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  • Unidade: IEE

    Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA, ENGENHARIA ELÉTRICA, TRANSFORMADORES E REATORES

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    • ABNT

      LANGE, R S. Para-raio no corpo de transformadores de distribuicao. . Sao Paulo: Centro de Excelencia em Distribuicao de Energia Eletrica. . Acesso em: 18 maio 2024. , 1995
    • APA

      Lange, R. S. (1995). Para-raio no corpo de transformadores de distribuicao. Sao Paulo: Centro de Excelencia em Distribuicao de Energia Eletrica.
    • NLM

      Lange RS. Para-raio no corpo de transformadores de distribuicao. 1995 ;[citado 2024 maio 18 ]
    • Vancouver

      Lange RS. Para-raio no corpo de transformadores de distribuicao. 1995 ;[citado 2024 maio 18 ]
  • Unidade: IEE

    Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA, ENGENHARIA ELÉTRICA

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    • ABNT

      LANGE, R S. Dispositivos semicondutores de potencia. . São Paulo: Centro de Excelencia em Distribuicao de Energia Eletrica. . Acesso em: 18 maio 2024. , 1994
    • APA

      Lange, R. S. (1994). Dispositivos semicondutores de potencia. São Paulo: Centro de Excelencia em Distribuicao de Energia Eletrica.
    • NLM

      Lange RS. Dispositivos semicondutores de potencia. 1994 ;[citado 2024 maio 18 ]
    • Vancouver

      Lange RS. Dispositivos semicondutores de potencia. 1994 ;[citado 2024 maio 18 ]
  • Unidade: IEE

    Subjects: SEMICONDUTORES, SEMICONDUTORES, ELETRICIDADE E ELETRONICA (FISICA)

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    • ABNT

      LANGE, R S. Dispositivos semicondutores de potencia: levantamento bibliografico. . São Paulo: Centro de Excelencia em Distribuicao de Energia Eletrica. . Acesso em: 18 maio 2024. , 1994
    • APA

      Lange, R. S. (1994). Dispositivos semicondutores de potencia: levantamento bibliografico. São Paulo: Centro de Excelencia em Distribuicao de Energia Eletrica.
    • NLM

      Lange RS. Dispositivos semicondutores de potencia: levantamento bibliografico. 1994 ;[citado 2024 maio 18 ]
    • Vancouver

      Lange RS. Dispositivos semicondutores de potencia: levantamento bibliografico. 1994 ;[citado 2024 maio 18 ]
  • Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Unidades: EP, IEE

    Assunto: MICROELETRÔNICA

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    • ABNT

      MARCONATO, Roberto e LANGE, R S. Aluminio como dopante na obtenção de junções P-N profundas. 1986, Anais.. Campinas: Sbmicro/Telebras, 1986. . Acesso em: 18 maio 2024.
    • APA

      Marconato, R., & Lange, R. S. (1986). Aluminio como dopante na obtenção de junções P-N profundas. In Anais. Campinas: Sbmicro/Telebras.
    • NLM

      Marconato R, Lange RS. Aluminio como dopante na obtenção de junções P-N profundas. Anais. 1986 ;[citado 2024 maio 18 ]
    • Vancouver

      Marconato R, Lange RS. Aluminio como dopante na obtenção de junções P-N profundas. Anais. 1986 ;[citado 2024 maio 18 ]

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