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Vancouver
Mendonça BJ, Chubaci JFD, Matsuoka M, Silva AF da, Zambom L da S, Mansano RD. OPTICAL AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF TITANIUM OXIDE THIN FILMS. 2020 ;[citado 2023 jun. 10 ]
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Vancouver
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SOUZA, Felipe Abdalla Tiradentes de e MATSUOKA, Masao e CHUBACI, Jose Fernando Diniz. Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica. 2016, Anais.. São Paulo: USP/Pró-Reitoria de Pesquisa, 2016. Disponível em: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210. Acesso em: 10 jun. 2023.
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Souza FAT de, Matsuoka M, Chubaci JFD. Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica [Internet]. Resumos. 2016 ;[citado 2023 jun. 10 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
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Souza FAT de, Matsuoka M, Chubaci JFD. Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica [Internet]. Resumos. 2016 ;[citado 2023 jun. 10 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
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ABNT
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SANTOS, Thales Borrely dos et al. The end of Moore’s Law: alumina thin films produced by ion beam assisted deposition as gate oxide. 2016, Anais.. São Paulo: SBF, 2016. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R2116-1.pdf. Acesso em: 10 jun. 2023.
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Vancouver
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COSTA, Harliton Jonas et al. Formação de filmes finos de óxidos metálicos pela técnica IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxii/sys/resumos/R0430-1.pdf. Acesso em: 10 jun. 2023.
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TANAKA, Paula Yurie et al. Epstein–Barr Viral Load is Associated to Response in AIDS-Related Lymphomas. Indian Journal of Hematology and Blood Transfusion, v. 30, n. 3, p. 191-194, 2014Tradução . . Disponível em: http://download.springer.com/static/pdf/312/art%253A10.1007%252Fs12288-014-0345-9.pdf?auth66=1410378328_f7f3a9a0f6967feccd469538415554d8&ext=.pdf. Acesso em: 10 jun. 2023.
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Tanaka PY, Ohshima K, Matsuoka M, Sabino EC, Ferreira SC, Nishya AS, Costa R de O, Calore EE, Perez NM, Pereira J. Epstein–Barr Viral Load is Associated to Response in AIDS-Related Lymphomas [Internet]. Indian Journal of Hematology and Blood Transfusion. 2014 ; 30( 3): 191-194.[citado 2023 jun. 10 ] Available from: http://download.springer.com/static/pdf/312/art%253A10.1007%252Fs12288-014-0345-9.pdf?auth66=1410378328_f7f3a9a0f6967feccd469538415554d8&ext=.pdf
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ISOTANI, Sadao e ALBUQUERQUE, Antonio Roberto Pereira Leite de e MATSUOKA, Masao. Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals. PHYSICA B-CONDENSED MATTER, v. 415, p. 38-43, 2013Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0be21773-8355-4ee7-a80f-496cf7dbfbef/1-s2.0-S0921452613000641-main.pdf. Acesso em: 10 jun. 2023.
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Isotani S, Albuquerque ARPL de, Matsuoka M. Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals [Internet]. PHYSICA B-CONDENSED MATTER. 2013 ; 415 38-43.[citado 2023 jun. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0be21773-8355-4ee7-a80f-496cf7dbfbef/1-s2.0-S0921452613000641-main.pdf
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Costa HJ da, David DGF, Silva AF da, Chubaci JFD, Matsuoka M, Freitas Junior JA. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). Resumo. 2013 ;[citado 2023 jun. 10 ]
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DIONYSIO, Danilo Olzon et al. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). 2010, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2010. . Acesso em: 10 jun. 2023.
APA
Dionysio, D. O., Faria, R. M., Guimarães, F. E. G., Matsuoka, M., & Chubaci, J. F. D. (2010). Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Matsuoka M, Chubaci JFD. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2023 jun. 10 ]
Vancouver
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Matsuoka M, Chubaci JFD. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2023 jun. 10 ]