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Artigo de periodico
Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" (2004)
Garcia, Joelson Cott; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lino, A T; Freire, V N; Farias, G A; Silva, Junior, E F da
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIELÉTRICOS
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ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2". Applied Physics Letters, v. 85, n. 21, p. 5022-5024, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Garcia, J. C., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lino, A. T., Freire, V. N., Farias, G. A., & Silva, J. (2004). Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2". Applied Physics Letters, 85( 21), 5022-5024. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips
NLM
Garcia JC, Scolfaro LMR, Leite JR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva J. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 21): 5022-5024.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips
Vancouver
Garcia JC, Scolfaro LMR, Leite JR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva J. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 21): 5022-5024.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices (2003)
Sousa, J S de; Barros, E B; Freire, V N; Silva Júnior, Eronides Felisberto da; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SOUSA, J S de et al. I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Sousa, J. S. de, Barros, E. B., Freire, V. N., Silva Júnior, E. F. da, Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2003). I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Sousa JS de, Barros EB, Freire VN, Silva Júnior EF da, Leite JR, Scolfaro LMR. I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Sousa JS de, Barros EB, Freire VN, Silva Júnior EF da, Leite JR, Scolfaro LMR. I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function (2003)
Marques, M; Teles, L. K.; Anjos, V; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Freire, V N; Farias, G A; Silva Junior, E F da
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, ÓPTICA
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ABNT
MARQUES, M et al. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, v. 82, n. 18, p. 3074-3076, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1570922. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Anjos, V., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Freire, V. N., et al. (2003). Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, 82( 18), 3074-3076. doi:10.1063/1.1570922
NLM
Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922
Vancouver
Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922
Artigo de periodico
Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells (2003)
Pereira, T A S; Freire, J A K; Freire, V N; Farias, G A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Silva Junior, E F da
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: LUMINESCÊNCIA, FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PEREIRA, T A S et al. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells. Microelectronics Journal, v. 34, p. 507-509, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Pereira, T. A. S., Freire, J. A. K., Freire, V. N., Farias, G. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Silva Junior, E. F. da. (2003). Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells. Microelectronics Journal, 34, 507-509. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Pereira TAS, Freire JAK, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF da. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34 507-509.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Pereira TAS, Freire JAK, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF da. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34 507-509.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Trabalho de evento-resumo
Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização (2003)
Pinheiro, J Reinildes; Flores, M Z S; Freire, V N; Souza, H Fernandes de; Mesquita, M V; Freire, P T C; Cavada, B S; Arruda, G B; Oliveira, M C F de; Pinheiro, J Auri; Carvalho, M C; Leite, J. R.; Duarte, C A; Fernandez, J R L; Soares, J N T; Morais, P C; Silva, S W da; Cruz, J R; Lima Filho, L
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PINHEIRO, J Reinildes et al. Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Pinheiro, J. R., Flores, M. Z. S., Freire, V. N., Souza, H. F. de, Mesquita, M. V., Freire, P. T. C., et al. (2003). Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Pinheiro JR, Flores MZS, Freire VN, Souza HF de, Mesquita MV, Freire PTC, Cavada BS, Arruda GB, Oliveira MCF de, Pinheiro JA, Carvalho MC, Leite JR, Duarte CA, Fernandez JRL, Soares JNT, Morais PC, Silva SW da, Cruz JR, Lima Filho L. Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Pinheiro JR, Flores MZS, Freire VN, Souza HF de, Mesquita MV, Freire PTC, Cavada BS, Arruda GB, Oliveira MCF de, Pinheiro JA, Carvalho MC, Leite JR, Duarte CA, Fernandez JRL, Soares JNT, Morais PC, Silva SW da, Cruz JR, Lima Filho L. Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Exciton based luminescence characteristics from 'SiSrTiO IND.3' nanodots (2002)
Caetano, E W S; Pereira, T; Freire, V N; Farias, G A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Silva Junior, E F
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Assunto: MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAETANO, E W S et al. Exciton based luminescence characteristics from 'SiSrTiO IND.3' nanodots. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Caetano, E. W. S., Pereira, T., Freire, V. N., Farias, G. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Silva Junior, E. F. (2002). Exciton based luminescence characteristics from 'SiSrTiO IND.3' nanodots. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Caetano EWS, Pereira T, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF. Exciton based luminescence characteristics from 'SiSrTiO IND.3' nanodots. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Caetano EWS, Pereira T, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF. Exciton based luminescence characteristics from 'SiSrTiO IND.3' nanodots. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Relatorio tecnico
Multiplet spliting of the 4s electrons of the earths (1976)
Pavao, Antonio Carlos; Leite, J. R.
Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, QUÍMICA, TERRAS RARAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAVAO, Antonio Carlos e LEITE, J. R. Multiplet spliting of the 4s electrons of the earths. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1740652.pdf. Acesso em: 13 nov. 2024. , 1976
APA
Pavao, A. C., & Leite, J. R. (1976). Multiplet spliting of the 4s electrons of the earths. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1740652.pdf
NLM
Pavao AC, Leite JR. Multiplet spliting of the 4s electrons of the earths [Internet]. 1976 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1740652.pdf
Vancouver
Pavao AC, Leite JR. Multiplet spliting of the 4s electrons of the earths [Internet]. 1976 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1740652.pdf

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