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ABNT
ONMORI, Roberto Koji et al. Study of photovoltaic effect on a-Si:H/POMA/'MÜ'c-Si:H structures. 1999, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1999. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Onmori, R. K., Dirani, E. A. T., Andrade, A. M. de, & Faria, R. M. (1999). Study of photovoltaic effect on a-Si:H/POMA/'MÜ'c-Si:H structures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Onmori RK, Dirani EAT, Andrade AM de, Faria RM. Study of photovoltaic effect on a-Si:H/POMA/'MÜ'c-Si:H structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Onmori RK, Dirani EAT, Andrade AM de, Faria RM. Study of photovoltaic effect on a-Si:H/POMA/'MÜ'c-Si:H structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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ABNT
DIRANI, Ely Antonio Tadeu e ANDRADE, Adnei Melges de e FONSECA, Fernando Josepetti. Low temperature PECVD deposited amorphous and microcrystalline silicon films. 1999, Anais.. São Paulo: SBMicro, 1999. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Dirani, E. A. T., Andrade, A. M. de, & Fonseca, F. J. (1999). Low temperature PECVD deposited amorphous and microcrystalline silicon films. In ICMP 99 : technical digest. São Paulo: SBMicro.
NLM
Dirani EAT, Andrade AM de, Fonseca FJ. Low temperature PECVD deposited amorphous and microcrystalline silicon films. ICMP 99 : technical digest. 1999 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Dirani EAT, Andrade AM de, Fonseca FJ. Low temperature PECVD deposited amorphous and microcrystalline silicon films. ICMP 99 : technical digest. 1999 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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ABNT
PAVÃO, Augusto Carlos et al. A dispersão dos valores da tensão para os consumidores residenciais. Eletricidade Moderna, v. 27, n. 301, p. 358, 1999Tradução . . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Pavão, A. C., Andrade, A. M. de, Affonso, O. F., & Dini, N. (1999). A dispersão dos valores da tensão para os consumidores residenciais. Eletricidade Moderna, 27( 301), 358.
NLM
Pavão AC, Andrade AM de, Affonso OF, Dini N. A dispersão dos valores da tensão para os consumidores residenciais. Eletricidade Moderna. 1999 ; 27( 301): 358.[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Pavão AC, Andrade AM de, Affonso OF, Dini N. A dispersão dos valores da tensão para os consumidores residenciais. Eletricidade Moderna. 1999 ; 27( 301): 358.[citado 2024 abr. 19 ]
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ABNT
OLIVATI, Clarissa de Almeida et al. Photovoltaic effect on MH-PPV structures. 1999, Anais.. Águas de Lindóia: Associação Brasileira de Polímeros, 1999. . Acesso em: 19 abr. 2024.
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Olivati, C. de A., Bianchi, R. F., Santos, L. F., Balogh, D. T., Onmori, R. K., Andrade, A. M. de, & Faria, R. M. (1999). Photovoltaic effect on MH-PPV structures. In Anais. Águas de Lindóia: Associação Brasileira de Polímeros.
NLM
Olivati C de A, Bianchi RF, Santos LF, Balogh DT, Onmori RK, Andrade AM de, Faria RM. Photovoltaic effect on MH-PPV structures. Anais. 1999 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Olivati C de A, Bianchi RF, Santos LF, Balogh DT, Onmori RK, Andrade AM de, Faria RM. Photovoltaic effect on MH-PPV structures. Anais. 1999 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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ONMORI, Roberto Koji et al. Photovoltaic effect on 'MU'c- SiH(n+)/poly (o-methoxyaniline)/a-SiH(p) structures. Synthetic Metals. Lausanne: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0379-6779(98)01199-0. Acesso em: 19 abr. 2024. , 1999
APA
Onmori, R. K., Dirani, E. A. T., Faria, R. M., & Andrade, A. M. de. (1999). Photovoltaic effect on 'MU'c- SiH(n+)/poly (o-methoxyaniline)/a-SiH(p) structures. Synthetic Metals. Lausanne: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1016/S0379-6779(98)01199-0
NLM
Onmori RK, Dirani EAT, Faria RM, Andrade AM de. Photovoltaic effect on 'MU'c- SiH(n+)/poly (o-methoxyaniline)/a-SiH(p) structures [Internet]. Synthetic Metals. 1999 ;102( 1/3): 1004-1005.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0379-6779(98)01199-0
Vancouver
Onmori RK, Dirani EAT, Faria RM, Andrade AM de. Photovoltaic effect on 'MU'c- SiH(n+)/poly (o-methoxyaniline)/a-SiH(p) structures [Internet]. Synthetic Metals. 1999 ;102( 1/3): 1004-1005.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0379-6779(98)01199-0
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ONMORI, Roberto Koji et al. Photoconduction in Schottky diodes with ´MI´c-Si:H(n)/poly(o-methoxyaniline)/a-Si:H(p) structure. 1998, Anais.. Montpellier: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1998. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Onmori, R. K., Dirani, E. A. T., Faria, R. M., & Andrade, A. M. de. (1998). Photoconduction in Schottky diodes with ´MI´c-Si:H(n)/poly(o-methoxyaniline)/a-Si:H(p) structure. In Book of Abstracts. Montpellier: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Onmori RK, Dirani EAT, Faria RM, Andrade AM de. Photoconduction in Schottky diodes with ´MI´c-Si:H(n)/poly(o-methoxyaniline)/a-Si:H(p) structure. Book of Abstracts. 1998 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Onmori RK, Dirani EAT, Faria RM, Andrade AM de. Photoconduction in Schottky diodes with ´MI´c-Si:H(n)/poly(o-methoxyaniline)/a-Si:H(p) structure. Book of Abstracts. 1998 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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DIRANI, Ely Antonio Tadeu et al. Raman spectroscopy and AFM analysis of low temperature c: H films. 1998, Anais.. Curitiba: LACTRO/LAC, 1998. . Acesso em: 19 abr. 2024.
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Dirani, E. A. T., Faria, R. M., Fonseca, F. J., & Andrade, A. M. de. (1998). Raman spectroscopy and AFM analysis of low temperature c: H films. In SBMicro - ICMP'98 : proceedings. Curitiba: LACTRO/LAC.
NLM
Dirani EAT, Faria RM, Fonseca FJ, Andrade AM de. Raman spectroscopy and AFM analysis of low temperature c: H films. SBMicro - ICMP'98 : proceedings. 1998 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Dirani EAT, Faria RM, Fonseca FJ, Andrade AM de. Raman spectroscopy and AFM analysis of low temperature c: H films. SBMicro - ICMP'98 : proceedings. 1998 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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DIRANI, Ely Antonio Tadeu et al. Transição de fase em silício amorfo/microcristalino hidrogenado observada por espectroscopia Raman. 1998, Anais.. São Paulo: SBQ, 1998. . Acesso em: 19 abr. 2024.
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Dirani, E. A. T., Noda, L. K., Andrade, A. M. de, Sala, O., & Santos, P. S. (1998). Transição de fase em silício amorfo/microcristalino hidrogenado observada por espectroscopia Raman. In . São Paulo: SBQ.
NLM
Dirani EAT, Noda LK, Andrade AM de, Sala O, Santos PS. Transição de fase em silício amorfo/microcristalino hidrogenado observada por espectroscopia Raman. 1998 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Dirani EAT, Noda LK, Andrade AM de, Sala O, Santos PS. Transição de fase em silício amorfo/microcristalino hidrogenado observada por espectroscopia Raman. 1998 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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DIRANI, Ely Antonio Tadeu et al. Contribution to the improvement of astm - d2303 polymer covered cable testing. 1996, Anais.. Piscataway: Ieee, 1996. . Acesso em: 19 abr. 2024.
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Dirani, E. A. T., Pinheiro, W., Nachvalger, E. E., Oliveira, J. J. S., Castro, A. F., Andrade, A. M. de, et al. (1996). Contribution to the improvement of astm - d2303 polymer covered cable testing. In Annual Report. Piscataway: Ieee.
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Dirani EAT, Pinheiro W, Nachvalger EE, Oliveira JJS, Castro AF, Andrade AM de, Fonseca FJ, Faria RM, Oliveira RB, Caron LE, Ruvolo Filho AC. Contribution to the improvement of astm - d2303 polymer covered cable testing. Annual Report. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Dirani EAT, Pinheiro W, Nachvalger EE, Oliveira JJS, Castro AF, Andrade AM de, Fonseca FJ, Faria RM, Oliveira RB, Caron LE, Ruvolo Filho AC. Contribution to the improvement of astm - d2303 polymer covered cable testing. Annual Report. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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PINHEIRO, W. et al. Study of polimeric material characteristics and covered conductors used in Brazil. 1996, Anais.. Piscataway: IEEE, 1996. . Acesso em: 19 abr. 2024.
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Pinheiro, W., Nachvalger, E. E., Oliveira, J. J. S., Caron, L. E., Ruvolo Filho, A. C., Castro, A. F., et al. (1996). Study of polimeric material characteristics and covered conductors used in Brazil. In Annual report. Piscataway: IEEE.
NLM
Pinheiro W, Nachvalger EE, Oliveira JJS, Caron LE, Ruvolo Filho AC, Castro AF, Faria RM, Oliveira RBL, Dirani EAT, Fonseca FJ, Andrade AM de. Study of polimeric material characteristics and covered conductors used in Brazil. Annual report. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Pinheiro W, Nachvalger EE, Oliveira JJS, Caron LE, Ruvolo Filho AC, Castro AF, Faria RM, Oliveira RBL, Dirani EAT, Fonseca FJ, Andrade AM de. Study of polimeric material characteristics and covered conductors used in Brazil. Annual report. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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SASSAKI, Carlos Alberto et al. PECVD deposited dielectrics for a-Si:H thin film transistors. 1996, Anais.. Campinas: IM/CTI, 1996. . Acesso em: 19 abr. 2024.
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Sassaki, C. A., Andrade, A. M. de, Fonseca, F. J., Abade, K. A., Dirani, E. A. T., & Sanematsu, M. S. (1996). PECVD deposited dielectrics for a-Si:H thin film transistors. In Resumos. Campinas: IM/CTI.
NLM
Sassaki CA, Andrade AM de, Fonseca FJ, Abade KA, Dirani EAT, Sanematsu MS. PECVD deposited dielectrics for a-Si:H thin film transistors. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Sassaki CA, Andrade AM de, Fonseca FJ, Abade KA, Dirani EAT, Sanematsu MS. PECVD deposited dielectrics for a-Si:H thin film transistors. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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ABNT
PINHEIRO, W et al. Ensaio de trilhamento elétrico em cabo pronto: desenvolvimento de metodologia e ensaios de aplicação. . São Paulo: Centro de Excelência em Distribuição de Energia Elétrica. . Acesso em: 19 abr. 2024. , 1996
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Pinheiro, W., Oliveira, J. J. S., Oliveira, R. B. L., Caron, L. E., Nachvalger, E. E., Andrade, A. M. de, et al. (1996). Ensaio de trilhamento elétrico em cabo pronto: desenvolvimento de metodologia e ensaios de aplicação. São Paulo: Centro de Excelência em Distribuição de Energia Elétrica.
NLM
Pinheiro W, Oliveira JJS, Oliveira RBL, Caron LE, Nachvalger EE, Andrade AM de, Fonseca FJ, Dirani EAT, Castro AF. Ensaio de trilhamento elétrico em cabo pronto: desenvolvimento de metodologia e ensaios de aplicação. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Pinheiro W, Oliveira JJS, Oliveira RBL, Caron LE, Nachvalger EE, Andrade AM de, Fonseca FJ, Dirani EAT, Castro AF. Ensaio de trilhamento elétrico em cabo pronto: desenvolvimento de metodologia e ensaios de aplicação. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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FONSECA, Fernando Josepetti et al. Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1996. . Acesso em: 19 abr. 2024.
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Fonseca, F. J., Dirani, E. A. T., Sassaki, C. A., Andrade, A. M. de, & Takahashi, A. (1996). Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
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Fonseca FJ, Dirani EAT, Sassaki CA, Andrade AM de, Takahashi A. Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Fonseca FJ, Dirani EAT, Sassaki CA, Andrade AM de, Takahashi A. Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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ABNT
OLIVEIRA, J. J. S. et al. The aerial bundled cables (ABC) and the characteristics of the semiconductive shield. 1996, Anais.. Piscataway: IEEE, 1996. . Acesso em: 19 abr. 2024.
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Oliveira, J. J. S., Pinheiro, W., Faria, R. M., Ruvolo Filho, A. C., Cardoso, J. R., Nachvalger, E. E., et al. (1996). The aerial bundled cables (ABC) and the characteristics of the semiconductive shield. In Annual report. Piscataway: IEEE.
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Oliveira JJS, Pinheiro W, Faria RM, Ruvolo Filho AC, Cardoso JR, Nachvalger EE, Dirani EAT, Fonseca FJ, Castro AF, Andrade AM de, Oliveira RBL, Caron LE. The aerial bundled cables (ABC) and the characteristics of the semiconductive shield. Annual report. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Oliveira JJS, Pinheiro W, Faria RM, Ruvolo Filho AC, Cardoso JR, Nachvalger EE, Dirani EAT, Fonseca FJ, Castro AF, Andrade AM de, Oliveira RBL, Caron LE. The aerial bundled cables (ABC) and the characteristics of the semiconductive shield. Annual report. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de. Materiais para microeletrônica: contribuições para seu desenvolvimento e aplicações em dispositivos; texto que sistematiza criticamente a obra do candidato. 1996. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. . Acesso em: 19 abr. 2024.
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Andrade, A. M. de. (1996). Materiais para microeletrônica: contribuições para seu desenvolvimento e aplicações em dispositivos; texto que sistematiza criticamente a obra do candidato (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Andrade AM de. Materiais para microeletrônica: contribuições para seu desenvolvimento e aplicações em dispositivos; texto que sistematiza criticamente a obra do candidato. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Andrade AM de. Materiais para microeletrônica: contribuições para seu desenvolvimento e aplicações em dispositivos; texto que sistematiza criticamente a obra do candidato. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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ABNT
SASSAKI, Carlos Alberto et al. Deposição de filmes finos de oxinitreto de silício por PECVD. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1996. . Acesso em: 19 abr. 2024.
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Sassaki, C. A., Fonseca, F. J., Dirani, E. A. T., & Andrade, A. M. de. (1996). Deposição de filmes finos de oxinitreto de silício por PECVD. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Sassaki CA, Fonseca FJ, Dirani EAT, Andrade AM de. Deposição de filmes finos de oxinitreto de silício por PECVD. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Sassaki CA, Fonseca FJ, Dirani EAT, Andrade AM de. Deposição de filmes finos de oxinitreto de silício por PECVD. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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ABNT
FONSECA, Fernando Josepetti et al. Injecting contacts for a Si:H thin film transistors. 1996, Anais.. Campinas: IM/CTI, 1996. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Fonseca, F. J., Dirani, E. A. T., Andrade, A. M. de, Takahashi, A. G., Sassaki, C. A., & Sanematsu, M. S. (1996). Injecting contacts for a Si:H thin film transistors. In Resumos. Campinas: IM/CTI.
NLM
Fonseca FJ, Dirani EAT, Andrade AM de, Takahashi AG, Sassaki CA, Sanematsu MS. Injecting contacts for a Si:H thin film transistors. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Fonseca FJ, Dirani EAT, Andrade AM de, Takahashi AG, Sassaki CA, Sanematsu MS. Injecting contacts for a Si:H thin film transistors. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BOTTECCHIA, J P e ANDRADE, Adnei Melges de. Building of a pecvd reactor: details of the architecture and its influence on the characteristics of the a-'SI' : h films. 1995, Anais.. Brasília: Sbv/Unicamp/Unb, 1995. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Bottecchia, J. P., & Andrade, A. M. de. (1995). Building of a pecvd reactor: details of the architecture and its influence on the characteristics of the a-'SI' : h films. In Resumos. Brasília: Sbv/Unicamp/Unb.
NLM
Bottecchia JP, Andrade AM de. Building of a pecvd reactor: details of the architecture and its influence on the characteristics of the a-'SI' : h films. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Bottecchia JP, Andrade AM de. Building of a pecvd reactor: details of the architecture and its influence on the characteristics of the a-'SI' : h films. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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ABNT
BOTTECCHIA, J P e ANDRADE, Adnei Melges de. Influence of the pecvd reactor architecture in deposition parameters in the structural and electrical characteristics of the a-'SI': h films. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Bottecchia, J. P., & Andrade, A. M. de. (1995). Influence of the pecvd reactor architecture in deposition parameters in the structural and electrical characteristics of the a-'SI': h films. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs.
NLM
Bottecchia JP, Andrade AM de. Influence of the pecvd reactor architecture in deposition parameters in the structural and electrical characteristics of the a-'SI': h films. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Bottecchia JP, Andrade AM de. Influence of the pecvd reactor architecture in deposition parameters in the structural and electrical characteristics of the a-'SI': h films. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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ABNT
BARROS, Roque Spencer Maciel de et al. Estado das ideias: a usp chega aos 60 anos como um verdadeiro estado. Suas unidades do interior sao as cidades. Nesta edicao especial, o que se faz, se pensa e se cria na capital deste centro de pesquisa . [Depoimento]. Tradução . Jornal da Tarde, São Paulo, 1994. , n. 22 ja 1994, p. 1-6. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Barros, R. S. M. de, Andrade, A. M. de, Silva, A. S., Zuffo, J. A., Landi, F. R., Piza, A. F. R. T., et al. (1994). Estado das ideias: a usp chega aos 60 anos como um verdadeiro estado. Suas unidades do interior sao as cidades. Nesta edicao especial, o que se faz, se pensa e se cria na capital deste centro de pesquisa . [Depoimento]. Jornal da Tarde, p. 1-6. São Paulo: Faculdade de Saúde Pública, Universidade de São Paulo.
NLM
Barros RSM de, Andrade AM de, Silva AS, Zuffo JA, Landi FR, Piza AFRT, Martins AR, Colli C, Szarfarc SC, Kerbauy GB, Bandeira WA, Wolynec S, Muccillo R, Leite JR, Santos PS, Armelin HA. Estado das ideias: a usp chega aos 60 anos como um verdadeiro estado. Suas unidades do interior sao as cidades. Nesta edicao especial, o que se faz, se pensa e se cria na capital deste centro de pesquisa . [Depoimento]. Jornal da Tarde. 1994 ;( 22 ja 1994):1-6.[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Barros RSM de, Andrade AM de, Silva AS, Zuffo JA, Landi FR, Piza AFRT, Martins AR, Colli C, Szarfarc SC, Kerbauy GB, Bandeira WA, Wolynec S, Muccillo R, Leite JR, Santos PS, Armelin HA. Estado das ideias: a usp chega aos 60 anos como um verdadeiro estado. Suas unidades do interior sao as cidades. Nesta edicao especial, o que se faz, se pensa e se cria na capital deste centro de pesquisa . [Depoimento]. Jornal da Tarde. 1994 ;( 22 ja 1994):1-6.[citado 2024 abr. 19 ]