LED de GaAs dopado somente com Si, com pontos quânticos na interface (2002)
Source: Resumos estendidos. Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM. Unidade: IFSC
Subjects: MATERIAIS (PROPRIEDADES FÍSICAS), SILÍCIO
ABNT
ALVES, M A et al. LED de GaAs dopado somente com Si, com pontos quânticos na interface. 2002, Anais.. São Carlos: IFSC/EESC/IQSC-USP, 2002. . Acesso em: 23 ago. 2024.APA
Alves, M. A., Semenzato, M. J., Marega Júnior, E., & González-Borrero, P. P. (2002). LED de GaAs dopado somente com Si, com pontos quânticos na interface. In Resumos estendidos. São Carlos: IFSC/EESC/IQSC-USP.NLM
Alves MA, Semenzato MJ, Marega Júnior E, González-Borrero PP. LED de GaAs dopado somente com Si, com pontos quânticos na interface. Resumos estendidos. 2002 ;[citado 2024 ago. 23 ]Vancouver
Alves MA, Semenzato MJ, Marega Júnior E, González-Borrero PP. LED de GaAs dopado somente com Si, com pontos quânticos na interface. Resumos estendidos. 2002 ;[citado 2024 ago. 23 ]