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Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance and photoluminescence studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs (001) substrates (2003)
Noriega, Odile Cué; Soares, Júlio Antônio Nieri de Toledo; Rodrigues, Sara Cristina Pinto; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26ã. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
NORIEGA, Odile Cué et al. Photoreflectance and photoluminescence studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs (001) substrates. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Noriega, O. C., Soares, J. A. N. de T., Rodrigues, S. C. P., & Leite, J. R. (2003). Photoreflectance and photoluminescence studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs (001) substrates. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Noriega OC, Soares JAN de T, Rodrigues SCP, Leite JR. Photoreflectance and photoluminescence studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs (001) substrates. Resumos. 2003 ;[citado 2024 ago. 04 ]
Vancouver
Noriega OC, Soares JAN de T, Rodrigues SCP, Leite JR. Photoreflectance and photoluminescence studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs (001) substrates. Resumos. 2003 ;[citado 2024 ago. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Study of porous silicon embedded with II-VI semiconductor compounds by fotoreflectance spectroscopy (1997)
Choque, Nilo Maurício Sotomayor; Soares, Júlio Antônio Nieri de Toledo; Enderlein, Rolf; Leite, J. R.; Belogorokhov, Alexander Ivanovich; Belogorokhova, Lubov Ivanovna
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CHOQUE, Nilo Maurício Sotomayor et al. Study of porous silicon embedded with II-VI semiconductor compounds by fotoreflectance spectroscopy. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Choque, N. M. S., Soares, J. A. N. de T., Enderlein, R., Leite, J. R., Belogorokhov, A. I., & Belogorokhova, L. I. (1997). Study of porous silicon embedded with II-VI semiconductor compounds by fotoreflectance spectroscopy. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Choque NMS, Soares JAN de T, Enderlein R, Leite JR, Belogorokhov AI, Belogorokhova LI. Study of porous silicon embedded with II-VI semiconductor compounds by fotoreflectance spectroscopy. Resumos. 1997 ;[citado 2024 ago. 04 ]
Vancouver
Choque NMS, Soares JAN de T, Enderlein R, Leite JR, Belogorokhov AI, Belogorokhova LI. Study of porous silicon embedded with II-VI semiconductor compounds by fotoreflectance spectroscopy. Resumos. 1997 ;[citado 2024 ago. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Characterization of distributed Bragg reflectors and vertical-cavity semiconductor structures by modulation spectroscopy (1997)
Trentin, R.; Soares, Júlio Antônio Nieri de Toledo; Sperandio, Alexander Luz; Quivy, A. A.; Enderlein, Rolf; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TRENTIN, R. et al. Characterization of distributed Bragg reflectors and vertical-cavity semiconductor structures by modulation spectroscopy. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Trentin, R., Soares, J. A. N. de T., Sperandio, A. L., Quivy, A. A., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1997). Characterization of distributed Bragg reflectors and vertical-cavity semiconductor structures by modulation spectroscopy. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Trentin R, Soares JAN de T, Sperandio AL, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Characterization of distributed Bragg reflectors and vertical-cavity semiconductor structures by modulation spectroscopy. Resumos. 1997 ;[citado 2024 ago. 04 ]
Vancouver
Trentin R, Soares JAN de T, Sperandio AL, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Characterization of distributed Bragg reflectors and vertical-cavity semiconductor structures by modulation spectroscopy. Resumos. 1997 ;[citado 2024 ago. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Investigation of the real semiconductor laser structure by photoreflectance method (1997)
Trentin, R.; Soares, Júlio Antônio Nieri de Toledo; Enderlein, Rolf; Leite, J. R.; Belogorokhov, Alexander Ivanovich; Belogorokhova, Lubov Ivanovna; Vdovin, Vladimir
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TRENTIN, R. et al. Investigation of the real semiconductor laser structure by photoreflectance method. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Trentin, R., Soares, J. A. N. de T., Enderlein, R., Leite, J. R., Belogorokhov, A. I., Belogorokhova, L. I., & Vdovin, V. (1997). Investigation of the real semiconductor laser structure by photoreflectance method. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Trentin R, Soares JAN de T, Enderlein R, Leite JR, Belogorokhov AI, Belogorokhova LI, Vdovin V. Investigation of the real semiconductor laser structure by photoreflectance method. Resumos. 1997 ;[citado 2024 ago. 04 ]
Vancouver
Trentin R, Soares JAN de T, Enderlein R, Leite JR, Belogorokhov AI, Belogorokhova LI, Vdovin V. Investigation of the real semiconductor laser structure by photoreflectance method. Resumos. 1997 ;[citado 2024 ago. 04 ]

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