. F. D., & Silva, A. F. da. (2024). Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, 135( 10), 103901-1-103901-9. doi:10.1063/5.0187962
NLM
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Vancouver
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Artigo de periodico
Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel (2024)
Pusep, Yuri A ; Teodoro, Marcio Daldin ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Gusev, Gennady ; Bakarov, Askhat
Fonte: Physical Review B. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel. Physical Review B, v. 109, n. 7, p. 075429-1-075429-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Teodoro, M. D., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Gusev, G., & Bakarov, A. (2024). Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel. Physical Review B, 109( 7), 075429-1-075429-6. doi:10.1103/PhysRevB.109.075429
NLM
Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Bakarov A. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 7): 075429-1-075429-6.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429
Vancouver
Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Bakarov A. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 7): 075429-1-075429-6.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429
Artigo de periodico
Magnetic field breakdown of electron hydrodynamics (2024)
Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Oliveira, Vinicius Andrade de ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Gennady ; Bakarov, Askhat ; Pusep, Yuri A
Fonte: Physical Review B. Unidades: IF, IFSC
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, CAMPO ELETROMAGNÉTICO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PATRICIO, Marco Antonio Tito et al. Magnetic field breakdown of electron hydrodynamics. Physical Review B, v. 110, n. 4, p. 45411-1-45411-5, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.110.045411. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Oliveira, V. A. de, Teodoro, M. D., Gusev, G., Bakarov, A., & Pusep, Y. A. (2024). Magnetic field breakdown of electron hydrodynamics. Physical Review B, 110( 4), 45411-1-45411-5. doi:10.1103/PhysRevB.110.045411
NLM
Patricio MAT, Jacobsen GM, Oliveira VA de, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A, Pusep YA. Magnetic field breakdown of electron hydrodynamics [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 110( 4): 45411-1-45411-5.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.110.045411
Vancouver
Patricio MAT, Jacobsen GM, Oliveira VA de, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A, Pusep YA. Magnetic field breakdown of electron hydrodynamics [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 110( 4): 45411-1-45411-5.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.110.045411
Artigo de periodico
Impact of symmetry breaking and spin-orbit coupling on the band gap of halide perovskites (2024)
Sabino, Fernando Pereira ; Zhao, Xin Gang; Dalpian, Gustavo Martini ; Zunger, Alex
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SABINO, Fernando Pereira et al. Impact of symmetry breaking and spin-orbit coupling on the band gap of halide perovskites. Physical Review B, v. 110, n. 3, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.110.035160. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Sabino, F. P., Zhao, X. G., Dalpian, G. M., & Zunger, A. (2024). Impact of symmetry breaking and spin-orbit coupling on the band gap of halide perovskites. Physical Review B, 110( 3). doi:10.1103/PhysRevB.110.035160
NLM
Sabino FP, Zhao XG, Dalpian GM, Zunger A. Impact of symmetry breaking and spin-orbit coupling on the band gap of halide perovskites [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 110( 3):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.110.035160
Vancouver
Sabino FP, Zhao XG, Dalpian GM, Zunger A. Impact of symmetry breaking and spin-orbit coupling on the band gap of halide perovskites [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 110( 3):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.110.035160
Artigo de periodico
Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel (2024)
Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Gennady ; Bakarov, Askhat ; Pusep, Yuri A
Fonte: Physical Review B. Unidades: IF, IFSC
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PATRICIO, Marco Antonio Tito et al. Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel. Physical Review B, v. 109, n. 12, p. L121401-1-L121401-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.L121401. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G., Bakarov, A., & Pusep, Y. A. (2024). Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel. Physical Review B, 109( 12), L121401-1-L121401-6. doi:10.1103/PhysRevB.109.L121401
NLM
Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A, Pusep YA. Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 12): L121401-1-L121401-6.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.L121401
Vancouver
Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A, Pusep YA. Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 12): L121401-1-L121401-6.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.L121401
Curadoria
Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF (2024)
Coutinho, Kaline Rabelo (cur) ; Miranda, Paulo Barbeitas (cur) ; Santos, Carlos Eduardo Fiore dos (cur) ; Marcassa, Luís Gustavo (cur) ; Oliveira, Cristiano Luis Pinto (cur) ; Canal, Gustavo Paganini (cur) ; De Boni, Leonardo (cur) ; Rizzo, Luciana Varanda (cur)
Unidades: IF, IFSC
Assuntos: FÍSICA ATÔMICA, ESTATÍSTICA COMPUTACIONAL, CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO, SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, FÍSICA MODERNA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. . São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. . Acesso em: 02 nov. 2025. , 2024
APA
Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. (2024). Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF.
NLM
Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. 2024 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. 2024 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Artigo de periodico
Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure (2023)
Izquierdo, Jose Enrique Eirez ; Cavallari, Marco Roberto ; García, Dennis Cabrera ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Quivy, Alain André
Fonte: Sensors. Unidades: EP, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, ESPECTROSCOPIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
IZQUIERDO, Jose Enrique Eirez et al. Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure. Sensors, v. 23, n. 18, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3390/s23187981. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Izquierdo, J. E. E., Cavallari, M. R., García, D. C., Fonseca, F. J., & Quivy, A. A. (2023). Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure. Sensors, 23( 18). doi:10.3390/s23187981
NLM
Izquierdo JEE, Cavallari MR, García DC, Fonseca FJ, Quivy AA. Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure [Internet]. Sensors. 2023 ; 23( 18):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.3390/s23187981
Vancouver
Izquierdo JEE, Cavallari MR, García DC, Fonseca FJ, Quivy AA. Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure [Internet]. Sensors. 2023 ; 23( 18):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.3390/s23187981
Artigo de periodico
Multifractal conductance fluctuations of helical edge states (2023)
Olshanetsky, E. B.; Gusev, Gennady ; Levine, Alexandre ; Kvon, Z. D.; Armand, Johnnier Perez
Fonte: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLSHANETSKY, E. B. et al. Multifractal conductance fluctuations of helical edge states. Physical Review Letters, v. 131, n. 7, p. 076301, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.131.076301. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Olshanetsky, E. B., Gusev, G., Levine, A., Kvon, Z. D., & Armand, J. P. (2023). Multifractal conductance fluctuations of helical edge states. Physical Review Letters, 131( 7), 076301. doi:10.1103/PhysRevLett.131.076301
NLM
Olshanetsky EB, Gusev G, Levine A, Kvon ZD, Armand JP. Multifractal conductance fluctuations of helical edge states [Internet]. Physical Review Letters. 2023 ; 131( 7): 076301.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.131.076301
Vancouver
Olshanetsky EB, Gusev G, Levine A, Kvon ZD, Armand JP. Multifractal conductance fluctuations of helical edge states [Internet]. Physical Review Letters. 2023 ; 131( 7): 076301.[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.131.076301
Trabalho de evento
On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices (2022)
Santos, Thales Borrely dos ; Huang, Tao-Yu; Yang, Yu-Chen; Goldman, Rachel S; Quivy, Alain André
Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Assuntos: TOMOGRAFIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Santos, T. B. dos, Huang, T. -Y., Yang, Y. -C., Goldman, R. S., & Quivy, A. A. (2022). On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
NLM
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Vancouver
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20 (2022)
Miranda, Caetano Rodrigues ; Sipahi, Guilherme Matos (cur) ; Assali, Lucy Vitoria Credidio (cur) ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da (cur)
Unidades: IF, IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. . São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. . Acesso em: 02 nov. 2025. , 2022
APA
Miranda, C. R. (2022). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA.
NLM
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Artigo de periodico
Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET (2022)
Alberton, S. G. ; Aguiar, Vitor^Ângelo Paulino de ; Medina, Nilberto H. ; Added, Nemitala ; Macchione, E L A ; Menegasso, R. ; Cesário, G. J.; Santos, Hellen Cristine ; Scarduelli, V B ; Alcántara-Núñez, J. A.; Guazzelli, M. A.; Santos, R. B. B.; Flechas, D.
Fonte: Microelectronics Reliability. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA NUCLEAR, ÍONS PESADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALBERTON, S. G. et al. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET. Microelectronics Reliability, v. 137, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Alberton, S. G., Aguiar, V. ^Â. P. de, Medina, N. H., Added, N., Macchione, E. L. A., Menegasso, R., et al. (2022). Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET. Microelectronics Reliability, 137. doi:10.1016/j.microrel.2022.114784
NLM
Alberton SG, Aguiar V^ÂP de, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Menegasso R, Cesário GJ, Santos HC, Scarduelli VB, Alcántara-Núñez JA, Guazzelli MA, Santos RBB, Flechas D. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET [Internet]. Microelectronics Reliability. 2022 ; 137[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784
Vancouver
Alberton SG, Aguiar V^ÂP de, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Menegasso R, Cesário GJ, Santos HC, Scarduelli VB, Alcántara-Núñez JA, Guazzelli MA, Santos RBB, Flechas D. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET [Internet]. Microelectronics Reliability. 2022 ; 137[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784
Artigo de periodico
Insights into the aftereffects phenomenon in solids based on DFT and time-differential perturbed γ−γ angular correlation studies in 111In (→ 111Cd)-doped tin oxides (2022)
Darriba, G N ; Muñoz, Emiliano L ; Richard, Diego ; Ayala, Alejandro Pedro ; Carbonari, A W ; Petrilli, Helena Maria ; Renteria, M
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DARRIBA, G N et al. Insights into the aftereffects phenomenon in solids based on DFT and time-differential perturbed γ−γ angular correlation studies in 111In (→ 111Cd)-doped tin oxides. Physical Review B, v. 105, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.195201. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Darriba, G. N., Muñoz, E. L., Richard, D., Ayala, A. P., Carbonari, A. W., Petrilli, H. M., & Renteria, M. (2022). Insights into the aftereffects phenomenon in solids based on DFT and time-differential perturbed γ−γ angular correlation studies in 111In (→ 111Cd)-doped tin oxides. Physical Review B, 105. doi:10.1103/PhysRevB.105.195201
NLM
Darriba GN, Muñoz EL, Richard D, Ayala AP, Carbonari AW, Petrilli HM, Renteria M. Insights into the aftereffects phenomenon in solids based on DFT and time-differential perturbed γ−γ angular correlation studies in 111In (→ 111Cd)-doped tin oxides [Internet]. Physical Review B. 2022 ; 105[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.195201
Vancouver
Darriba GN, Muñoz EL, Richard D, Ayala AP, Carbonari AW, Petrilli HM, Renteria M. Insights into the aftereffects phenomenon in solids based on DFT and time-differential perturbed γ−γ angular correlation studies in 111In (→ 111Cd)-doped tin oxides [Internet]. Physical Review B. 2022 ; 105[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.195201
Artigo de periodico
Excitonic effects in graphene-like C3N (2022)
Bonacci, Miki ; Zanfrognini, Matteo ; Molinari, Elisa ; Ruini, Alice; Caldas, Marilia Junqueira ; Ferretti, Andrea ; Varsano, Daniele
Fonte: Physical Review Materials. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BONACCI, Miki et al. Excitonic effects in graphene-like C3N. Physical Review Materials, v. 6, n. 3, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.034009. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Bonacci, M., Zanfrognini, M., Molinari, E., Ruini, A., Caldas, M. J., Ferretti, A., & Varsano, D. (2022). Excitonic effects in graphene-like C3N. Physical Review Materials, 6( 3). doi:10.1103/PhysRevMaterials.6.034009
NLM
Bonacci M, Zanfrognini M, Molinari E, Ruini A, Caldas MJ, Ferretti A, Varsano D. Excitonic effects in graphene-like C3N [Internet]. Physical Review Materials. 2022 ; 6( 3):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.034009
Vancouver
Bonacci M, Zanfrognini M, Molinari E, Ruini A, Caldas MJ, Ferretti A, Varsano D. Excitonic effects in graphene-like C3N [Internet]. Physical Review Materials. 2022 ; 6( 3):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.034009
Relatorio tecnico
Investigation of role of antisite disorder in the pristine cage compound 'FE''GA' IND. 3' (2022)
Ribeiro, Cauê Kaufmann ; Mello, Luiz Adolfo de; Cornejo, Daniel Reinaldo ; Silva Neto, M. B.; Fogh, E.; Rønnow, H. M.; Martelli, Valentina ; Jiménez, Julio Antonio Larrea
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, PARAMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIBEIRO, Cauê Kaufmann et al. Investigation of role of antisite disorder in the pristine cage compound 'FE''GA' IND. 3'. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2208/2208.09064.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025. , 2022
APA
Ribeiro, C. K., Mello, L. A. de, Cornejo, D. R., Silva Neto, M. B., Fogh, E., Rønnow, H. M., et al. (2022). Investigation of role of antisite disorder in the pristine cage compound 'FE''GA' IND. 3'. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2208/2208.09064.pdf
NLM
Ribeiro CK, Mello LA de, Cornejo DR, Silva Neto MB, Fogh E, Rønnow HM, Martelli V, Jiménez JAL. Investigation of role of antisite disorder in the pristine cage compound 'FE''GA' IND. 3' [Internet]. 2022 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2208/2208.09064.pdf
Vancouver
Ribeiro CK, Mello LA de, Cornejo DR, Silva Neto MB, Fogh E, Rønnow HM, Martelli V, Jiménez JAL. Investigation of role of antisite disorder in the pristine cage compound 'FE''GA' IND. 3' [Internet]. 2022 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2208/2208.09064.pdf
Artigo de periodico
A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry (2021)
Malafronte, A. A.; Petri, A. R.; Gonçalves, J. A. C.; Barros, Suelen ; Bueno, Carmen ; Maidana, Nora Lia ; Mangiarotti, Alessio ; Martins, Marcos ; Quivy, Alain André ; Vanin, Vito
Fonte: Radiation Physics and Chemistry. Unidades: IF, IPEN
Assuntos: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES, DIODOS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO GAMA, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, SILÍCIO
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ABNT
MALAFRONTE, A. A. et al. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, v. 179, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Malafronte, A. A., Petri, A. R., Gonçalves, J. A. C., Barros, S., Bueno, C., Maidana, N. L., et al. (2021). A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, 179. doi:10.1016/j.radphyschem.2020.109103
NLM
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Vancouver
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Relatorio tecnico
Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors (2020)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Santos, Raimundo R. dos; Oliveira, Luiz E.; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025. , 2020
APA
Silva, A. J. R. da, Santos, R. R. dos, Oliveira, L. E., & Fazzio, A. (2020). Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf
NLM
Silva AJR da, Santos RR dos, Oliveira LE, Fazzio A. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Santos RR dos, Oliveira LE, Fazzio A. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf

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