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  • Conference titles: Brazilian School of Semiconductors Physics. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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      LINO, A T; LEITE, J. R.; ASSALI, L. V. C.; GOMES, V M S. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. Anais.. Singapure: World Scientific, 1990.
    • APA

      Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1990). Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. In . Singapure: World Scientific.
    • NLM

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990 ;
    • Vancouver

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990 ;
  • Conference titles: Brazilian School of Semiconductors Physics. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      LEITE, J. R.; GOMES, V M S. Optical transitions in undoped quantum wells under in-plane magnetic fields. Anais.. Singapure: World Scientific, 1990.
    • APA

      Leite, J. R., & Gomes, V. M. S. (1990). Optical transitions in undoped quantum wells under in-plane magnetic fields. In . Singapure: World Scientific.
    • NLM

      Leite JR, Gomes VMS. Optical transitions in undoped quantum wells under in-plane magnetic fields. 1990 ;
    • Vancouver

      Leite JR, Gomes VMS. Optical transitions in undoped quantum wells under in-plane magnetic fields. 1990 ;
  • Conference titles: Brazilian School of Semiconductors Physics. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      CASTINEIRA, J L P; LEITE, J. R.; GOMES, V M S. Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium. Anais.. Singapure: World Scientific, 1990.
    • APA

      Castineira, J. L. P., Leite, J. R., & Gomes, V. M. S. (1990). Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium. In . Singapure: World Scientific.
    • NLM

      Castineira JLP, Leite JR, Gomes VMS. Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium. 1990 ;
    • Vancouver

      Castineira JLP, Leite JR, Gomes VMS. Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium. 1990 ;
  • Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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      GOMES, V M S; OLIVEIRA, G M G; LEITE, J. R.; CHAVES, A S. Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures, London, v. 6 , n. 1 , p. 47-50, 1989.
    • APA

      Gomes, V. M. S., Oliveira, G. M. G., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1989). Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures, 6 ( 1 ), 47-50.
    • NLM

      Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures. 1989 ;6 ( 1 ): 47-50.
    • Vancouver

      Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures. 1989 ;6 ( 1 ): 47-50.
  • Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

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    • ABNT

      LINO, A T; LEITE, J. R.; ASSALI, L. V. C.; GOMES, V M S. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989.
    • APA

      Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1989). Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
    • NLM

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1989 ;
    • Vancouver

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1989 ;
  • Source: Materials Science Forum. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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      GOMES, V M S; PINTANEL, R; SCOLFARO, L M R; MENESES, E A. Group-iv impurity related centers in 'GA''AS'. Materials Science Forum[S.l.], v. 38-41, p. 833, 1989.
    • APA

      Gomes, V. M. S., Pintanel, R., Scolfaro, L. M. R., & Meneses, E. A. (1989). Group-iv impurity related centers in 'GA''AS'. Materials Science Forum, 38-41, 833.
    • NLM

      Gomes VMS, Pintanel R, Scolfaro LMR, Meneses EA. Group-iv impurity related centers in 'GA''AS'. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 833.
    • Vancouver

      Gomes VMS, Pintanel R, Scolfaro LMR, Meneses EA. Group-iv impurity related centers in 'GA''AS'. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 833.
  • Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

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      CASTINEIRA, J L P; GOMES, V M S; LEITE, J. R. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989.
    • APA

      Castineira, J. L. P., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1989). Estrutura eletronica de impurezas em germanio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
    • NLM

      Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Programa e Resumos. 1989 ;
    • Vancouver

      Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Programa e Resumos. 1989 ;
  • Source: Institute of Physics Conference Series. Unidade: IF

    Assunto: SILÍCIO

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      ASSALI, L. V. C.; GOMES, V M S; LEITE, J. R.; CHACHAM, H; ALVES, J L A. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series, London, v. 95, p. 453, 1989.
    • APA

      Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., Chacham, H., & Alves, J. L. A. (1989). Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series, 95, 453.
    • NLM

      Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR, Chacham H, Alves JLA. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series. 1989 ;95 453.
    • Vancouver

      Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR, Chacham H, Alves JLA. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series. 1989 ;95 453.
  • Source: International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      LINO, A T; LEITE, J. R.; ASSALI, L. V. C.; GOMES, V M S. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium[S.l.], v. 23, p. 701, 1989.
    • APA

      Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1989). Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, 23, 701.
    • NLM

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 701.
    • Vancouver

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 701.
  • Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

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    • ABNT

      LINO, A T; ASSALI, L. V. C.; GOMES, V M S; LEITE, J. R. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988.
    • APA

      Lino, A. T., Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1988). Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
    • NLM

      Lino AT, Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;
    • Vancouver

      Lino AT, Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;
  • Source: Fisica Y Tecnologia de Semicondutores. Unidade: IF

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    • ABNT

      GOMES, V M S; OLIVEIRA, G M G; LEITE, J. R.; CHAVES, A S. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores[S.l.], v. 3 , p. 50-64, 1988.
    • APA

      Gomes, V. M. S., Oliveira, G. M. G., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1988). Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores, 3 , 50-64.
    • NLM

      Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores. 1988 ;3 50-64.
    • Vancouver

      Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores. 1988 ;3 50-64.
  • Source: Actas. Conference titles: Simposio Chileno de Fisica. Unidade: IF

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    • ABNT

      PINTANEL, R; SCOLFARO, L M R; GOMES, V M S; LEITE, J. R.; MENESES, E A. Centros relacionados com impurezas del grupo iv en 'GA''AS'. Anais.. Santiago: [s.n.], 1988.
    • APA

      Pintanel, R., Scolfaro, L. M. R., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., & Meneses, E. A. (1988). Centros relacionados com impurezas del grupo iv en 'GA''AS'. In Actas. Santiago.
    • NLM

      Pintanel R, Scolfaro LMR, Gomes VMS, Leite JR, Meneses EA. Centros relacionados com impurezas del grupo iv en 'GA''AS'. Actas. 1988 ;
    • Vancouver

      Pintanel R, Scolfaro LMR, Gomes VMS, Leite JR, Meneses EA. Centros relacionados com impurezas del grupo iv en 'GA''AS'. Actas. 1988 ;
  • Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

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    • ABNT

      GOMES, V M S; ASSALI, L. V. C.; LEITE, J. R. Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio. Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988.
    • APA

      Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1988). Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
    • NLM

      Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;
    • Vancouver

      Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;
  • Source: Lec Notes in Phys. Unidade: IF

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    • ABNT

      LEITE, J. R.; ASSALI, L. V. C.; GOMES, V M S. Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys[S.l.], v. 301, p. 75-94, 1988. DOI: 10.1007/bfb0034418.
    • APA

      Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1988). Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys, 301, 75-94. doi:10.1007/bfb0034418
    • NLM

      Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94.
    • Vancouver

      Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94.
  • Source: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF

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    • ABNT

      OLIVEIRA, G M G; GOMES, V M S; LEITE, J. R.; CHAVES, A S. Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields. In: Current Topics on Semiconductor Physics[S.l: s.n.], 1988.
    • APA

      Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1988). Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
    • NLM

      Oliveira GMG, Gomes VMS, Leite JR, Chaves AS. Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988.
    • Vancouver

      Oliveira GMG, Gomes VMS, Leite JR, Chaves AS. Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988.
  • Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF

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    • ABNT

      CASTINEIRA, J L P; GOMES, V M S; LEITE, J. R. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura[S.l: s.n.], 1988.
    • APA

      Castineira, J. L. P., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1988). Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura.
    • NLM

      Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. 1988 ;40( 7 supl.): 350.
    • Vancouver

      Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. 1988 ;40( 7 supl.): 350.
  • Source: Lectures Notes in Physics. Unidade: IF

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    • ABNT

      LEITE, J. R.; ASSALI, L. V. C.; GOMES, V M S. Electronic structure of complex defects in silicon. Lectures Notes in Physics[S.l.], v. 287, p. 33-53, 1987. DOI: 10.1007/bfb0034418.
    • APA

      Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1987). Electronic structure of complex defects in silicon. Lectures Notes in Physics, 287, 33-53. doi:10.1007/bfb0034418
    • NLM

      Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon. Lectures Notes in Physics. 1987 ;287 33-53.
    • Vancouver

      Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon. Lectures Notes in Physics. 1987 ;287 33-53.
  • Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF

    Assunto: CAMPO MAGNÉTICO

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    • ABNT

      CHAVES, A S; OLIVEIRA, G M G; GOMES, V M S; LEITE, J. R. Effect of in-plane magnetic fields on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures. Superlattices and Microstructures[S.l.], v. 3 , n. 3 , p. 231-4, 1987.
    • APA

      Chaves, A. S., Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1987). Effect of in-plane magnetic fields on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures. Superlattices and Microstructures, 3 ( 3 ), 231-4.
    • NLM

      Chaves AS, Oliveira GMG, Gomes VMS, Leite JR. Effect of in-plane magnetic fields on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures. Superlattices and Microstructures. 1987 ;3 ( 3 ): 231-4.
    • Vancouver

      Chaves AS, Oliveira GMG, Gomes VMS, Leite JR. Effect of in-plane magnetic fields on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures. Superlattices and Microstructures. 1987 ;3 ( 3 ): 231-4.
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: CAMPO MAGNÉTICO

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    • ABNT

      OLIVEIRA, G M G; GOMES, V M S; CHAVES, A S; LEITE, J. R.; WORLOCK, J M. Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields. Physical Review B[S.l.], v. 35, n. 6 , p. 2896-903, 1987.
    • APA

      Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1987). Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields. Physical Review B, 35( 6 ), 2896-903.
    • NLM

      Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields. Physical Review B. 1987 ;35( 6 ): 2896-903.
    • Vancouver

      Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields. Physical Review B. 1987 ;35( 6 ): 2896-903.
  • Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

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    • ABNT

      PINTANEL, R; GOMES, V M S; LEITE, J. R. Impurezas de metal de transicao em compostos iii-v. Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1987.
    • APA

      Pintanel, R., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1987). Impurezas de metal de transicao em compostos iii-v. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
    • NLM

      Pintanel R, Gomes VMS, Leite JR. Impurezas de metal de transicao em compostos iii-v. Programa e Resumos. 1987 ;
    • Vancouver

      Pintanel R, Gomes VMS, Leite JR. Impurezas de metal de transicao em compostos iii-v. Programa e Resumos. 1987 ;

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