Modelo fisico dos fenomenos de avalanche do transistor bipolar para simulacao de circuitos (1986)
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: EP, IEE
Assunto: MICROELETRÔNICA
ABNT
BODINAUD, Jean Albert e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Modelo fisico dos fenomenos de avalanche do transistor bipolar para simulacao de circuitos. 1986, Anais.. Campinas: Sbmicro/Telebras, 1986. . Acesso em: 06 out. 2024.APA
Bodinaud, J. A., & Ramírez Fernandez, F. J. (1986). Modelo fisico dos fenomenos de avalanche do transistor bipolar para simulacao de circuitos. In Anais. Campinas: Sbmicro/Telebras.NLM
Bodinaud JA, Ramírez Fernandez FJ. Modelo fisico dos fenomenos de avalanche do transistor bipolar para simulacao de circuitos. Anais. 1986 ;[citado 2024 out. 06 ]Vancouver
Bodinaud JA, Ramírez Fernandez FJ. Modelo fisico dos fenomenos de avalanche do transistor bipolar para simulacao de circuitos. Anais. 1986 ;[citado 2024 out. 06 ]