LED de GaAs dopado somente com Si, com pontos quânticos na interface (2002)
Alves, M A; Semenzato, Marcos José; Marega Junior, Euclydes 
; González-Borrero, P P
Source: Resumos estendidos. Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM. Unidade: IFSC
Subjects: MATERIAIS (PROPRIEDADES FÍSICAS), SILÍCIO
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ABNT
ALVES, M A et al. LED de GaAs dopado somente com Si, com pontos quânticos na interface. 2002, Anais.. São Carlos: IFSC/EESC/IQSC-USP, 2002. . Acesso em: 09 nov. 2024.APA
Alves, M. A., Semenzato, M. J., Marega Junior, E., & González-Borrero, P. P. (2002). LED de GaAs dopado somente com Si, com pontos quânticos na interface. In Resumos estendidos. São Carlos: IFSC/EESC/IQSC-USP.NLM
Alves MA, Semenzato MJ, Marega Junior E, González-Borrero PP. LED de GaAs dopado somente com Si, com pontos quânticos na interface. Resumos estendidos. 2002 ;[citado 2024 nov. 09 ]Vancouver
Alves MA, Semenzato MJ, Marega Junior E, González-Borrero PP. LED de GaAs dopado somente com Si, com pontos quânticos na interface. Resumos estendidos. 2002 ;[citado 2024 nov. 09 ]
