Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE, CONDUÇÃO
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ABNT
CAVALHEIRO, Ademir et al. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 04 ago. 2024.APA
Cavalheiro, A., Takahashi, E. K., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Leite, J. R., & MENESES, E. A. (2001). The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. In Resumos. São Paulo: SBF.NLM
Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2024 ago. 04 ]Vancouver
Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2024 ago. 04 ]