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Trabalho de evento
Projeto de um filtro passa-faixa de baixa frequencia usando capacitores chaveados (1992)
Coelho, Alfredo Roskamp
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: IEE
Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA, ENGENHARIA ELÉTRICA (PLANEJAMENTO)
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ABNT
COELHO, Alfredo Roskamp. Projeto de um filtro passa-faixa de baixa frequencia usando capacitores chaveados. 1992, Anais.. Sao Paulo: Sbmicro/Ep, 1992. . Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Coelho, A. R. (1992). Projeto de um filtro passa-faixa de baixa frequencia usando capacitores chaveados. In Anais. Sao Paulo: Sbmicro/Ep.
NLM
Coelho AR. Projeto de um filtro passa-faixa de baixa frequencia usando capacitores chaveados. Anais. 1992 ;[citado 2024 out. 10 ]
Vancouver
Coelho AR. Projeto de um filtro passa-faixa de baixa frequencia usando capacitores chaveados. Anais. 1992 ;[citado 2024 out. 10 ]
Trabalho de evento
Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Fonseca, Fernando Josepetti ; Pereyra, Inés ; Sanematsu, Mário Sabro
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Subjects: FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Andrade, C. A. M. de, Fonseca, F. J., Pereyra, I., & Sanematsu, M. S. (1989). Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 out. 10 ]
Vancouver
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 out. 10 ]
Trabalho de evento
Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo (1988)
Zasnicoff, Luiz Sergio; Andrade, Carlos Américo Morato de
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
ZASNICOFF, Luiz Sergio e ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Zasnicoff, L. S., & Andrade, C. A. M. de. (1988). Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Zasnicoff LS, Andrade CAM de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. Anais. 1988 ;[citado 2024 out. 10 ]
Vancouver
Zasnicoff LS, Andrade CAM de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. Anais. 1988 ;[citado 2024 out. 10 ]
Trabalho de evento
Transistores de filmes finos de silicio amorfo (1988)
Andrade, Adnei Melges de ; Sanematsu, Mário Sabro; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Martins, R F P; Fortunato, E
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Transistores de filmes finos de silicio amorfo. 1988, Anais.. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Sanematsu, M. S., Fonseca, F. J., Andrade, C. A. M. de, Martins, R. F. P., & Fortunato, E. (1988). Transistores de filmes finos de silicio amorfo. In Anais. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Martins RFP, Fortunato E. Transistores de filmes finos de silicio amorfo. Anais. 1988 ;[citado 2024 out. 10 ]
Vancouver
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Martins RFP, Fortunato E. Transistores de filmes finos de silicio amorfo. Anais. 1988 ;[citado 2024 out. 10 ]
Trabalho de evento
Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal (1988)
Molina Torres, L C; Andrade, Carlos Américo Morato de
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
MOLINA TORRES, L C e ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. 1988, Anais.. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Molina Torres, L. C., & Andrade, C. A. M. de. (1988). Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. In Anais. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Molina Torres LC, Andrade CAM de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. Anais. 1988 ;[citado 2024 out. 10 ]
Vancouver
Molina Torres LC, Andrade CAM de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. Anais. 1988 ;[citado 2024 out. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Caracterização da geometria centroide para supressão de erros no casamento de componentes e nos quocientes capacitivos (1987)
Galup Montoro, C; Bodinaud, Jean Albert
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GALUP MONTORO, C e BODINAUD, Jean Albert. Caracterização da geometria centroide para supressão de erros no casamento de componentes e nos quocientes capacitivos. 1987, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1987. . Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Galup Montoro, C., & Bodinaud, J. A. (1987). Caracterização da geometria centroide para supressão de erros no casamento de componentes e nos quocientes capacitivos. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Galup Montoro C, Bodinaud JA. Caracterização da geometria centroide para supressão de erros no casamento de componentes e nos quocientes capacitivos. Anais. 1987 ;[citado 2024 out. 10 ]
Vancouver
Galup Montoro C, Bodinaud JA. Caracterização da geometria centroide para supressão de erros no casamento de componentes e nos quocientes capacitivos. Anais. 1987 ;[citado 2024 out. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Participação do IME-IEE/USP no projeto multiusuário brasileiro (1987)
Galup Montoro, C; Andrade, Carlos Américo Morato de; Bodinaud, Jean Albert; Vale Neto, José Vieira do
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: EP, IEE
Assunto: COMPUTAÇÃO GRÁFICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GALUP MONTORO, C et al. Participação do IME-IEE/USP no projeto multiusuário brasileiro. 1987, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1987. . Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Galup Montoro, C., Andrade, C. A. M. de, Bodinaud, J. A., & Vale Neto, J. V. do. (1987). Participação do IME-IEE/USP no projeto multiusuário brasileiro. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Galup Montoro C, Andrade CAM de, Bodinaud JA, Vale Neto JV do. Participação do IME-IEE/USP no projeto multiusuário brasileiro. Anais. 1987 ;[citado 2024 out. 10 ]
Vancouver
Galup Montoro C, Andrade CAM de, Bodinaud JA, Vale Neto JV do. Participação do IME-IEE/USP no projeto multiusuário brasileiro. Anais. 1987 ;[citado 2024 out. 10 ]
Trabalho de evento
Metodologia estatistica para o projeto eletrico de circuitos integrados (1986)
Bodinaud, Jean Albert; Montoro, Carlos Galup
Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BODINAUD, Jean Albert e MONTORO, Carlos Galup. Metodologia estatistica para o projeto eletrico de circuitos integrados. 1986, Anais.. Campinas: Sbmicro/Telebras, 1986. . Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Bodinaud, J. A., & Montoro, C. G. (1986). Metodologia estatistica para o projeto eletrico de circuitos integrados. In . Campinas: Sbmicro/Telebras.
NLM
Bodinaud JA, Montoro CG. Metodologia estatistica para o projeto eletrico de circuitos integrados. 1986 ;[citado 2024 out. 10 ]
Vancouver
Bodinaud JA, Montoro CG. Metodologia estatistica para o projeto eletrico de circuitos integrados. 1986 ;[citado 2024 out. 10 ]

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