Camada de alta resistividade no silicio obtida por implantacao de protons com baixa energia (1993)
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
PERES, Henrique Estanislau Maldonado e PEREZ LISBOA, Mauricio Oscar e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Camada de alta resistividade no silicio obtida por implantacao de protons com baixa energia. 1993, Anais.. Campinas: Sbmicro, 1993. . Acesso em: 17 out. 2024.APA
Peres, H. E. M., Perez Lisboa, M. O., & Ramírez Fernandez, F. J. (1993). Camada de alta resistividade no silicio obtida por implantacao de protons com baixa energia. In Anais. Campinas: Sbmicro.NLM
Peres HEM, Perez Lisboa MO, Ramírez Fernandez FJ. Camada de alta resistividade no silicio obtida por implantacao de protons com baixa energia. Anais. 1993 ;[citado 2024 out. 17 ]Vancouver
Peres HEM, Perez Lisboa MO, Ramírez Fernandez FJ. Camada de alta resistividade no silicio obtida por implantacao de protons com baixa energia. Anais. 1993 ;[citado 2024 out. 17 ]