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  • Unidades: IF, IEB

    Subjects: Estrutura Eletrônica

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ALMEIDA, J M de; ROCHA, A R; SILVA, Antonio J R da; FAZZIO, A. Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations. [S.l: s.n.], 2011.
    • APA

      Almeida, J. M. de, Rocha, A. R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations. São Paulo.
    • NLM

      Almeida JM de, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations. 2011 ;
    • Vancouver

      Almeida JM de, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations. 2011 ;
  • Unidades: IF, IEB

    Subjects: Semicondutores

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PADILHA, J E; LIMA, Matheus P; SILVA, Antonio J R da; FAZZIO, A. Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation. [S.l: s.n.], 2011.
    • APA

      Padilha, J. E., Lima, M. P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation. São Paulo.
    • NLM

      Padilha JE, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation. 2011 ;
    • Vancouver

      Padilha JE, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation. 2011 ;


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