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Trabalho de evento-resumo
{\it Ab initio} molecular dynamics study of pure and contaminated gold nanowires (2005)
Hobi Jr, Edwin; Fazzio, Adalberto; Novaes, Frederico Dutilh; Silva, Antônio J. R. da; Silva, E Z da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, NANOPARTÍCULAS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
HOBI JR, Edwin et al. {\it Ab initio} molecular dynamics study of pure and contaminated gold nanowires. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0882-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Hobi Jr, E., Fazzio, A., Novaes, F. D., Silva, A. J. R. da, & Silva, E. Z. da. (2005). {\it Ab initio} molecular dynamics study of pure and contaminated gold nanowires. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0882-1.pdf
NLM
Hobi Jr E, Fazzio A, Novaes FD, Silva AJR da, Silva EZ da. {\it Ab initio} molecular dynamics study of pure and contaminated gold nanowires [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0882-1.pdf
Vancouver
Hobi Jr E, Fazzio A, Novaes FD, Silva AJR da, Silva EZ da. {\it Ab initio} molecular dynamics study of pure and contaminated gold nanowires [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0882-1.pdf
Artigo de periodico
`sigma´- and `pi´- defects at graphene nanoribbon edges: building spin filters (2008)
Martins, Thiago Barros; Silva, Antonio Jose Roque da; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto
Source: Nano Letters. Unidade: IF
Subjects: NANOPARTÍCULAS, FUNÇÕES DE GREEN
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ABNT
MARTINS, Thiago Barros et al. `sigma´- and `pi´- defects at graphene nanoribbon edges: building spin filters. Nano Letters, v. 8, n. 8, p. 2293-2298, 2008Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nl800991j. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Martins, T. B., Silva, A. J. R. da, Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2008). `sigma´- and `pi´- defects at graphene nanoribbon edges: building spin filters. Nano Letters, 8( 8), 2293-2298. Recuperado de http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nl800991j
NLM
Martins TB, Silva AJR da, Miwa RH, Fazzio A. `sigma´- and `pi´- defects at graphene nanoribbon edges: building spin filters [Internet]. Nano Letters. 2008 ; 8( 8): 2293-2298.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nl800991j
Vancouver
Martins TB, Silva AJR da, Miwa RH, Fazzio A. `sigma´- and `pi´- defects at graphene nanoribbon edges: building spin filters [Internet]. Nano Letters. 2008 ; 8( 8): 2293-2298.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nl800991j
Trabalho de evento-resumo
Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the shottky barrier and doping by electrostatic gating (2016)
Sousa, Jose Eduardo Padilha de; Fazzio, Adalberto; Silva, Antônio José Roque da
Source: Sympoisa I - Resumos. Conference titles: Encontro de Física. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
SOUSA, Jose Eduardo Padilha de e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antônio José Roque da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the shottky barrier and doping by electrostatic gating. 2016, Anais.. São Paulo: SBF, 2016. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R0529-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Sousa, J. E. P. de, Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2016). Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the shottky barrier and doping by electrostatic gating. In Sympoisa I - Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R0529-1.pdf
NLM
Sousa JEP de, Fazzio A, Silva AJR da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the shottky barrier and doping by electrostatic gating [Internet]. Sympoisa I - Resumos. 2016 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R0529-1.pdf
Vancouver
Sousa JEP de, Fazzio A, Silva AJR da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the shottky barrier and doping by electrostatic gating [Internet]. Sympoisa I - Resumos. 2016 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R0529-1.pdf
Artigo de periodico
Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating (2015)
Padilha, J. E.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: PHYSICAL REVIEW LETTERS. Unidade: IF
Subjects: ELETROSTÁTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PADILHA, J. E. e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating. PHYSICAL REVIEW LETTERS, v. fe 2015, n. 6, p. 066803, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.114.066803. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Padilha, J. E., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2015). Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating. PHYSICAL REVIEW LETTERS, fe 2015( 6), 066803. doi:10.1103/PhysRevLett.114.066803
NLM
Padilha JE, Fazzio A, Silva AJR da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating [Internet]. PHYSICAL REVIEW LETTERS. 2015 ; fe 2015( 6): 066803.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.114.066803
Vancouver
Padilha JE, Fazzio A, Silva AJR da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating [Internet]. PHYSICAL REVIEW LETTERS. 2015 ; fe 2015( 6): 066803.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.114.066803
Trabalho de evento-resumo
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, G M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Artigo de periodico
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, G M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FENÔMENO DE TRANSPORTE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B, v. 65, n. 19, p. 193306/1-193306/ , 2002Tradução . . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B, 65( 19), 193306/1-193306/ .
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B. 2002 ; 65( 19): 193306/1-193306/ .[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B. 2002 ; 65( 19): 193306/1-193306/ .[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, G M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
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ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, Caetano Rodrigues; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues et al. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Miranda, C. R., Antonelli, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Miranda CR, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Miranda CR, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, C R; Antonelli, A; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts II (Poster). Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, C R et al. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Miranda, C. R., Antonelli, A., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Miranda CR, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Miranda CR, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Artigo de periodico
Unravelling the reaction mechanism of matrix metalloproteinase 3 using QM/MM calculations (2015)
Feliciano, Gustavo Troiano; Silva, Antonio Jose Roque
Source: JOURNAL OF MOLECULAR STRUCTURE. Unidade: IF
Subjects: MATRIZES, SIMULAÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FELICIANO, Gustavo Troiano e SILVA, Antonio Jose Roque. Unravelling the reaction mechanism of matrix metalloproteinase 3 using QM/MM calculations. JOURNAL OF MOLECULAR STRUCTURE, v. 1091, p. 125-132, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.molstruc.2015.02.079. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Feliciano, G. T., & Silva, A. J. R. (2015). Unravelling the reaction mechanism of matrix metalloproteinase 3 using QM/MM calculations. JOURNAL OF MOLECULAR STRUCTURE, 1091, 125-132. doi:10.1016/j.molstruc.2015.02.079
NLM
Feliciano GT, Silva AJR. Unravelling the reaction mechanism of matrix metalloproteinase 3 using QM/MM calculations [Internet]. JOURNAL OF MOLECULAR STRUCTURE. 2015 ; 1091 125-132.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.molstruc.2015.02.079
Vancouver
Feliciano GT, Silva AJR. Unravelling the reaction mechanism of matrix metalloproteinase 3 using QM/MM calculations [Internet]. JOURNAL OF MOLECULAR STRUCTURE. 2015 ; 1091 125-132.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.molstruc.2015.02.079
Artigo de periodico
Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene (2017)
Padilha, J. E.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto; Silva, Antônio José Roque da
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PADILHA, J. E. et al. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene. PHYSICAL REVIEW B, v. 95, n. 19, p. 195143, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Padilha, J. E., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2017). Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene. PHYSICAL REVIEW B, 95( 19), 195143. doi:10.1103/PhysRevB.95.195143
NLM
Padilha JE, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2017 ; 95( 19): 195143.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143
Vancouver
Padilha JE, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2017 ; 95( 19): 195143.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143
Artigo de periodico
Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs (2001)
Silva, Antonio Jose Roque da; Dalpian, G M; Janotti, A; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA, DINÂMICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs. Physical Review Letters, v. 87, n. 3, p. 6104/1-6104/4, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Dalpian, G. M., Janotti, A., & Fazzio, A. (2001). Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs. Physical Review Letters, 87( 3), 6104/1-6104/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips
NLM
Silva AJR da, Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A. Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 87( 3): 6104/1-6104/4.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips
Vancouver
Silva AJR da, Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A. Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 87( 3): 6104/1-6104/4.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching (2015)
Pontes, Renato Borges; Torres, Alberto; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PONTES, Renato Borges et al. Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0129-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Pontes, R. B., Torres, A., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2015). Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0129-1.pdf
NLM
Pontes RB, Torres A, Silva AJR da, Fazzio A. Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching [Internet]. Resumo. 2015 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0129-1.pdf
Vancouver
Pontes RB, Torres A, Silva AJR da, Fazzio A. Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching [Internet]. Resumo. 2015 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0129-1.pdf
Artigo de periodico
Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching (2015)
Torres, Alberto Martins; Pontes, Renato B.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. Unidade: IF
Subjects: TERMOELETRICIDADE, CONDUÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TORRES, Alberto Martins et al. Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, v. 17, n. ja 2015, p. 5386-5392, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/c4cp04635h. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Torres, A. M., Pontes, R. B., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2015). Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 17( ja 2015), 5386-5392. doi:10.1039/c4cp04635h
NLM
Torres AM, Pontes RB, Silva AJR da, Fazzio A. Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching [Internet]. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. 2015 ; 17( ja 2015): 5386-5392.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1039/c4cp04635h
Vancouver
Torres AM, Pontes RB, Silva AJR da, Fazzio A. Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching [Internet]. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. 2015 ; 17( ja 2015): 5386-5392.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1039/c4cp04635h
Trabalho de evento-resumo periodico
Triangular lattices of transition metals adsorbed on graphene (2014)
Lima, Matheus P.; Acosta, Carlos M.; Miwa, Roberto H.; Renosto, Sergio Tuan; Lima, Bruno Sanches de; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: APS March Meeting. Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Matheus P. et al. Triangular lattices of transition metals adsorbed on graphene. Bulletin of the American Physical Society. College Park.: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 19 abr. 2024. , 2014
APA
Lima, M. P., Acosta, C. M., Miwa, R. H., Renosto, S. T., Lima, B. S. de, Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2014). Triangular lattices of transition metals adsorbed on graphene. Bulletin of the American Physical Society. College Park.: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Lima MP, Acosta CM, Miwa RH, Renosto ST, Lima BS de, Silva AJR da, Fazzio A. Triangular lattices of transition metals adsorbed on graphene. Bulletin of the American Physical Society. 2014 ;( 1):[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Lima MP, Acosta CM, Miwa RH, Renosto ST, Lima BS de, Silva AJR da, Fazzio A. Triangular lattices of transition metals adsorbed on graphene. Bulletin of the American Physical Society. 2014 ;( 1):[citado 2024 abr. 19 ]
Artigo de periodico
Transport properties of single vacancies in nanotubes (2008)
Rocha, A R; Padilha, J E; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: NANOPARTÍCULAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROCHA, A R et al. Transport properties of single vacancies in nanotubes. Physical Review B, v. 77, n. 15, p. 153406/1-153406/4, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.153406. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Rocha, A. R., Padilha, J. E., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2008). Transport properties of single vacancies in nanotubes. Physical Review B, 77( 15), 153406/1-153406/4. doi:10.1103/physrevb.77.153406
NLM
Rocha AR, Padilha JE, Fazzio A, Silva AJR da. Transport properties of single vacancies in nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 77( 15): 153406/1-153406/4.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.153406
Vancouver
Rocha AR, Padilha JE, Fazzio A, Silva AJR da. Transport properties of single vacancies in nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 77( 15): 153406/1-153406/4.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.153406
Relatorio tecnico
Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations (2020)
Acosta, Carlos Mera; Lima, Matheus P.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, TOPOLOGIA EM COMPUTAÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ACOSTA, Carlos Mera et al. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024. , 2020
APA
Acosta, C. M., Lima, M. P., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf
NLM
Acosta CM, Lima MP, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf
Vancouver
Acosta CM, Lima MP, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf
Relatorio tecnico
Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations (2014)
Acosta, Carlos Augusto Mera; Lima, Matheus Paes; Miwa, R. H.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Subjects: SPIN, TOPOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ACOSTA, Carlos Augusto Mera et al. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/pdf/1401.5809v2.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024. , 2014
APA
Acosta, C. A. M., Lima, M. P., Miwa, R. H., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2014). Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/pdf/1401.5809v2.pdf
NLM
Acosta CAM, Lima MP, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations [Internet]. 2014 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1401.5809v2.pdf
Vancouver
Acosta CAM, Lima MP, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations [Internet]. 2014 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1401.5809v2.pdf
Artigo de periodico
Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: Ab initio calculation (2014)
Mera Acosta, Carlos Augusto ; Miwa, R. H.; Lima, Matheus P ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: TOPOLOGIA, SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MERA ACOSTA, Carlos Augusto et al. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: Ab initio calculation. PHYSICAL REVIEW B, v. 89, n. 15, p. 155438, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.89.155438. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Mera Acosta, C. A., Miwa, R. H., Lima, M. P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2014). Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: Ab initio calculation. PHYSICAL REVIEW B, 89( 15), 155438. doi:10.1103/PhysRevB.89.155438
NLM
Mera Acosta CA, Miwa RH, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: Ab initio calculation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2014 ; 89( 15): 155438.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.89.155438
Vancouver
Mera Acosta CA, Miwa RH, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: Ab initio calculation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2014 ; 89( 15): 155438.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.89.155438
Artigo de periodico
Tight-binding model for carbon nanotubes from ab initio calculations (2010)
Correa, J D; Silva, Antonio Jose Roque da ; Pacheco, M
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOPARTÍCULAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CORREA, J D e SILVA, Antonio Jose Roque da e PACHECO, M. Tight-binding model for carbon nanotubes from ab initio calculations. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 22, n. 27, p. 275503/1-275503/8, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/22/27/275503. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Correa, J. D., Silva, A. J. R. da, & Pacheco, M. (2010). Tight-binding model for carbon nanotubes from ab initio calculations. Journal of Physics-Condensed Matter, 22( 27), 275503/1-275503/8. doi:https://doi.org/10.1088/0953-8984/22/27/275503
NLM
Correa JD, Silva AJR da, Pacheco M. Tight-binding model for carbon nanotubes from ab initio calculations [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2010 ; 22( 27): 275503/1-275503/8.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/22/27/275503
Vancouver
Correa JD, Silva AJR da, Pacheco M. Tight-binding model for carbon nanotubes from ab initio calculations [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2010 ; 22( 27): 275503/1-275503/8.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/22/27/275503

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