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Trabalho de evento-resumo
Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas (1988)
Scolfaro, L M R; Fazzio, A
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
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ABNT
SCOLFARO, L M R e FAZZIO, A. Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Scolfaro, L. M. R., & Fazzio, A. (1988). Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Scolfaro LMR, Fazzio A. Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Fazzio A. Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors (1988)
Makiuchi, N; Macedo, T C; Caldas, Marília Junqueira; Fazzio, A
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
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ABNT
MAKIUCHI, N et al. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Makiuchi, N., Macedo, T. C., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1988). Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u (1988)
Mota, R.; Fazzio, A
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
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ABNT
MOTA, R. e FAZZIO, A. Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Mota, R., & Fazzio, A. (1988). Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Mota R, Fazzio A. Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Mota R, Fazzio A. Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento
Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE' (1985)
Fazzio, A; Iikawa, F; Motisuke, P
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
FAZZIO, A e IIKAWA, F e MOTISUKE, P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Fazzio, A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1985). Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A, Iikawa F, Motisuke P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Fazzio A, Iikawa F, Motisuke P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento
Group-ib impurities in 'SI' (1985)
Fazzio, A; Caldas, Marília Junqueira; Zunger, A
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
FAZZIO, A e CALDAS, Marília Junqueira e ZUNGER, A. Group-ib impurities in 'SI'. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Fazzio, A., Caldas, M. J., & Zunger, A. (1985). Group-ib impurities in 'SI'. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Group-ib impurities in 'SI'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Group-ib impurities in 'SI'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento
Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors (1985)
Fazzio, A
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
FAZZIO, A. Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Fazzio, A. (1985). Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A. Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Fazzio A. Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 ago. 10 ]

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