Estudo da adsorcao de hidrogenio usando um transistor mos com porta de paladio (1992)
Fonte: Cbecimat: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia dos Materiais. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
ABNT
BARATTO, G e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Estudo da adsorcao de hidrogenio usando um transistor mos com porta de paladio. 1992, Anais.. Campinas: Unicamp, 1992. . Acesso em: 30 set. 2024.APA
Baratto, G., & Ramírez Fernandez, F. J. (1992). Estudo da adsorcao de hidrogenio usando um transistor mos com porta de paladio. In Cbecimat: Anais. Campinas: Unicamp.NLM
Baratto G, Ramírez Fernandez FJ. Estudo da adsorcao de hidrogenio usando um transistor mos com porta de paladio. Cbecimat: Anais. 1992 ;[citado 2024 set. 30 ]Vancouver
Baratto G, Ramírez Fernandez FJ. Estudo da adsorcao de hidrogenio usando um transistor mos com porta de paladio. Cbecimat: Anais. 1992 ;[citado 2024 set. 30 ]