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  • Artigo de periodico

    On the possibility of negative u sistems for transition metal impurities in semiconductors (1987)

    Mota, R.; Fazzio, A

    Source: International Journal of Quantum Chemistry Symposia. Unidade: IF

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MOTA, R. e FAZZIO, A. On the possibility of negative u sistems for transition metal impurities in semiconductors. International Journal of Quantum Chemistry Symposia, v. 21, p. 73-8, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.560320710. Acesso em: 10 ago. 2024.

    • APA

      Mota, R., & Fazzio, A. (1987). On the possibility of negative u sistems for transition metal impurities in semiconductors. International Journal of Quantum Chemistry Symposia, 21, 73-8. doi:10.1002/qua.560320710

    • NLM

      Mota R, Fazzio A. On the possibility of negative u sistems for transition metal impurities in semiconductors [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry Symposia. 1987 ;21 73-8.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560320710

    • Vancouver

      Mota R, Fazzio A. On the possibility of negative u sistems for transition metal impurities in semiconductors [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry Symposia. 1987 ;21 73-8.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560320710

  • Trabalho de evento-resumo

    Propriedades opticas dos semicondutores semimagneticos (1987)

    Sardela Junior, M R; Fazzio, A

    Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SARDELA JUNIOR, M R e FAZZIO, A. Propriedades opticas dos semicondutores semimagneticos. 1987, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1987. . Acesso em: 10 ago. 2024.

    • APA

      Sardela Junior, M. R., & Fazzio, A. (1987). Propriedades opticas dos semicondutores semimagneticos. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.

    • NLM

      Sardela Junior MR, Fazzio A. Propriedades opticas dos semicondutores semimagneticos. Programa e Resumos. 1987 ;[citado 2024 ago. 10 ]

    • Vancouver

      Sardela Junior MR, Fazzio A. Propriedades opticas dos semicondutores semimagneticos. Programa e Resumos. 1987 ;[citado 2024 ago. 10 ]

  • Artigo de periodico

    Progress in the study of transition metal impurities in iii-v and ii-vi materials (1987)

    Fazzio, A

    Source: International Journal of Quantum Chemistry Symposia. Unidade: IF

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FAZZIO, A. Progress in the study of transition metal impurities in iii-v and ii-vi materials. International Journal of Quantum Chemistry Symposia, v. 21, p. 65-72, 1987Tradução . . Acesso em: 10 ago. 2024.

    • APA

      Fazzio, A. (1987). Progress in the study of transition metal impurities in iii-v and ii-vi materials. International Journal of Quantum Chemistry Symposia, 21, 65-72.

    • NLM

      Fazzio A. Progress in the study of transition metal impurities in iii-v and ii-vi materials. International Journal of Quantum Chemistry Symposia. 1987 ;21 65-72.[citado 2024 ago. 10 ]

    • Vancouver

      Fazzio A. Progress in the study of transition metal impurities in iii-v and ii-vi materials. International Journal of Quantum Chemistry Symposia. 1987 ;21 65-72.[citado 2024 ago. 10 ]

  • Artigo de periodico

    Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon (1987)

    Amaral, O A V; Antonelli, A; Fazzio, A

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      AMARAL, O A V e ANTONELLI, A e FAZZIO, A. Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon. Physical Review B, v. 35, n. 12, p. 6450-3, 1987Tradução . . Acesso em: 10 ago. 2024.

    • APA

      Amaral, O. A. V., Antonelli, A., & Fazzio, A. (1987). Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon. Physical Review B, 35( 12), 6450-3.

    • NLM

      Amaral OAV, Antonelli A, Fazzio A. Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon. Physical Review B. 1987 ;35( 12): 6450-3.[citado 2024 ago. 10 ]

    • Vancouver

      Amaral OAV, Antonelli A, Fazzio A. Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon. Physical Review B. 1987 ;35( 12): 6450-3.[citado 2024 ago. 10 ]

  • Trabalho de evento-resumo

    Sistemas de u-negativo em impurezas de metais de transicao em semicondutores (1987)

    Mota, R.; Fazzio, A

    Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MOTA, R. e FAZZIO, A. Sistemas de u-negativo em impurezas de metais de transicao em semicondutores. 1987, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1987. . Acesso em: 10 ago. 2024.

    • APA

      Mota, R., & Fazzio, A. (1987). Sistemas de u-negativo em impurezas de metais de transicao em semicondutores. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.

    • NLM

      Mota R, Fazzio A. Sistemas de u-negativo em impurezas de metais de transicao em semicondutores. Programa e Resumos. 1987 ;[citado 2024 ago. 10 ]

    • Vancouver

      Mota R, Fazzio A. Sistemas de u-negativo em impurezas de metais de transicao em semicondutores. Programa e Resumos. 1987 ;[citado 2024 ago. 10 ]

  • Artigo de periodico

    Theory of interstitial transition atoms in gaas (1987)

    Scolfaro, L M R; Fazzio, A

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SCOLFARO, L M R e FAZZIO, A. Theory of interstitial transition atoms in gaas. Physical Review B, v. 36, n. 14, p. 7542-8, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.7542. Acesso em: 10 ago. 2024.

    • APA

      Scolfaro, L. M. R., & Fazzio, A. (1987). Theory of interstitial transition atoms in gaas. Physical Review B, 36( 14), 7542-8. doi:10.1103/physrevb.36.7542

    • NLM

      Scolfaro LMR, Fazzio A. Theory of interstitial transition atoms in gaas [Internet]. Physical Review B. 1987 ;36( 14): 7542-8.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.7542

    • Vancouver

      Scolfaro LMR, Fazzio A. Theory of interstitial transition atoms in gaas [Internet]. Physical Review B. 1987 ;36( 14): 7542-8.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.7542
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