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  • Unidades: IF, IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA

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    • ABNT

      MIRANDA, Caetano Rodrigues. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. . São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. . Acesso em: 03 dez. 2022. , 2022
    • APA

      Miranda, C. R. (2022). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA.
    • NLM

      Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2022 dez. 03 ]
    • Vancouver

      Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2022 dez. 03 ]
  • Source: Abstract Book. Conference title: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC

    Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, FÍSICA TEÓRICA

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      WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties. 2022, Anais.. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2022). Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties. In Abstract Book. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
    • NLM

      Wanderley AB, Sipahi GM. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
    • Vancouver

      Wanderley AB, Sipahi GM. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
  • Source: Abstract Book. Conference title: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC

    Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      SIPAHI, Guilherme Matos. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Abstract Book. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
    • NLM

      Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
    • Vancouver

      Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
  • Source: Program. Conference title: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC

    Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      BONANI, Fabio Danielli et al. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2022. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Bonani, F. D., Siqueira, A. H., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
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      Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
    • Vancouver

      Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
  • Source: Program. Conference title: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SPIN, POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO

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    • ABNT

      MEDEIROS, Marcos Henrique Lima de et al. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2022. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Medeiros, M. H. L. de, Teixeira, R. L. R. C., Sipahi, G. M., & Silva, L. G. G. de V. D. da. (2022). Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf
    • NLM

      Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf
    • Vancouver

      Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf
  • Source: Resumos. Conference title: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DESENVOLVIMENTO DE SOFTWARE

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      PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2022, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2022). Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
    • NLM

      Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2022 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
    • Vancouver

      Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2022 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
  • Source: Livro de Resumos. Conference title: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

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      PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de código computacional de estrutura eletrônica de semicondutores. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d70ff2d0-2859-4b35-ac64-84ee961251d2/3053801.pdf. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2021). Implementação e manutenção de código computacional de estrutura eletrônica de semicondutores. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/d70ff2d0-2859-4b35-ac64-84ee961251d2/3053801.pdf
    • NLM

      Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d70ff2d0-2859-4b35-ac64-84ee961251d2/3053801.pdf
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      Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d70ff2d0-2859-4b35-ac64-84ee961251d2/3053801.pdf
  • Source: Livro de Resumos. Conference title: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

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      SIPAHI, Guilherme Matos e SIQUEIRA, Anderson. Efeitos de strain em nanofios politípicos. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Sipahi, G. M., & Siqueira, A. (2021). Efeitos de strain em nanofios politípicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf
    • NLM

      Sipahi GM, Siqueira A. Efeitos de strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf
    • Vancouver

      Sipahi GM, Siqueira A. Efeitos de strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf
  • Source: Livro de Resumos. Conference title: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, CARBONO

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      PIETRO, Nickolas e SIPAHI, Guilherme Matos. Modelagem tight-binding do twisted bilayer graphene. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/302a85e3-12e9-49db-b883-c2dbcf5d7f52/PROD032286_3051751.pdf. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Pietro, N., & Sipahi, G. M. (2021). Modelagem tight-binding do twisted bilayer graphene. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/302a85e3-12e9-49db-b883-c2dbcf5d7f52/PROD032286_3051751.pdf
    • NLM

      Pietro N, Sipahi GM. Modelagem tight-binding do twisted bilayer graphene [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/302a85e3-12e9-49db-b883-c2dbcf5d7f52/PROD032286_3051751.pdf
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      Pietro N, Sipahi GM. Modelagem tight-binding do twisted bilayer graphene [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/302a85e3-12e9-49db-b883-c2dbcf5d7f52/PROD032286_3051751.pdf
  • Source: Livro de Resumos. Conference title: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

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    • ABNT

      OLIVEIRA, Caio Estevão de e SIPAHI, Guilherme Matos. Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Oliveira, C. E. de, & Sipahi, G. M. (2021). Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf
    • NLM

      Oliveira CE de, Sipahi GM. Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8 [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf
    • Vancouver

      Oliveira CE de, Sipahi GM. Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8 [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf
  • Source: Program. Conference title: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA

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    • ABNT

      SANDOVAL, Marcelo A. Toloza et al. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers. 2021, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2021. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Sandoval, M. A. T., Sipahi, G. M., Andrada e Silva, E. A., & Silva, A. F. da. (2021). Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
    • NLM

      Sandoval MAT, Sipahi GM, Andrada e Silva EA, Silva AF da. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
    • Vancouver

      Sandoval MAT, Sipahi GM, Andrada e Silva EA, Silva AF da. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
  • Source: Resumos. Conference title: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

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    • ABNT

      PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2021, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/db296633-2f81-4e46-a3c8-076259015ed6/PROD032214_3050327.pdf. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2021). Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/db296633-2f81-4e46-a3c8-076259015ed6/PROD032214_3050327.pdf
    • NLM

      Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/db296633-2f81-4e46-a3c8-076259015ed6/PROD032214_3050327.pdf
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      Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/db296633-2f81-4e46-a3c8-076259015ed6/PROD032214_3050327.pdf
  • Source: Livro de Resumos. Conference title: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IFSC, IQSC

    Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, TEORIA DOS GRUPOS

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      WANDERLEY, Adilson Barros e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da e SIPAHI, Guilherme Matos. Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Wanderley, A. B., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2021). Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf
    • NLM

      Wanderley AB, Silva JLF da, Sipahi GM. Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf
    • Vancouver

      Wanderley AB, Silva JLF da, Sipahi GM. Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf
  • Source: Resumos. Conference title: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

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    • ABNT

      SALOMON, Bruno Leão Rennó e SIPAHI, Guilherme Matos. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade. 2021, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c849410-9a8c-452a-8d2c-2bda46b88ba5/PROD032213_3050316.pdf. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Salomon, B. L. R., & Sipahi, G. M. (2021). Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c849410-9a8c-452a-8d2c-2bda46b88ba5/PROD032213_3050316.pdf
    • NLM

      Salomon BLR, Sipahi GM. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c849410-9a8c-452a-8d2c-2bda46b88ba5/PROD032213_3050316.pdf
    • Vancouver

      Salomon BLR, Sipahi GM. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c849410-9a8c-452a-8d2c-2bda46b88ba5/PROD032213_3050316.pdf
  • Source: Physical Review B. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SPIN, POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO

    Versão PublicadaOnline source accessDOIHow to cite
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    • ABNT

      MEDEIROS, Marcos Henrique Lima de et al. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. Physical Review B, v. No 2021, n. 19 p. 195307-1-195307-8, 2021Tradução . . Disponível em: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.104.195307. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Medeiros, M. H. L. de, Teixeira, R. L. R. C., Sipahi, G. M., & Silva, L. G. G. de V. D. da. (2021). Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. Physical Review B, No 2021( 19 p. 195307-1-195307-8). doi:10.1103/PhysRevB.104.195307
    • NLM

      Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2021 ; No 2021( 19 p. 195307-1-195307-8):[citado 2022 dez. 03 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.104.195307
    • Vancouver

      Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2021 ; No 2021( 19 p. 195307-1-195307-8):[citado 2022 dez. 03 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.104.195307
  • Source: Livro de Resumos. Conference title: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

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    • ABNT

      SALOMON, Bruno Leão Rennó e SIPAHI, Guilherme Matos. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/750b5358-c081-4045-b468-b7c1a61ca3e9/3053805.pdf. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Salomon, B. L. R., & Sipahi, G. M. (2021). Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/750b5358-c081-4045-b468-b7c1a61ca3e9/3053805.pdf
    • NLM

      Salomon BLR, Sipahi GM. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/750b5358-c081-4045-b468-b7c1a61ca3e9/3053805.pdf
    • Vancouver

      Salomon BLR, Sipahi GM. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/750b5358-c081-4045-b468-b7c1a61ca3e9/3053805.pdf
  • Source: Program. Conference title: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

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    • ABNT

      OLIVEIRA, Caio Estevão de e BONANI, Fabio Danielli e SIPAHI, Guilherme Matos. Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP. 2020, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2020. Disponível em: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-2.pdf. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Oliveira, C. E. de, Bonani, F. D., & Sipahi, G. M. (2020). Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-2.pdf
    • NLM

      Oliveira CE de, Bonani FD, Sipahi GM. Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP [Internet]. Program. 2020 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-2.pdf
    • Vancouver

      Oliveira CE de, Bonani FD, Sipahi GM. Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP [Internet]. Program. 2020 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-2.pdf
  • Source: Resumos. Conference title: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

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    • ABNT

      PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2020, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2020. Disponível em: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2020). Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
    • NLM

      Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2020 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
    • Vancouver

      Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2020 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
  • Source: Livro de Resumos. Conference title: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

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    • ABNT

      BONANI, Fabio Danielli e ALVES, Horácio e SIPAHI, Guilherme Matos. Study of semiconductor AlN with density functional theory. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Bonani, F. D., Alves, H., & Sipahi, G. M. (2020). Study of semiconductor AlN with density functional theory. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
    • NLM

      Bonani FD, Alves H, Sipahi GM. Study of semiconductor AlN with density functional theory [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
    • Vancouver

      Bonani FD, Alves H, Sipahi GM. Study of semiconductor AlN with density functional theory [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
  • Source: Livro de Resumos. Conference title: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SIQUEIRA, Anderson e SIPAHI, Guilherme Matos. Efeitos de strain em semicondutores III-V. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 03 dez. 2022.
    • APA

      Siqueira, A., & Sipahi, G. M. (2020). Efeitos de strain em semicondutores III-V. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
    • NLM

      Siqueira A, Sipahi GM. Efeitos de strain em semicondutores III-V [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
    • Vancouver

      Siqueira A, Sipahi GM. Efeitos de strain em semicondutores III-V [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2022 dez. 03 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view

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