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Trabalho de evento-resumo
{\it Ab initio} molecular dynamics study of pure and contaminated gold nanowires (2005)
Hobi Jr, Edwin; Fazzio, Adalberto; Novaes, Frederico Dutilh; Silva, Antônio J. R. da; Silva, E Z da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, NANOPARTÍCULAS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
HOBI JR, Edwin et al. {\it Ab initio} molecular dynamics study of pure and contaminated gold nanowires. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0882-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Hobi Jr, E., Fazzio, A., Novaes, F. D., Silva, A. J. R. da, & Silva, E. Z. da. (2005). {\it Ab initio} molecular dynamics study of pure and contaminated gold nanowires. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0882-1.pdf
NLM
Hobi Jr E, Fazzio A, Novaes FD, Silva AJR da, Silva EZ da. {\it Ab initio} molecular dynamics study of pure and contaminated gold nanowires [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0882-1.pdf
Vancouver
Hobi Jr E, Fazzio A, Novaes FD, Silva AJR da, Silva EZ da. {\it Ab initio} molecular dynamics study of pure and contaminated gold nanowires [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0882-1.pdf
Artigo de periodico
`sigma´- and `pi´- defects at graphene nanoribbon edges: building spin filters (2008)
Martins, Thiago Barros; Silva, Antonio Jose Roque da; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto
Source: Nano Letters. Unidade: IF
Subjects: NANOPARTÍCULAS, FUNÇÕES DE GREEN
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ABNT
MARTINS, Thiago Barros et al. `sigma´- and `pi´- defects at graphene nanoribbon edges: building spin filters. Nano Letters, v. 8, n. 8, p. 2293-2298, 2008Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nl800991j. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Martins, T. B., Silva, A. J. R. da, Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2008). `sigma´- and `pi´- defects at graphene nanoribbon edges: building spin filters. Nano Letters, 8( 8), 2293-2298. Recuperado de http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nl800991j
NLM
Martins TB, Silva AJR da, Miwa RH, Fazzio A. `sigma´- and `pi´- defects at graphene nanoribbon edges: building spin filters [Internet]. Nano Letters. 2008 ; 8( 8): 2293-2298.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nl800991j
Vancouver
Martins TB, Silva AJR da, Miwa RH, Fazzio A. `sigma´- and `pi´- defects at graphene nanoribbon edges: building spin filters [Internet]. Nano Letters. 2008 ; 8( 8): 2293-2298.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nl800991j
Artigo de periodico
Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors (2015)
Seixas, L.; West, D.; Zhang, S. B.; Fazzio, Adalberto
Source: NATURE COMMUNICATIONS. Unidade: IF
Subjects: FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SEIXAS, L. et al. Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors. NATURE COMMUNICATIONS, v. 6, p. 7630, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1038/ncomms8630. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Seixas, L., West, D., Zhang, S. B., & Fazzio, A. (2015). Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors. NATURE COMMUNICATIONS, 6, 7630. doi:10.1038/ncomms8630
NLM
Seixas L, West D, Zhang SB, Fazzio A. Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors [Internet]. NATURE COMMUNICATIONS. 2015 ; 6 7630.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1038/ncomms8630
Vancouver
Seixas L, West D, Zhang SB, Fazzio A. Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors [Internet]. NATURE COMMUNICATIONS. 2015 ; 6 7630.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1038/ncomms8630
Trabalho de evento-resumo
Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the shottky barrier and doping by electrostatic gating (2016)
Sousa, Jose Eduardo Padilha de; Fazzio, Adalberto; Silva, Antônio José Roque da
Source: Sympoisa I - Resumos. Conference titles: Encontro de Física. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
SOUSA, Jose Eduardo Padilha de e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antônio José Roque da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the shottky barrier and doping by electrostatic gating. 2016, Anais.. São Paulo: SBF, 2016. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R0529-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Sousa, J. E. P. de, Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2016). Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the shottky barrier and doping by electrostatic gating. In Sympoisa I - Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R0529-1.pdf
NLM
Sousa JEP de, Fazzio A, Silva AJR da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the shottky barrier and doping by electrostatic gating [Internet]. Sympoisa I - Resumos. 2016 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R0529-1.pdf
Vancouver
Sousa JEP de, Fazzio A, Silva AJR da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the shottky barrier and doping by electrostatic gating [Internet]. Sympoisa I - Resumos. 2016 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R0529-1.pdf
Artigo de periodico
Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating (2015)
Padilha, J. E.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: PHYSICAL REVIEW LETTERS. Unidade: IF
Subjects: ELETROSTÁTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PADILHA, J. E. e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating. PHYSICAL REVIEW LETTERS, v. fe 2015, n. 6, p. 066803, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.114.066803. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Padilha, J. E., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2015). Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating. PHYSICAL REVIEW LETTERS, fe 2015( 6), 066803. doi:10.1103/PhysRevLett.114.066803
NLM
Padilha JE, Fazzio A, Silva AJR da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating [Internet]. PHYSICAL REVIEW LETTERS. 2015 ; fe 2015( 6): 066803.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.114.066803
Vancouver
Padilha JE, Fazzio A, Silva AJR da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating [Internet]. PHYSICAL REVIEW LETTERS. 2015 ; fe 2015( 6): 066803.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.114.066803
Artigo de periodico
Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation (2015)
Miwa, R. H.; Kagimura, R.; Lima, Matheus P.; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIWA, R. H. et al. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, v. 91, n. 20, p. 205442, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Miwa, R. H., Kagimura, R., Lima, M. P., & Fazzio, A. (2015). Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, 91( 20), 205442. doi:10.1103/physrevb.91.205442
NLM
Miwa RH, Kagimura R, Lima MP, Fazzio A. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( 20): 205442.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442
Vancouver
Miwa RH, Kagimura R, Lima MP, Fazzio A. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( 20): 205442.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442
Trabalho de evento-resumo
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, G M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Artigo de periodico
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, G M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FENÔMENO DE TRANSPORTE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B, v. 65, n. 19, p. 193306/1-193306/ , 2002Tradução . . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B, 65( 19), 193306/1-193306/ .
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B. 2002 ; 65( 19): 193306/1-193306/ .[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B. 2002 ; 65( 19): 193306/1-193306/ .[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, G M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Artigo de periodico
Vacancy formation process in carbon nanotubes: first-principles approach (2005)
Rossato, Jussane; Baierle, Rogerio Jose; Fazzio, Adalberto; Mota, R
Source: Nano Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROSSATO, Jussane et al. Vacancy formation process in carbon nanotubes: first-principles approach. Nano Letters, v. 5, n. 1, p. 197-200, 2005Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/cgi-bin/sample.cgi/nalefd/2005/5/i01/pdf/nl048226d.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Rossato, J., Baierle, R. J., Fazzio, A., & Mota, R. (2005). Vacancy formation process in carbon nanotubes: first-principles approach. Nano Letters, 5( 1), 197-200. Recuperado de http://pubs.acs.org/cgi-bin/sample.cgi/nalefd/2005/5/i01/pdf/nl048226d.pdf
NLM
Rossato J, Baierle RJ, Fazzio A, Mota R. Vacancy formation process in carbon nanotubes: first-principles approach [Internet]. Nano Letters. 2005 ; 5( 1): 197-200.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/sample.cgi/nalefd/2005/5/i01/pdf/nl048226d.pdf
Vancouver
Rossato J, Baierle RJ, Fazzio A, Mota R. Vacancy formation process in carbon nanotubes: first-principles approach [Internet]. Nano Letters. 2005 ; 5( 1): 197-200.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/sample.cgi/nalefd/2005/5/i01/pdf/nl048226d.pdf
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, Caetano Rodrigues; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Miranda, C. R., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, Caetano Rodrigues; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues et al. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Miranda, C. R., Antonelli, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Miranda CR, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Miranda CR, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, C R; Antonelli, A; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts II (Poster). Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, C R et al. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Miranda, C. R., Antonelli, A., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Miranda CR, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Miranda CR, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Artigo de periodico
Unconventional spin texture in a noncentrosymmetric quantum spin Hall insulator (2016)
Acosta, Carlos Augusto Mera; Babilonia, O.; Abdalla, L.; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: SPIN, TOPOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ACOSTA, Carlos Augusto Mera et al. Unconventional spin texture in a noncentrosymmetric quantum spin Hall insulator. PHYSICAL REVIEW B, v. 94, n. 4, p. 041302, 2016Tradução . . Disponível em: http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.94.041302. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Acosta, C. A. M., Babilonia, O., Abdalla, L., & Fazzio, A. (2016). Unconventional spin texture in a noncentrosymmetric quantum spin Hall insulator. PHYSICAL REVIEW B, 94( 4), 041302. doi:10.1103/PhysRevB.94.041302
NLM
Acosta CAM, Babilonia O, Abdalla L, Fazzio A. Unconventional spin texture in a noncentrosymmetric quantum spin Hall insulator [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2016 ; 94( 4): 041302.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.94.041302
Vancouver
Acosta CAM, Babilonia O, Abdalla L, Fazzio A. Unconventional spin texture in a noncentrosymmetric quantum spin Hall insulator [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2016 ; 94( 4): 041302.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.94.041302
Artigo de periodico
Um nano da nano (2005)
Fazzio, Adalberto
Source: Revista USP. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA (HISTÓRIA), FÍSICA MODERNA (HISTÓRIA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto. Um nano da nano. Revista USP, v. 66, p. 96-99, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.11606/issn.2316-9036.v0i66p96-99. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Fazzio, A. (2005). Um nano da nano. Revista USP, 66, 96-99. doi:10.11606/issn.2316-9036.v0i66p96-99
NLM
Fazzio A. Um nano da nano [Internet]. Revista USP. 2005 ; 66 96-99.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.11606/issn.2316-9036.v0i66p96-99
Vancouver
Fazzio A. Um nano da nano [Internet]. Revista USP. 2005 ; 66 96-99.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.11606/issn.2316-9036.v0i66p96-99
Artigo de periodico
Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene (2017)
Padilha, J. E.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto; Silva, Antônio José Roque da
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PADILHA, J. E. et al. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene. PHYSICAL REVIEW B, v. 95, n. 19, p. 195143, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Padilha, J. E., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2017). Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene. PHYSICAL REVIEW B, 95( 19), 195143. doi:10.1103/PhysRevB.95.195143
NLM
Padilha JE, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2017 ; 95( 19): 195143.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143
Vancouver
Padilha JE, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2017 ; 95( 19): 195143.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143
Artigo de periodico
Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs (2001)
Silva, Antonio Jose Roque da; Dalpian, G M; Janotti, A; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA, DINÂMICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs. Physical Review Letters, v. 87, n. 3, p. 6104/1-6104/4, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Dalpian, G. M., Janotti, A., & Fazzio, A. (2001). Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs. Physical Review Letters, 87( 3), 6104/1-6104/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips
NLM
Silva AJR da, Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A. Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 87( 3): 6104/1-6104/4.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips
Vancouver
Silva AJR da, Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A. Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 87( 3): 6104/1-6104/4.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching (2015)
Pontes, Renato Borges; Torres, Alberto; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
PONTES, Renato Borges et al. Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0129-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Pontes, R. B., Torres, A., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2015). Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0129-1.pdf
NLM
Pontes RB, Torres A, Silva AJR da, Fazzio A. Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching [Internet]. Resumo. 2015 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0129-1.pdf
Vancouver
Pontes RB, Torres A, Silva AJR da, Fazzio A. Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching [Internet]. Resumo. 2015 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0129-1.pdf
Artigo de periodico
Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching (2015)
Torres, Alberto Martins; Pontes, Renato B.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. Unidade: IF
Subjects: TERMOELETRICIDADE, CONDUÇÃO
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ABNT
TORRES, Alberto Martins et al. Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, v. 17, n. ja 2015, p. 5386-5392, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/c4cp04635h. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Torres, A. M., Pontes, R. B., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2015). Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 17( ja 2015), 5386-5392. doi:10.1039/c4cp04635h
NLM
Torres AM, Pontes RB, Silva AJR da, Fazzio A. Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching [Internet]. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. 2015 ; 17( ja 2015): 5386-5392.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1039/c4cp04635h
Vancouver
Torres AM, Pontes RB, Silva AJR da, Fazzio A. Tuning the thermoelectric properties of a single-molecule junction by mechanical stretching [Internet]. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. 2015 ; 17( ja 2015): 5386-5392.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1039/c4cp04635h
Artigo de periodico
Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes (2012)
Miwa, R H; Schmidt, T M; Fazzio, A
Source: IEEE Transactions on Nanotechnology. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
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ABNT
MIWA, R H e SCHMIDT, T M e FAZZIO, A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes. IEEE Transactions on Nanotechnology, v. 11, n. 1, p. 71-76, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2012). Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes. IEEE Transactions on Nanotechnology, 11( 1), 71-76. doi:10.1109/TNANO.2011.2150760
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2012 ;11( 1): 71-76.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2012 ;11( 1): 71-76.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760

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