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Trabalho de evento
Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes (2023)
Santos, Fernando L Nogueira; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Martino, João Antonio
Fonte: SBMicro. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Assuntos: SENSOR, RADIAÇÃO ULTRAVIOLETA
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ABNT
SANTOS, Fernando L Nogueira e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e MARTINO, João Antonio. Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302558. Acesso em: 29 nov. 2025.
APA
Santos, F. L. N., Santos Filho, S. G. dos, & Martino, J. A. (2023). Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302558
NLM
Santos FLN, Santos Filho SG dos, Martino JA. Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302558
Vancouver
Santos FLN, Santos Filho SG dos, Martino JA. Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302558
Trabalho de evento
Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs (2023)
Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Fonte: SBMicro. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, MICROELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
ARAÚJO, Gustavo Vinicius de e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603. Acesso em: 29 nov. 2025.
APA
Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302603
NLM
Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603
Vancouver
Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603
Trabalho de evento
Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET (2023)
Ramos, Daniel Augusto; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Rangel, Ricardo Cardoso; Duarte, Pedro Henrique; Martino, João Antonio
Fonte: SBMicro. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Assuntos: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RAMOS, Daniel Augusto et al. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644. Acesso em: 29 nov. 2025.
APA
Ramos, D. A., Sasaki, K. R. A., Rangel, R. C., Duarte, P. H., & Martino, J. A. (2023). Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
NLM
Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
Vancouver
Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
Trabalho de evento
Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET (2023)
Ribeiro, Arllen D.R; Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Fonte: SBMicro. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Assuntos: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RIBEIRO, Arllen D.R et al. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575. Acesso em: 29 nov. 2025.
APA
Ribeiro, A. D. R., Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
NLM
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
Vancouver
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
Trabalho de evento
Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K (2023)
Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der
Fonte: SBMicro. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PERINA, Welder Fernandes et al. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604. Acesso em: 29 nov. 2025.
APA
Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302604
NLM
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604
Vancouver
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604

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