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Artigo de periodico
Structural properties of amorphous silicon nitride (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural properties of amorphous silicon nitride. Physical Review B, v. 58, n. 3, p. 8323-8328, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural properties of amorphous silicon nitride. Physical Review B, 58( 3), 8323-8328. doi:10.1103/physrevb.58.8323
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 3): 8323-8328.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 3): 8323-8328.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323
Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic properties of a-SiN (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural and electronic properties of a-SiN. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural and electronic properties of a-SiN. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of a-SiN. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of a-SiN. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of silicon nitride materials (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Subjects: QUÍMICA TEÓRICA, FÍSICO-QUÍMICA
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ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials. International Journal of Quantum Chemistry, v. 70, p. 973-980, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural and electronic properties of silicon nitride materials. International Journal of Quantum Chemistry, 70, 973-980. doi:10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 1998 ; 70 973-980.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 1998 ; 70 973-980.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
Artigo de periodico
Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB' (1996)
Silva, A. F.; Dantas, N S; Mota, F B; Canuto, Sylvio; Fazzio, A
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SILVA, A. F. et al. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications, v. 99, n. 4 , p. 295-7, 1996Tradução . . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Silva, A. F., Dantas, N. S., Mota, F. B., Canuto, S., & Fazzio, A. (1996). Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications, 99( 4 ), 295-7.
NLM
Silva AF, Dantas NS, Mota FB, Canuto S, Fazzio A. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications. 1996 ;99( 4 ): 295-7.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Silva AF, Dantas NS, Mota FB, Canuto S, Fazzio A. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications. 1996 ;99( 4 ): 295-7.[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Absorcao optica de sistemas semicondutores duplamente dopados (1994)
Mota, F B; Silva, A. F.; Canuto, Sylvio; Piquini, P A; Fazzio, A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F B et al. Absorcao optica de sistemas semicondutores duplamente dopados. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Mota, F. B., Silva, A. F., Canuto, S., Piquini, P. A., & Fazzio, A. (1994). Absorcao optica de sistemas semicondutores duplamente dopados. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Mota FB, Silva AF, Canuto S, Piquini PA, Fazzio A. Absorcao optica de sistemas semicondutores duplamente dopados. Resumos. 1994 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Mota FB, Silva AF, Canuto S, Piquini PA, Fazzio A. Absorcao optica de sistemas semicondutores duplamente dopados. Resumos. 1994 ;[citado 2024 ago. 10 ]

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