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Artigo de periodico
p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures (1998)
Rosa, A L; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ROSA, A L et al. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B, v. 58, n. 23, p. 15675-15687, 1998Tradução . . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Sipahi, G. M., & Leite, J. R. (1998). p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B, 58( 23), 15675-15687.
NLM
Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B. 1998 ; 58( 23): 15675-15687.[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B. 1998 ; 58( 23): 15675-15687.[citado 2024 abr. 24 ]
Artigo de periodico-carta/editorial
Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] (2005)
Silva Junior, E. F. da; Henini, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Microelectronics Journal. Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS
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ABNT
SILVA JUNIOR, E. F. da et al. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial]. Microelectronics Journal. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 24 abr. 2024. , 2005
APA
Silva Junior, E. F. da, Henini, M., Scolfaro, L. M. R., & Sipahi, G. M. (2005). Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial]. Microelectronics Journal. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Silva Junior EF da, Henini M, Scolfaro LMR, Sipahi GM. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 939.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Silva Junior EF da, Henini M, Scolfaro LMR, Sipahi GM. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 939.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Artigo de periodico
White ligth emission from 'rô'-doped quartenary (AlInGa)N-based superlattices: theoretical calculations for the cubic phase (2007)
Rodrigues, S. C. P.; D'Eurydice, Marcel Nogueira; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva Júnior, Eronides Felisberto da
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: EMISSÃO DA LUZ, ESPECTROS, LUMINESCÊNCIA, ABSORÇÃO
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. White ligth emission from 'rô'-doped quartenary (AlInGa)N-based superlattices: theoretical calculations for the cubic phase. Journal of Applied Physics, v. 101, n. Ju 2007, p. 113706-1-113706-6, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2737968. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., D'Eurydice, M. N., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Júnior, E. F. da. (2007). White ligth emission from 'rô'-doped quartenary (AlInGa)N-based superlattices: theoretical calculations for the cubic phase. Journal of Applied Physics, 101( Ju 2007), 113706-1-113706-6. doi:10.1063/1.2737968
NLM
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Júnior EF da. White ligth emission from 'rô'-doped quartenary (AlInGa)N-based superlattices: theoretical calculations for the cubic phase [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( Ju 2007): 113706-1-113706-6.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2737968
Vancouver
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Júnior EF da. White ligth emission from 'rô'-doped quartenary (AlInGa)N-based superlattices: theoretical calculations for the cubic phase [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( Ju 2007): 113706-1-113706-6.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2737968
Artigo de periodico
Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302, p. 106-113, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, 302, 106-113. doi:10.1016/s0921-4526(01)00413-6
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Trabalho de evento-resumo
Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers (2004)
Lima, Ivan C. da Cunha; Rodrigues, Sara C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat-3. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
LIMA, Ivan C. da Cunha et al. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. 2004, Anais.. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Lima, I. C. da C., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. In Resumos. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices (1999)
Rodrigues, S. C. P.; Beliaev, Dmitri; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Beliaev, D., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (1999). Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Rodrigues SCP, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Artigo de periodico
Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices (2000)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices. Applied Physics Letters, v. 76, n. 8, p. 1015-1017, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.125924. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (2000). Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices. Applied Physics Letters, 76( 8), 1015-1017. doi:10.1063/1.125924
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 8): 1015-1017.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125924
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 8): 1015-1017.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125924
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study (1999)
Castineira, Jose Luis Petricelli; Leite, J. R.; Ramos, L. E.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASTINEIRA, Jose Luis Petricelli et al. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Ramos, L. E., & Scolfaro, L. M. R. (1999). Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Ramos LE, Scolfaro LMR. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Ramos LE, Scolfaro LMR. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento
Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c (1996)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D; Lischka, K
Source: Anais. Conference titles: International Conference on the Phisics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., Schikora, D., & Lischka, K. (1996). Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. Anais. 1996 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. Anais. 1996 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates (1996)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., & Schikora, D. (1996). Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D. Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D. Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Artigo de periodico
Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs (1998)
Sipahi, Guilherme Matos; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Silva, E C F da; Levine, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B, v. 57, n. 15, p. 9168-9178, 1998Tradução . . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Silva, E. C. F. da, & Levine, A. (1998). Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B, 57( 15), 9168-9178.
NLM
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva ECF da, Levine A. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B. 1998 ; 57( 15): 9168-9178.[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva ECF da, Levine A. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B. 1998 ; 57( 15): 9168-9178.[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Theory of hole confinement in delta-doping structures (1994)
Sipahi, Guilherme Matos; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Theory of hole confinement in delta-doping structures. 1994, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1994). Theory of hole confinement in delta-doping structures. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Theory of hole confinement in delta-doping structures. Resumos. 1994 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Theory of hole confinement in delta-doping structures. Resumos. 1994 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Artigo de periodico
Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys (2002)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, H W L; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, v. 93, n. 1-3, p. p 2-5, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, H. W. L., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, 93( 1-3), p 2-5. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Artigo de periodico
Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers (2004)
Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Teles, L. K., Ferreira, L. G., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers. Physical Review B. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
NLM
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
Vancouver
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain (2007)
Ribeiro Junior, M; Marques, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO, MATERIAIS MAGNÉTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIBEIRO JUNIOR, M et al. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 24 abr. 2024. , 2007
APA
Ribeiro Junior, M., Marques, M., Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2007). Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Ribeiro Junior M, Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1227-1228.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Ribeiro Junior M, Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1227-1228.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal
Trabalho de evento-resumo
Theoretical studies of thermodynamics, electronic and structural properties of zinc-blende 'Al IND.1-X' 'In IND.X' N alloys (2002)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Furthmüller, Jurgen; Bechstedt, Friedhelm
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Theoretical studies of thermodynamics, electronic and structural properties of zinc-blende 'Al IND.1-X' 'In IND.X' N alloys. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmüller, J., & Bechstedt, F. (2002). Theoretical studies of thermodynamics, electronic and structural properties of zinc-blende 'Al IND.1-X' 'In IND.X' N alloys. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmüller J, Bechstedt F. Theoretical studies of thermodynamics, electronic and structural properties of zinc-blende 'Al IND.1-X' 'In IND.X' N alloys. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmüller J, Bechstedt F. Theoretical studies of thermodynamics, electronic and structural properties of zinc-blende 'Al IND.1-X' 'In IND.X' N alloys. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Artigo de periodico
Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN (2006)
Marques, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Teles, L. K.; Furthmüller, Jurgen; Bechstedt, F; Ferreira, L G
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, v. 88, n. 2, p. 022507-1/022507-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2162802. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Marques, M., Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Ferreira, L. G. (2006). Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, 88( 2), 022507-1/022507-3. doi:10.1063/1.2162802
NLM
Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802
Vancouver
Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802
Trabalho de evento-resumo
Theoretical luminescence spectra determination in GaAsN/GaAs quantum wells (2002)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, Jose Roberto
Source: Programa e resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidades: IFSC, IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Theoretical luminescence spectra determination in GaAsN/GaAs quantum wells. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Theoretical luminescence spectra determination in GaAsN/GaAs quantum wells. In Programa e resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical luminescence spectra determination in GaAsN/GaAs quantum wells. Programa e resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical luminescence spectra determination in GaAsN/GaAs quantum wells. Programa e resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Artigo de periodico
Theoretical investigation of differential photoreflectance spectra from planar-doped layers in semiconductors (1994)
Beliaev, D; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELIAEV, D e SCOLFARO, L M R e LEITE, J. R. Theoretical investigation of differential photoreflectance spectra from planar-doped layers in semiconductors. Brazilian Journal of Physics, v. 24, n. 1 , p. 270-3, 1994Tradução . . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Beliaev, D., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1994). Theoretical investigation of differential photoreflectance spectra from planar-doped layers in semiconductors. Brazilian Journal of Physics, 24( 1 ), 270-3.
NLM
Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical investigation of differential photoreflectance spectra from planar-doped layers in semiconductors. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 270-3.[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical investigation of differential photoreflectance spectra from planar-doped layers in semiconductors. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 270-3.[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
The influence of relativistic effects on the HfO$_{2}$ band structures (2005)
Garcia, Joelson Cott; Lino, A T; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Freire, V N; Farias, G A; Silva Junior, E F
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. The influence of relativistic effects on the HfO$_{2}$ band structures. 2005, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1400-2.pdf. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Garcia, J. C., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., Freire, V. N., Farias, G. A., & Silva Junior, E. F. (2005). The influence of relativistic effects on the HfO$_{2}$ band structures. In Resumos. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1400-2.pdf
NLM
Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF. The influence of relativistic effects on the HfO$_{2}$ band structures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1400-2.pdf
Vancouver
Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF. The influence of relativistic effects on the HfO$_{2}$ band structures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1400-2.pdf

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