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  • Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESPALHAMENTO

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    • ABNT

      PACHECO-SALAZAR, D G et al. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, v. 21, n. 7, p. 846-851, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003. Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Pacheco-Salazar, D. G., Leite, J. R., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Li, S. F., As, D. J., & Lischka, K. (2006). Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, 21( 7), 846-851. doi:10.1088/0268-1242/21/7/003
    • NLM

      Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003
    • Vancouver

      Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, IQ

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, FEIXES

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    • ABNT

      LOPES, K. C. et al. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf. Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Lopes, K. C., Matsuoka, M., Sucasaire, W., Mittani, J. C. R., Avanci, L. H., Chubaci, J. F. D., et al. (2005). Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
    • NLM

      Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Salvadori MCBS, Leite JR, Sant'Ana AC de, Temperini MLA, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
    • Vancouver

      Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Salvadori MCBS, Leite JR, Sant'Ana AC de, Temperini MLA, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
  • Source: Journal of Superconductivity. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, CAMPO MAGNÉTICO

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    • ABNT

      LIMA, Ivan Costa da Cunha e GUSEV, Guennadii Michailovich e LEITE, J. R. Spin polarization by tilted magnetic field in wide "Ga IND.1-x" "Al IND.x" As parabolic quantum wells. Journal of Superconductivity, v. 18. n. 2, p. 169-173, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.springerlink.com/media/GAF8JB47ET2XPLEEAL5X/Contributions/W/1/3/6/W1360712G254U6K1.pdf. Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Lima, I. C. da C., Gusev, G. M., & Leite, J. R. (2005). Spin polarization by tilted magnetic field in wide "Ga IND.1-x" "Al IND.x" As parabolic quantum wells. Journal of Superconductivity, 18. n. 2, 169-173. Recuperado de http://www.springerlink.com/media/GAF8JB47ET2XPLEEAL5X/Contributions/W/1/3/6/W1360712G254U6K1.pdf
    • NLM

      Lima IC da C, Gusev GM, Leite JR. Spin polarization by tilted magnetic field in wide "Ga IND.1-x" "Al IND.x" As parabolic quantum wells [Internet]. Journal of Superconductivity. 2005 ; 18. n. 2 169-173.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://www.springerlink.com/media/GAF8JB47ET2XPLEEAL5X/Contributions/W/1/3/6/W1360712G254U6K1.pdf
    • Vancouver

      Lima IC da C, Gusev GM, Leite JR. Spin polarization by tilted magnetic field in wide "Ga IND.1-x" "Al IND.x" As parabolic quantum wells [Internet]. Journal of Superconductivity. 2005 ; 18. n. 2 169-173.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://www.springerlink.com/media/GAF8JB47ET2XPLEEAL5X/Contributions/W/1/3/6/W1360712G254U6K1.pdf
  • Source: Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Unidade: IF

    Subjects: MAGNETISMO, MATERIAIS MAGNÉTICOS, MATÉRIA CONDENSADA, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      PAIVA, R de et al. Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, v. 288, n. 384-396, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0. Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2005). Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 288( 384-396). Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0
    • NLM

      Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study [Internet]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2005 ; 288( 384-396):[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0
    • Vancouver

      Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study [Internet]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2005 ; 288( 384-396):[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0
  • Source: Physics Status Solidi C. Unidade: IF

    Assunto: ESTADO SÓLIDO

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    • ABNT

      MARQUES, M et al. Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys. Physics Status Solidi C, v. 2, n. 7, p. 2508-2511, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200461516. Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2005). Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys. Physics Status Solidi C, 2( 7), 2508-2511. doi:10.1002/pssc.200461516
    • NLM

      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys [Internet]. Physics Status Solidi C. 2005 ; 2( 7): 2508-2511.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200461516
    • Vancouver

      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys [Internet]. Physics Status Solidi C. 2005 ; 2( 7): 2508-2511.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200461516
  • Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, MAGNETISMO, POLARIZAÇÃO

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SIPAHI, Guilherme Matos et al. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1994119. Acesso em: 27 fev. 2024. , 2005
    • APA

      Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, I. C. da C., & Leite, J. R. (2005). Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. doi:10.1063/1.1994119
    • NLM

      Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C, Leite JR. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2005 ; 772( 1): 323-324.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1994119
    • Vancouver

      Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C, Leite JR. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2005 ; 772( 1): 323-324.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1994119
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      CAETANO, Eweron Wagner Santos et al. Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0428-1.pdf. Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Caetano, E. W. S., Freire, V. N., Farias, G. de A., Pinheiro, J. R., Cavada, B. S., Leite, J. R., & Alves, H. W. L. (2005). Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0428-1.pdf
    • NLM

      Caetano EWS, Freire VN, Farias G de A, Pinheiro JR, Cavada BS, Leite JR, Alves HWL. Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0428-1.pdf
    • Vancouver

      Caetano EWS, Freire VN, Farias G de A, Pinheiro JR, Cavada BS, Leite JR, Alves HWL. Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0428-1.pdf
  • Source: Thin Solid Films. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, EFEITO HALL, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

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    • ABNT

      LAMAS, T. E. et al. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1-2, p. 25-30, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004. Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Lamas, T. E., Quivy, A. A., Martini, S., Silva, M. J. da, & Leite, J. R. (2005). Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, 474( 1-2), 25-30. doi:10.1016/j.tsf.2004.08.004
    • NLM

      Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
    • Vancouver

      Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
  • Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      SILVA, M J da et al. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region. Journal of Crystal Growth, v. 278, p. 103-107, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118. Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Silva, M. J. da, Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2005). Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region. Journal of Crystal Growth, 278, 103-107. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118
    • NLM

      Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 278 103-107.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118
    • Vancouver

      Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 278 103-107.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118
  • Source: Journal of Superconductivity. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      LIMA, Ivan Costa da Cunha et al. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Journal of Superconductivity, v. 18. n. 1, p. 61-67, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf. Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Lima, I. C. da C., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2005). Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Journal of Superconductivity, 18. n. 1, 61-67. Recuperado de http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
    • NLM

      Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures [Internet]. Journal of Superconductivity. 2005 ; 18. n. 1 61-67.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
    • Vancouver

      Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures [Internet]. Journal of Superconductivity. 2005 ; 18. n. 1 61-67.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
  • Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF

    Subjects: CRISTALOGRAFIA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PACHECO-SALAZAR, D G et al. Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, v. 284, n. 3-4, p. 379-387, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20. Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Pacheco-Salazar, D. G., Li, S. F., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., et al. (2005). Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, 284( 3-4), 379-387. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
    • NLM

      Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
    • Vancouver

      Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ANJOS, V et al. DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0528-2.pdf. Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Anjos, V., Leão, S. A., Souza, M. A. R., & Leite, J. R. (2005). DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0528-2.pdf
    • NLM

      Anjos V, Leão SA, Souza MAR, Leite JR. DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0528-2.pdf
    • Vancouver

      Anjos V, Leão SA, Souza MAR, Leite JR. DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0528-2.pdf
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, EFEITO HALL

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    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, v. 71, n. 16, p. 165311/1-165311/8, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311. Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Gusev, G. M., Duarte, C. A., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Bakarov, A. K., & Toropov, A. I. (2005). Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, 71( 16), 165311/1-165311/8. doi:10.1103/physrevb.71.165311
    • NLM

      Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311
    • Vancouver

      Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311
  • Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CRISTALOGRAFIA, FEIXES, CRESCIMENTO DE CRISTAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      LEITE, J. R. e SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate. Journal of Crystal Growth, v. 284, n. 3-4, p. 379-387, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049. Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2005). Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate. Journal of Crystal Growth, 284( 3-4), 379-387. doi:10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049
    • NLM

      Leite JR, Scolfaro LMR. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049
    • Vancouver

      Leite JR, Scolfaro LMR. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049
  • Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Semiconductors - PASPS. Unidades: IF, IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO

    How to cite
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    • ABNT

      LIMA, Ivan C. da Cunha et al. Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. 2004, Anais.. Santa Barbara: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Lima, I. C. da C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (2004). Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. In Abstracts. Santa Barbara: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
    • NLM

      Lima IC da C, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 fev. 27 ]
    • Vancouver

      Lima IC da C, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 fev. 27 ]
  • Source: Program and Abstracts. Conference titles: The Internacional Conference on Superlattices, Nano-structures and Nano-devices - ICSNN. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO

    How to cite
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    • ABNT

      SIPAHI, Guilherme Matos et al. Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices. 2004, Anais.. Cancún: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Lima, I. C. C. (2004). Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices. In Program and Abstracts. Cancún: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
    • NLM

      Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC. Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices. Program and Abstracts. 2004 ;[citado 2024 fev. 27 ]
    • Vancouver

      Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC. Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices. Program and Abstracts. 2004 ;[citado 2024 fev. 27 ]
  • Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      RODRÍGUEZ COPPOLA, H et al. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005. Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Rodríguez Coppola, H., Tutor Sánchez, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & García Moliner, F. (2004). The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal. doi:10.1016/j.mejo.2003.10.005
    • NLM

      Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
    • Vancouver

      Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SOTOMAYOR, N M e GUSEV, Guennadii Michailovich e LEITE, J. R. Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400028. Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Sotomayor, N. M., Gusev, G. M., & Leite, J. R. (2004). Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400028
    • NLM

      Sotomayor NM, Gusev GM, Leite JR. Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400028
    • Vancouver

      Sotomayor NM, Gusev GM, Leite JR. Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 fev. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400028
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      RODRIGUES, S C P et al. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips. Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lima, I. C. C., Sipahi, G. M., & Boselli, M. A. (2004). Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers. Physical Review B. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
    • NLM

      Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC, Sipahi GM, Boselli MA. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
    • Vancouver

      Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC, Sipahi GM, Boselli MA. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, BIOFÍSICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ALVES, H W Leite et al. Ab initio calculations of the electronic structure and single excitations of 'alfa'-glycine, L-alanine, and L-asparagine. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-6.pdf. Acesso em: 27 fev. 2024.
    • APA

      Alves, H. W. L., Caetano, E. W. S., Flores, M. Z. S., Pinheiro, J. R., Freire, V. N., Lamy, M. T. M., et al. (2004). Ab initio calculations of the electronic structure and single excitations of 'alfa'-glycine, L-alanine, and L-asparagine. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-6.pdf
    • NLM

      Alves HWL, Caetano EWS, Flores MZS, Pinheiro JR, Freire VN, Lamy MTM, Bezerra GA, Cavada BS, Fernandez JRL, Leite JR, Oliveira MCF de, Pinheiro JA, Lima Filho JL de. Ab initio calculations of the electronic structure and single excitations of 'alfa'-glycine, L-alanine, and L-asparagine [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-6.pdf
    • Vancouver

      Alves HWL, Caetano EWS, Flores MZS, Pinheiro JR, Freire VN, Lamy MTM, Bezerra GA, Cavada BS, Fernandez JRL, Leite JR, Oliveira MCF de, Pinheiro JA, Lima Filho JL de. Ab initio calculations of the electronic structure and single excitations of 'alfa'-glycine, L-alanine, and L-asparagine [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 fev. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-6.pdf

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