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  • Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Assunto: PARAMAGNETISMO

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    • ABNT

      SOUSA, C O et al. Ab initio calculations of the structural and electronic properties of O vacancy in 'Ti''O IND. 2' and 'SN''O IND. 2'. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0034-4.pdf. Acesso em: 04 mar. 2024.
    • APA

      Sousa, C. O., Alves, H. W. L., Borges, P. D., Assali, L. V. C., Scolfaro, L. M. R., & Silva Jr, E. F. da. (2011). Ab initio calculations of the structural and electronic properties of O vacancy in 'Ti''O IND. 2' and 'SN''O IND. 2'. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0034-4.pdf
    • NLM

      Sousa CO, Alves HWL, Borges PD, Assali LVC, Scolfaro LMR, Silva Jr EF da. Ab initio calculations of the structural and electronic properties of O vacancy in 'Ti''O IND. 2' and 'SN''O IND. 2' [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 mar. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0034-4.pdf
    • Vancouver

      Sousa CO, Alves HWL, Borges PD, Assali LVC, Scolfaro LMR, Silva Jr EF da. Ab initio calculations of the structural and electronic properties of O vacancy in 'Ti''O IND. 2' and 'SN''O IND. 2' [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 mar. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0034-4.pdf
  • Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Assunto: MAGNETISMO

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    • ABNT

      BORGES, Pablo Damasceno et al. Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-1.pdf. Acesso em: 04 mar. 2024.
    • APA

      Borges, P. D., Assali, L. V. C., Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., & Silva Jr, E. F. da. (2011). Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-1.pdf
    • NLM

      Borges PD, Assali LVC, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva Jr EF da. Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 mar. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-1.pdf
    • Vancouver

      Borges PD, Assali LVC, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva Jr EF da. Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 mar. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-1.pdf
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

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    • ABNT

      MARQUES, M et al. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235205, 2006Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 04 mar. 2024.
    • APA

      Marques, M., Teles, L. K., Ferreira, L. G., & Scolfaro, L. M. R. (2006). Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, 73( 23), 235205. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
    • NLM

      Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2024 mar. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
    • Vancouver

      Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2024 mar. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
  • Source: Physica Status Solidi B. Unidades: IF, IFSC

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      RODRIGUES, Sara C P et al. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices. Physica Status Solidi B, v. 234, n. 3, p. 906-910, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 04 mar. 2024.
    • APA

      Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., Noriega, O. C., & Leite, J. R. (2002). K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices. Physica Status Solidi B, 234( 3), 906-910. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
    • NLM

      Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Noriega OC, Leite JR. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 234( 3): 906-910.[citado 2024 mar. 04 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
    • Vancouver

      Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Noriega OC, Leite JR. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 234( 3): 906-910.[citado 2024 mar. 04 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
  • Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: TERMODINÂMICA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      TELES, L. K. et al. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys. Applied Physics Letters, v. 80, n. 7, p. 1177-1178, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 mar. 2024.
    • APA

      Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmuller, K., & Bechstedt, F. (2002). Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys. Applied Physics Letters, 80( 7), 1177-1178. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips
    • NLM

      Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller K, Bechstedt F. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 7): 1177-1178.[citado 2024 mar. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips
    • Vancouver

      Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller K, Bechstedt F. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 7): 1177-1178.[citado 2024 mar. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips
  • Source: Journal of Physics:Condensed Matter. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MECÂNICA ESTATÍSTICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      RODRIGUES, S C P et al. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices. Journal of Physics:Condensed Matter, v. 13, p. 3381-3387, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/14/311. Acesso em: 04 mar. 2024.
    • APA

      Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices. Journal of Physics:Condensed Matter, 13, 3381-3387. doi:10.1088/0953-8984/13/14/311
    • NLM

      Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices [Internet]. Journal of Physics:Condensed Matter. 2001 ; 13 3381-3387.[citado 2024 mar. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/14/311
    • Vancouver

      Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices [Internet]. Journal of Physics:Condensed Matter. 2001 ; 13 3381-3387.[citado 2024 mar. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/14/311
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)

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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. 1999, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1999. . Acesso em: 04 mar. 2024.
    • APA

      Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (1999). Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
    • NLM

      Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 mar. 04 ]
    • Vancouver

      Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 mar. 04 ]
  • Source: Radiation Effects & Defects in Solids. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Seminconductors. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR

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    • ABNT

      TABATA, A et al. Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. London: Gordon & Breach. . Acesso em: 04 mar. 2024. , 1998
    • APA

      Tabata, A., Levine, A., Marti ceschin, A., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. London: Gordon & Breach.
    • NLM

      Tabata A, Levine A, Marti ceschin A, Quivy AA, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. 1998 ; 146 207-214.[citado 2024 mar. 04 ]
    • Vancouver

      Tabata A, Levine A, Marti ceschin A, Quivy AA, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. 1998 ; 146 207-214.[citado 2024 mar. 04 ]
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      SIPAHI, Guilherme Matos et al. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B, v. 57, n. 15, p. 9168-9178, 1998Tradução . . Acesso em: 04 mar. 2024.
    • APA

      Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Silva, E. C. F. da, & Levine, A. (1998). Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B, 57( 15), 9168-9178.
    • NLM

      Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva ECF da, Levine A. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B. 1998 ; 57( 15): 9168-9178.[citado 2024 mar. 04 ]
    • Vancouver

      Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva ECF da, Levine A. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B. 1998 ; 57( 15): 9168-9178.[citado 2024 mar. 04 ]
  • Source: Microelectronic Engineering. Conference titles: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidades: IF, IME

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ENGENHARIA AUTOMOBILÍSTICA

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    • ABNT

      ROSA, A L et al. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. Amsterdam: Elsevier Science. . Acesso em: 04 mar. 2024. , 1998
    • APA

      Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. Amsterdam: Elsevier Science.
    • NLM

      Rosa AL, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Enderlein R, Leite JR. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. 1998 ; 43-44 489-496.[citado 2024 mar. 04 ]
    • Vancouver

      Rosa AL, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Enderlein R, Leite JR. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. 1998 ; 43-44 489-496.[citado 2024 mar. 04 ]
  • Source: Physical Review Letters. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

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    • ABNT

      ENDERLEIN, R et al. Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors. Physical Review Letters, v. 80, n. 14, p. 3160, 1998Tradução . . Acesso em: 04 mar. 2024.
    • APA

      Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1998). Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors. Physical Review Letters, 80( 14), 3160.
    • NLM

      Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors. Physical Review Letters. 1998 ; 80( 14): 3160.[citado 2024 mar. 04 ]
    • Vancouver

      Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors. Physical Review Letters. 1998 ; 80( 14): 3160.[citado 2024 mar. 04 ]
  • Source: Engenharias e exatas. Conference titles: Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA (ESTUDO E ENSINO)

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    • ABNT

      MARQUES, M e SCOLFARO, L M R. Níveis confinados nas bandas de condução e valência em poços quânticos de materiais III-V, com e sem a inclusão de campo magnético externo. 1998, Anais.. São Paulo: USP, 1998. . Acesso em: 04 mar. 2024.
    • APA

      Marques, M., & Scolfaro, L. M. R. (1998). Níveis confinados nas bandas de condução e valência em poços quânticos de materiais III-V, com e sem a inclusão de campo magnético externo. In Engenharias e exatas. São Paulo: USP.
    • NLM

      Marques M, Scolfaro LMR. Níveis confinados nas bandas de condução e valência em poços quânticos de materiais III-V, com e sem a inclusão de campo magnético externo. Engenharias e exatas. 1998 ;[citado 2024 mar. 04 ]
    • Vancouver

      Marques M, Scolfaro LMR. Níveis confinados nas bandas de condução e valência em poços quânticos de materiais III-V, com e sem a inclusão de campo magnético externo. Engenharias e exatas. 1998 ;[citado 2024 mar. 04 ]
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      LINO, A T e SCOLFARO, L M R. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells. Physical Review B, v. 58, n. 11, p. 6720-6723, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720. Acesso em: 04 mar. 2024.
    • APA

      Lino, A. T., & Scolfaro, L. M. R. (1998). Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells. Physical Review B, 58( 11), 6720-6723. doi:10.1103/physrevb.58.6720
    • NLM

      Lino AT, Scolfaro LMR. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 11): 6720-6723.[citado 2024 mar. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720
    • Vancouver

      Lino AT, Scolfaro LMR. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 11): 6720-6723.[citado 2024 mar. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720
  • Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, QUÍMICA

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    • ABNT

      LEVINE, A et al. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 2, p. 301-306, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf. Acesso em: 04 mar. 2024.
    • APA

      Levine, A., Silva, E. C. F. da, Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Quivy, A. A., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, 23( 2), 301-306. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
    • NLM

      Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2024 mar. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
    • Vancouver

      Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2024 mar. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      SOTOMAYOR, N M et al. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 04 mar. 2024.
    • APA

      Sotomayor, N. M., Soares, J. A. N. T., Sperandio, A. L., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1998). Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
    • NLM

      Sotomayor NM, Soares JANT, Sperandio AL, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. Resumos. 1998 ;[citado 2024 mar. 04 ]
    • Vancouver

      Sotomayor NM, Soares JANT, Sperandio AL, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. Resumos. 1998 ;[citado 2024 mar. 04 ]
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      ROSA, A L et al. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B, v. 58, n. 23, p. 15675-15687, 1998Tradução . . Acesso em: 04 mar. 2024.
    • APA

      Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Sipahi, G. M., & Leite, J. R. (1998). p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B, 58( 23), 15675-15687.
    • NLM

      Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B. 1998 ; 58( 23): 15675-15687.[citado 2024 mar. 04 ]
    • Vancouver

      Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B. 1998 ; 58( 23): 15675-15687.[citado 2024 mar. 04 ]
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      ROSA, A L et al. Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 04 mar. 2024.
    • APA

      Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Sipahi, G. M., & Leite, J. R. (1998). Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
    • NLM

      Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon. Resumos. 1998 ;[citado 2024 mar. 04 ]
    • Vancouver

      Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon. Resumos. 1998 ;[citado 2024 mar. 04 ]
  • Source: Materials Science Forum. Conference titles: Silicon Carbide III Nitride and Related Materials. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      SILVA, Juarez Lopes Ferreira da et al. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publishing. . Acesso em: 04 mar. 2024. , 1998
    • APA

      Silva, J. L. F. da, Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Tabata, A., Lischka, K., et al. (1998). Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publishing.
    • NLM

      Silva JLF da, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Tabata A, Lischka K, Schikora D, Bechstedt F. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1197-1200.[citado 2024 mar. 04 ]
    • Vancouver

      Silva JLF da, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Tabata A, Lischka K, Schikora D, Bechstedt F. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1197-1200.[citado 2024 mar. 04 ]
  • Source: Radiation Effects and Defects in Solids. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Seminconductors. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR

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    • ABNT

      CASTINEIRA, J L P et al. Stability of native defects in cubic boron nitride. Radiation Effects and Defects in Solids. London: Gordon and Breach. . Acesso em: 04 mar. 2024. , 1998
    • APA

      Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Alves, H. W. L., & Alves, J. L. A. (1998). Stability of native defects in cubic boron nitride. Radiation Effects and Defects in Solids. London: Gordon and Breach.
    • NLM

      Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R, Alves HWL, Alves JLA. Stability of native defects in cubic boron nitride. Radiation Effects and Defects in Solids. 1998 ; 146 49-63.[citado 2024 mar. 04 ]
    • Vancouver

      Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R, Alves HWL, Alves JLA. Stability of native defects in cubic boron nitride. Radiation Effects and Defects in Solids. 1998 ; 146 49-63.[citado 2024 mar. 04 ]
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SILVA, Juarez Lopes Ferreira da e LEITE, J. R. e SCOLFARO, L M R. Propriedades estruturais e eletrônicas do GaN em fases cúbica e hexagonal. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 04 mar. 2024.
    • APA

      Silva, J. L. F. da, Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (1998). Propriedades estruturais e eletrônicas do GaN em fases cúbica e hexagonal. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
    • NLM

      Silva JLF da, Leite JR, Scolfaro LMR. Propriedades estruturais e eletrônicas do GaN em fases cúbica e hexagonal. Resumos. 1998 ;[citado 2024 mar. 04 ]
    • Vancouver

      Silva JLF da, Leite JR, Scolfaro LMR. Propriedades estruturais e eletrônicas do GaN em fases cúbica e hexagonal. Resumos. 1998 ;[citado 2024 mar. 04 ]

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