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  • Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: IF, EP

    Subjects: ÓPTICA ELETRÔNICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, CAPACITORES, DIELÉTRICOS, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      GARCÍA, Dennis Cabrera et al. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 15, n. 2, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170. Acesso em: 16 abr. 2024.
    • APA

      García, D. C., Eirez Izquierdo, J. E., Cavallari, M. R., Quivy, A. A., & Fonseca, F. J. (2020). Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 15( 2). doi:10.29292/jics.v15i2.170
    • NLM

      García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170
    • Vancouver

      García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170
  • Unidade: IF

    Assunto: DIFRAÇÃO POR RAIOS X

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    • ABNT

      AVANCI, L H et al. On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0411508.pdf. Acesso em: 16 abr. 2024. , 2020
    • APA

      Avanci, L. H., Remedios, C. M. R., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2020). On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0411508.pdf
    • NLM

      Avanci LH, Remedios CMR, Quivy AA, Morelhão SL. On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0411508.pdf
    • Vancouver

      Avanci LH, Remedios CMR, Quivy AA, Morelhão SL. On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0411508.pdf
  • Source: Anais CBENS 2020. Conference titles: Congresso Brasileiro de Energia Solar. Unidade: IF

    Subjects: ENERGIA SOLAR, CÉLULAS SOLARES, SIMULAÇÃO DE SISTEMAS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR

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    • ABNT

      SANTOS, Thales Borrely dos et al. Otimização de células solares de heteroestruturas III-V baseada em dados experimentais. Anais CBENS 2020. São Paulo: ABENS-Associação Brasileira de Energia Solar. Disponível em: https://anaiscbens.emnuvens.com.br/cbens/article/view/811. Acesso em: 16 abr. 2024. , 2020
    • APA

      Santos, T. B. dos, Pereira, A. L. de J., Leite, D. M. G., Silva Sobrinho, A. S. da, Quivy, A. A., Camargo, D. H. S. de, & Bufon, C. C. B. (2020). Otimização de células solares de heteroestruturas III-V baseada em dados experimentais. Anais CBENS 2020. São Paulo: ABENS-Associação Brasileira de Energia Solar. Recuperado de https://anaiscbens.emnuvens.com.br/cbens/article/view/811
    • NLM

      Santos TB dos, Pereira AL de J, Leite DMG, Silva Sobrinho AS da, Quivy AA, Camargo DHS de, Bufon CCB. Otimização de células solares de heteroestruturas III-V baseada em dados experimentais [Internet]. Anais CBENS 2020. 2020 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://anaiscbens.emnuvens.com.br/cbens/article/view/811
    • Vancouver

      Santos TB dos, Pereira AL de J, Leite DMG, Silva Sobrinho AS da, Quivy AA, Camargo DHS de, Bufon CCB. Otimização de células solares de heteroestruturas III-V baseada em dados experimentais [Internet]. Anais CBENS 2020. 2020 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://anaiscbens.emnuvens.com.br/cbens/article/view/811
  • Source: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA MODERNA, NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA, SPIN, ASSIMETRIA

    Versão AceitaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      NARANJO, A. et al. Magnetic and power tuning of spin-asymmetric multiple excitons in a GaAs quantum well. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2020.114599. Acesso em: 16 abr. 2024.
    • APA

      Naranjo, A., Bragança, H., Jacobsen, G. M., Morais, R. R. O. de, Quivy, A. A., Marques, G. E., et al. (2020). Magnetic and power tuning of spin-asymmetric multiple excitons in a GaAs quantum well. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. doi:10.1016/j.physe.2020.114599
    • NLM

      Naranjo A, Bragança H, Jacobsen GM, Morais RRO de, Quivy AA, Marques GE, Lopez-Richard V, Teodoro MD. Magnetic and power tuning of spin-asymmetric multiple excitons in a GaAs quantum well [Internet]. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2020 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2020.114599
    • Vancouver

      Naranjo A, Bragança H, Jacobsen GM, Morais RRO de, Quivy AA, Marques GE, Lopez-Richard V, Teodoro MD. Magnetic and power tuning of spin-asymmetric multiple excitons in a GaAs quantum well [Internet]. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2020 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2020.114599
  • Source: IEEE. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF

    Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTODETECTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SANTOS, Thales Borrely dos e QUIVY, Alain André. Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919412. Acesso em: 16 abr. 2024. , 2019
    • APA

      Santos, T. B. dos, & Quivy, A. A. (2019). Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. doi:10.1109/SBMicro.2019.8919412
    • NLM

      Santos TB dos, Quivy AA. Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919412
    • Vancouver

      Santos TB dos, Quivy AA. Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919412
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Assunto: FOTODETECTORES

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    • ABNT

      ALZEIDAN, Ahmad e CLARO, M S e QUIVY, Alain André. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Journal of Applied Physics, v. 126, p. 224506(6), 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5125238. Acesso em: 16 abr. 2024.
    • APA

      Alzeidan, A., Claro, M. S., & Quivy, A. A. (2019). High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Journal of Applied Physics, 126, 224506(6). doi:10.1063/1.5125238
    • NLM

      Alzeidan A, Claro MS, Quivy AA. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 126 224506(6).[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5125238
    • Vancouver

      Alzeidan A, Claro MS, Quivy AA. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 126 224506(6).[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5125238
  • Source: Abstracts. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IF

    Assunto: ESPECTROS

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    • ABNT

      SANTOS, Thales Borrely dos et al. Al2O3, TiO2 and Al2O3/TiO2 anti-reflective coatings for high efficiency GaAs solar cells. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019. . Acesso em: 16 abr. 2024.
    • APA

      Santos, T. B. dos, Lima, M. D. de, Carlos, D. F., Gennari, R. F., Teixeira, F. de S., Chubaci, J. F. D., et al. (2019). Al2O3, TiO2 and Al2O3/TiO2 anti-reflective coatings for high efficiency GaAs solar cells. In Abstracts. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF.
    • NLM

      Santos TB dos, Lima MD de, Carlos DF, Gennari RF, Teixeira F de S, Chubaci JFD, Salvadori MCBS, Watanabe S, Quivy AA, Camargo DHS de, Bufon CCB. Al2O3, TiO2 and Al2O3/TiO2 anti-reflective coatings for high efficiency GaAs solar cells. Abstracts. 2019 ;[citado 2024 abr. 16 ]
    • Vancouver

      Santos TB dos, Lima MD de, Carlos DF, Gennari RF, Teixeira F de S, Chubaci JFD, Salvadori MCBS, Watanabe S, Quivy AA, Camargo DHS de, Bufon CCB. Al2O3, TiO2 and Al2O3/TiO2 anti-reflective coatings for high efficiency GaAs solar cells. Abstracts. 2019 ;[citado 2024 abr. 16 ]
  • Source: Abstracts. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IF

    Assunto: DIFRAÇÃO POR RAIOS X

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    • ABNT

      OLIVEIRA, Gabriel Moraes e QUIVY, Alain André e CORNEJO, Daniel Reinaldo. Strong magneto-capacitive effects in Metal/(Insulator + Metal Nanowires)/Metal heterostructures. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019. . Acesso em: 16 abr. 2024.
    • APA

      Oliveira, G. M., Quivy, A. A., & Cornejo, D. R. (2019). Strong magneto-capacitive effects in Metal/(Insulator + Metal Nanowires)/Metal heterostructures. In Abstracts. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF.
    • NLM

      Oliveira GM, Quivy AA, Cornejo DR. Strong magneto-capacitive effects in Metal/(Insulator + Metal Nanowires)/Metal heterostructures. Abstracts. 2019 ;[citado 2024 abr. 16 ]
    • Vancouver

      Oliveira GM, Quivy AA, Cornejo DR. Strong magneto-capacitive effects in Metal/(Insulator + Metal Nanowires)/Metal heterostructures. Abstracts. 2019 ;[citado 2024 abr. 16 ]
  • Source: Materials Research Express. Unidades: IF, ICMC

    Assunto: ELÉTRONS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      CANTALICE, Tiago Fernandes de et al. In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots. Materials Research Express, v. 6 p. 126205(6), 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/2053-1591/ab55a8. Acesso em: 16 abr. 2024.
    • APA

      Cantalice, T. F. de, Alzeidan, A., Urahata, S. M., & Quivy, A. A. (2019). In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots. Materials Research Express, 6 p. 126205(6). doi:10.1088/2053-1591/ab55a8
    • NLM

      Cantalice TF de, Alzeidan A, Urahata SM, Quivy AA. In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots [Internet]. Materials Research Express. 2019 ;6 p. 126205(6)[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1088/2053-1591/ab55a8
    • Vancouver

      Cantalice TF de, Alzeidan A, Urahata SM, Quivy AA. In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots [Internet]. Materials Research Express. 2019 ;6 p. 126205(6)[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1088/2053-1591/ab55a8
  • Source: IEEE. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF

    Subjects: SIMULAÇÃO DE SISTEMAS, FOTODETECTORES

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    • ABNT

      LIMA, Marcelo D. de e SANTOS, Thales Borrely dos e QUIVY, Alain André. Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919450. Acesso em: 16 abr. 2024. , 2019
    • APA

      Lima, M. D. de, Santos, T. B. dos, & Quivy, A. A. (2019). Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. doi:10.1109/SBMicro.2019.8919450
    • NLM

      Lima MD de, Santos TB dos, Quivy AA. Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves [Internet]. IEEE. 2019 ;03.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919450
    • Vancouver

      Lima MD de, Santos TB dos, Quivy AA. Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves [Internet]. IEEE. 2019 ;03.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919450
  • Source: IEEE. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF

    Subjects: FÍSICO-QUÍMICA, FOTODETECTORES, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, ELETRÔNICA QUÂNTICA, FILMES FINOS, SEMICONDUTIVIDADE

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      AL ZEIDAN, Ahmad et al. Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919349. Acesso em: 16 abr. 2024. , 2019
    • APA

      Al Zeidan, A., Cantalice, T. F. de, Garcia, A. J., Deneke, C. F., & Quivy, A. A. (2019). Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. doi:10.1109/SBMicro.2019.8919349
    • NLM

      Al Zeidan A, Cantalice TF de, Garcia AJ, Deneke CF, Quivy AA. Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919349
    • Vancouver

      Al Zeidan A, Cantalice TF de, Garcia AJ, Deneke CF, Quivy AA. Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919349
  • Source: Abstracts. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IF

    Assunto: FOTODETECTORES

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      CANTALICE, Tiago Fernandes de et al. Growth of a submonolayer quantum dot infrared photodetector in the presence of a c(4x4) surface reconstruction. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c6952059-c7b7-4708-bfc2-1332528d922f/Encontro%20de%20Outono%20da%20SBF%202019.pdf. Acesso em: 16 abr. 2024.
    • APA

      Cantalice, T. F. de, Alzeidan, A., Quivy, A. A., Garcia Jr., A. J., & Deneke, C. (2019). Growth of a submonolayer quantum dot infrared photodetector in the presence of a c(4x4) surface reconstruction. In Abstracts. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/c6952059-c7b7-4708-bfc2-1332528d922f/Encontro%20de%20Outono%20da%20SBF%202019.pdf
    • NLM

      Cantalice TF de, Alzeidan A, Quivy AA, Garcia Jr. AJ, Deneke C. Growth of a submonolayer quantum dot infrared photodetector in the presence of a c(4x4) surface reconstruction [Internet]. Abstracts. 2019 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c6952059-c7b7-4708-bfc2-1332528d922f/Encontro%20de%20Outono%20da%20SBF%202019.pdf
    • Vancouver

      Cantalice TF de, Alzeidan A, Quivy AA, Garcia Jr. AJ, Deneke C. Growth of a submonolayer quantum dot infrared photodetector in the presence of a c(4x4) surface reconstruction [Internet]. Abstracts. 2019 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c6952059-c7b7-4708-bfc2-1332528d922f/Encontro%20de%20Outono%20da%20SBF%202019.pdf
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      POÇAS, Luiz Carlos et al. Calculation of two-dimensional scattering patterns for oriented systems. 2018, Anais.. São Paulo: SBF, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0692-1.pdf. Acesso em: 16 abr. 2024.
    • APA

      Poças, L. C., Souza, M. R. de, Laureto, E., Fernandes, R. V., Daldin, M., Quivy, A. A., et al. (2018). Calculation of two-dimensional scattering patterns for oriented systems. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0692-1.pdf
    • NLM

      Poças LC, Souza MR de, Laureto E, Fernandes RV, Daldin M, Quivy AA, Lourenco SA, Silva SA. Calculation of two-dimensional scattering patterns for oriented systems [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0692-1.pdf
    • Vancouver

      Poças LC, Souza MR de, Laureto E, Fernandes RV, Daldin M, Quivy AA, Lourenco SA, Silva SA. Calculation of two-dimensional scattering patterns for oriented systems [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0692-1.pdf
  • Source: Journal of Materials Science. Unidade: IF

    Subjects: FOTODETECTORES, TRANSISTORES

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PEDROSO, D. M. et al. Effect of dopant segregation and negative differential mobility on multi-quantum well activation energy. Journal of Materials Science, v. 52, n. 9, p. 5223-5231, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s10853-017-0763-9. Acesso em: 16 abr. 2024.
    • APA

      Pedroso, D. M., Santos, T. G., Delfino, C. A., Vieira, G. S., Fernandes, F. M., Passaro, A., & Quivy, A. A. (2017). Effect of dopant segregation and negative differential mobility on multi-quantum well activation energy. Journal of Materials Science, 52( 9), 5223-5231. doi:10.1007/s10853-017-0763-9
    • NLM

      Pedroso DM, Santos TG, Delfino CA, Vieira GS, Fernandes FM, Passaro A, Quivy AA. Effect of dopant segregation and negative differential mobility on multi-quantum well activation energy [Internet]. Journal of Materials Science. 2017 ; 52( 9): 5223-5231.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s10853-017-0763-9
    • Vancouver

      Pedroso DM, Santos TG, Delfino CA, Vieira GS, Fernandes FM, Passaro A, Quivy AA. Effect of dopant segregation and negative differential mobility on multi-quantum well activation energy [Internet]. Journal of Materials Science. 2017 ; 52( 9): 5223-5231.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s10853-017-0763-9
  • Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTODETECTORES, ELETRÔNICA QUÂNTICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      AQUINO, V M de et al. Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 101, n. ja, p. 236-243, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.11.042. Acesso em: 16 abr. 2024.
    • APA

      Aquino, V. M. de, Iwamoto, H., Dias, I. F. L., Laureto, E., Silva, M. A. T. da, Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2017). Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells. Superlattices and Microstructures, 101( ja), 236-243. doi:10.1016/j.spmi.2016.11.042
    • NLM

      Aquino VM de, Iwamoto H, Dias IFL, Laureto E, Silva MAT da, Silva ECF da, Quivy AA. Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 101( ja): 236-243.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.11.042
    • Vancouver

      Aquino VM de, Iwamoto H, Dias IFL, Laureto E, Silva MAT da, Silva ECF da, Quivy AA. Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 101( ja): 236-243.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.11.042
  • Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF

    Subjects: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      CLARO, M. S. et al. Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors. Superlattices and Microstructures, v. 104, p. 232-239, 2017Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0749603617300745?via%3Dihub. Acesso em: 16 abr. 2024.
    • APA

      Claro, M. S., Fernandes, F. M., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2017). Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors. Superlattices and Microstructures, 104, 232-239. doi:10.1016/j.spmi.2017.02.015
    • NLM

      Claro MS, Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 104 232-239.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0749603617300745?via%3Dihub
    • Vancouver

      Claro MS, Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 104 232-239.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0749603617300745?via%3Dihub
  • Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da USP (SIICUSP). Unidade: IF

    Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, CÉLULAS SOLARES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      SULEIMAN, Breno Buckup e QUIVY, Alain André. Fabricação e caracterização de células solares de terceira geração baseadas em nanoestruturas obtidas pela técnica de epitaxia por feixes moleculares. 2016, Anais.. São Paulo: USP/Pró-Reitoria de Pesquisa, 2016. Disponível em: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210. Acesso em: 16 abr. 2024.
    • APA

      Suleiman, B. B., & Quivy, A. A. (2016). Fabricação e caracterização de células solares de terceira geração baseadas em nanoestruturas obtidas pela técnica de epitaxia por feixes moleculares. In Resumos. São Paulo: USP/Pró-Reitoria de Pesquisa. Recuperado de https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
    • NLM

      Suleiman BB, Quivy AA. Fabricação e caracterização de células solares de terceira geração baseadas em nanoestruturas obtidas pela técnica de epitaxia por feixes moleculares [Internet]. Resumos. 2016 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
    • Vancouver

      Suleiman BB, Quivy AA. Fabricação e caracterização de células solares de terceira geração baseadas em nanoestruturas obtidas pela técnica de epitaxia por feixes moleculares [Internet]. Resumos. 2016 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
  • Source: Posters - Resumo. Conference titles: Encontro de Física. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FOTODETECTORES, POÇOS QUÂNTICOS

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      ALZEIDAN, Ahmad e CLARO, Marcel Santos e QUIVY, Alain Andre. Infrared photodetectors based on submonolayer quantum dots. 2016, Anais.. São Paulo: SBF, 2016. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1690-1.pdf. Acesso em: 16 abr. 2024.
    • APA

      Alzeidan, A., Claro, M. S., & Quivy, A. A. (2016). Infrared photodetectors based on submonolayer quantum dots. In Posters - Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1690-1.pdf
    • NLM

      Alzeidan A, Claro MS, Quivy AA. Infrared photodetectors based on submonolayer quantum dots [Internet]. Posters - Resumo. 2016 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1690-1.pdf
    • Vancouver

      Alzeidan A, Claro MS, Quivy AA. Infrared photodetectors based on submonolayer quantum dots [Internet]. Posters - Resumo. 2016 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1690-1.pdf
  • Source: Journal of Physics D: Applied Physics. Unidade: IF

    Subjects: MICROSCOPIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      TANAKA, R. Y. et al. Modeling the 3D 'IN' profile of 'IN' IND. x''GA' IND. 1−x''AS'/'GA''AS' quantum dots. Journal of Physics D: Applied Physics, v. 49, n. ju 2016, p. 215101, 2016Tradução . . Disponível em: http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/49/21/215101. Acesso em: 16 abr. 2024.
    • APA

      Tanaka, R. Y., Abe, N. M., Passaro, A., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2016). Modeling the 3D 'IN' profile of 'IN' IND. x''GA' IND. 1−x''AS'/'GA''AS' quantum dots. Journal of Physics D: Applied Physics, 49( ju 2016), 215101. doi:10.1088/0022-3727/49/21/215101
    • NLM

      Tanaka RY, Abe NM, Passaro A, Silva ECF da, Quivy AA. Modeling the 3D 'IN' profile of 'IN' IND. x''GA' IND. 1−x''AS'/'GA''AS' quantum dots [Internet]. Journal of Physics D: Applied Physics. 2016 ; 49( ju 2016): 215101.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/49/21/215101
    • Vancouver

      Tanaka RY, Abe NM, Passaro A, Silva ECF da, Quivy AA. Modeling the 3D 'IN' profile of 'IN' IND. x''GA' IND. 1−x''AS'/'GA''AS' quantum dots [Internet]. Journal of Physics D: Applied Physics. 2016 ; 49( ju 2016): 215101.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/49/21/215101
  • Source: JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS. Unidade: IF

    Subjects: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PEDROSO, D. M. et al. Computation of dark current in QWIPs using a modelling based on ehrenfest theorem. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, v. 48, n. 36, p. se 2015, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/36/365102. Acesso em: 16 abr. 2024.
    • APA

      Pedroso, D. M., Passaro, A., Dacal, L. C. O., Vieira, G. S., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2015). Computation of dark current in QWIPs using a modelling based on ehrenfest theorem. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, 48( 36), se 2015. doi:10.1088/0022-3727/48/36/365102
    • NLM

      Pedroso DM, Passaro A, Dacal LCO, Vieira GS, Silva ECF da, Quivy AA. Computation of dark current in QWIPs using a modelling based on ehrenfest theorem [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS. 2015 ; 48( 36): se 2015.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/36/365102
    • Vancouver

      Pedroso DM, Passaro A, Dacal LCO, Vieira GS, Silva ECF da, Quivy AA. Computation of dark current in QWIPs using a modelling based on ehrenfest theorem [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS. 2015 ; 48( 36): se 2015.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/36/365102

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