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  • Source: Microelectronic Engineering. Unidade: IF

    Subjects: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      RAHIM, Abdur; GUSEV, G M; KVONC, Z D; et al. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators. Microelectronic Engineering, Amsterdam, Elsevier Science, v. 206, p. 55-59, 2019. Disponível em: < https://doi.org/10.1016/j.mee.2018.12.011 > DOI: 10.1016/j.mee.2018.12.011.
    • APA

      Rahim, A., Gusev, G. M., Kvonc, Z. D., Olshanetsky, E. B., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2019). Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators. Microelectronic Engineering, 206, 55-59. doi:10.1016/j.mee.2018.12.011
    • NLM

      Rahim A, Gusev GM, Kvonc ZD, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators [Internet]. Microelectronic Engineering. 2019 ; 206 55-59.Available from: https://doi.org/10.1016/j.mee.2018.12.011
    • Vancouver

      Rahim A, Gusev GM, Kvonc ZD, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators [Internet]. Microelectronic Engineering. 2019 ; 206 55-59.Available from: https://doi.org/10.1016/j.mee.2018.12.011
  • Source: Microelectronic Engineering. Unidade: IF

    Assunto: BAIXA TEMPERATURA

    DOIHow to cite
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    • ABNT

      RAHIM, Abdur; GUSEV, G M; KVON, Z D; et al. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators. Microelectronic Engineering, Amsterdan, Elsevier, v. 206, p. 55-59, 2019. DOI: 10.1016/j.mee.2018.12.011.
    • APA

      Rahim, A., Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2019). Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators. Microelectronic Engineering, 206, 55-59. doi:10.1016/j.mee.2018.12.011
    • NLM

      Rahim A, Gusev GM, Kvon ZD, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators. Microelectronic Engineering. 2019 ;206 55-59.
    • Vancouver

      Rahim A, Gusev GM, Kvon ZD, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators. Microelectronic Engineering. 2019 ;206 55-59.
  • Unidade: IF

    Subjects: EFEITO HALL, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      RAHIM, Abdur; GUSEV, Guennadii Michailovich. Efeito Hall de spin em nanoestruturas semicondutoras. 2015.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2015. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-12072015-080251/pt-br.php >.
    • APA

      Rahim, A., & Gusev, G. M. (2015). Efeito Hall de spin em nanoestruturas semicondutoras. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-12072015-080251/pt-br.php
    • NLM

      Rahim A, Gusev GM. Efeito Hall de spin em nanoestruturas semicondutoras [Internet]. 2015 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-12072015-080251/pt-br.php
    • Vancouver

      Rahim A, Gusev GM. Efeito Hall de spin em nanoestruturas semicondutoras [Internet]. 2015 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-12072015-080251/pt-br.php

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