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Trabalho de evento-resumo
Grain boundary conductivity of zirconia yttria and the space charge concept (1997)
Souza, Milton Ferreira de; Souza, D. P. F.
Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Semiconductors. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
SOUZA, Milton Ferreira de e SOUZA, D. P. F. Grain boundary conductivity of zirconia yttria and the space charge concept. 1997, Anais.. Campos do Jordão: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1997. . Acesso em: 29 jun. 2025.
APA
Souza, M. F. de, & Souza, D. P. F. (1997). Grain boundary conductivity of zirconia yttria and the space charge concept. In . Campos do Jordão: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Souza MF de, Souza DPF. Grain boundary conductivity of zirconia yttria and the space charge concept. 1997 ;[citado 2025 jun. 29 ]
Vancouver
Souza MF de, Souza DPF. Grain boundary conductivity of zirconia yttria and the space charge concept. 1997 ;[citado 2025 jun. 29 ]
Trabalho de evento-resumo
Yb POT.2+/CN POT.- doped KBr absorption and emission structures (1997)
Castro, A C; Hernandes, Antônio Carlos ; Siu Li, Máximo
Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Semiconductors. Unidade: IFSC
Subjects: ÓPTICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CASTRO, A C e HERNANDES, Antônio Carlos e SIU LI, Máximo. Yb POT.2+/CN POT.- doped KBr absorption and emission structures. 1997, Anais.. Campos do Jordão: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1997. . Acesso em: 29 jun. 2025.
APA
Castro, A. C., Hernandes, A. C., & Siu Li, M. (1997). Yb POT.2+/CN POT.- doped KBr absorption and emission structures. In . Campos do Jordão: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Castro AC, Hernandes AC, Siu Li M. Yb POT.2+/CN POT.- doped KBr absorption and emission structures. 1997 ;[citado 2025 jun. 29 ]
Vancouver
Castro AC, Hernandes AC, Siu Li M. Yb POT.2+/CN POT.- doped KBr absorption and emission structures. 1997 ;[citado 2025 jun. 29 ]
Trabalho de evento-resumo
ITC study of Ga POT. +, Ge POT. 2+, and Sn POT. 2+-doped alkali halides (1997)
Macalik, B; Siu Li, Máximo ; Zazubovich, S
Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Semiconductors. Unidade: IFSC
Subjects: DIELÉTRICOS, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MACALIK, B e SIU LI, Máximo e ZAZUBOVICH, S. ITC study of Ga POT. +, Ge POT. 2+, and Sn POT. 2+-doped alkali halides. 1997, Anais.. Campos do Jordão: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1997. . Acesso em: 29 jun. 2025.
APA
Macalik, B., Siu Li, M., & Zazubovich, S. (1997). ITC study of Ga POT. +, Ge POT. 2+, and Sn POT. 2+-doped alkali halides. In . Campos do Jordão: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Macalik B, Siu Li M, Zazubovich S. ITC study of Ga POT. +, Ge POT. 2+, and Sn POT. 2+-doped alkali halides. 1997 ;[citado 2025 jun. 29 ]
Vancouver
Macalik B, Siu Li M, Zazubovich S. ITC study of Ga POT. +, Ge POT. 2+, and Sn POT. 2+-doped alkali halides. 1997 ;[citado 2025 jun. 29 ]

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