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Artigo de periodico
Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon (1988)
Silva, E C F; Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.; Dal Pino Junior, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: HIDROGÊNIO, SILÍCIO
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ABNT
SILVA, E C F et al. Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon. Physical Review B, v. 37, n. 6 , p. 3113-6, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.3113. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Silva, E. C. F., Assali, L. V. C., Leite, J. R., & Dal Pino Junior, A. (1988). Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon. Physical Review B, 37( 6 ), 3113-6. doi:10.1103/physrevb.37.3113
NLM
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR, Dal Pino Junior A. Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( 6 ): 3113-6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.3113
Vancouver
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR, Dal Pino Junior A. Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( 6 ): 3113-6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.3113
Trabalho de evento-resumo
Vibrational spectra of amino-adamantane isomers: a first-principles investigation (2011)
Garcia, Joelson Cott; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP
Assunto: ISÔMERO
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ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Vibrational spectra of amino-adamantane isomers: a first-principles investigation. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0062-3.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Garcia, J. C., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2011). Vibrational spectra of amino-adamantane isomers: a first-principles investigation. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0062-3.pdf
NLM
Garcia JC, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Vibrational spectra of amino-adamantane isomers: a first-principles investigation [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0062-3.pdf
Vancouver
Garcia JC, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Vibrational spectra of amino-adamantane isomers: a first-principles investigation [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0062-3.pdf
Artigo de periodico
Tuning the Electronic and Mechanical Properties of Two-Dimensional Diamond through N and B Doping (2024)
Ipaves, Bruno ; Justo Filho, João Francisco ; Sanyal, Biplab ; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Source: Applied Electronic Materials. Unidades: IF, EP
Subjects: CARBONO, ESTRUTURA QUÍMICA, CONDUTIVIDADE ELÉTRICA
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ABNT
IPAVES, Bruno et al. Tuning the Electronic and Mechanical Properties of Two-Dimensional Diamond through N and B Doping. Applied Electronic Materials, v. 6, n. 1, p. 386–393, 2024Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/84c80d10-b7cf-4e3a-8d14-8f4b797a015f/Tuning%20the%20Electronic%20and%20Mechanical%20Properties%20of%20Two-Dimensional%20Diamond%20through%20N%20and%20B%20Doping.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Ipaves, B., Justo Filho, J. F., Sanyal, B., & Assali, L. V. C. (2024). Tuning the Electronic and Mechanical Properties of Two-Dimensional Diamond through N and B Doping. Applied Electronic Materials, 6( 1), 386–393. doi:10.1021/acsaelm.3c01398
NLM
Ipaves B, Justo Filho JF, Sanyal B, Assali LVC. Tuning the Electronic and Mechanical Properties of Two-Dimensional Diamond through N and B Doping [Internet]. Applied Electronic Materials. 2024 ; 6( 1): 386–393.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/84c80d10-b7cf-4e3a-8d14-8f4b797a015f/Tuning%20the%20Electronic%20and%20Mechanical%20Properties%20of%20Two-Dimensional%20Diamond%20through%20N%20and%20B%20Doping.pdf
Vancouver
Ipaves B, Justo Filho JF, Sanyal B, Assali LVC. Tuning the Electronic and Mechanical Properties of Two-Dimensional Diamond through N and B Doping [Internet]. Applied Electronic Materials. 2024 ; 6( 1): 386–393.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/84c80d10-b7cf-4e3a-8d14-8f4b797a015f/Tuning%20the%20Electronic%20and%20Mechanical%20Properties%20of%20Two-Dimensional%20Diamond%20through%20N%20and%20B%20Doping.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Trends on 3d transition metal impurities in diamond (2009)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Physica B: Condensed Matter. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Trends on 3d transition metal impurities in diamond. Physica B: Condensed Matter. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109. Acesso em: 19 abr. 2024. , 2009
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2009). Trends on 3d transition metal impurities in diamond. Physica B: Condensed Matter. Amsterdam: Elsevier Science. doi:10.1016/j.physb.2009.08.109
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Trends on 3d transition metal impurities in diamond [Internet]. Physica B: Condensed Matter. 2009 ; 404( 23-24): 4515-4517.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Trends on 3d transition metal impurities in diamond [Internet]. Physica B: Condensed Matter. 2009 ; 404( 23-24): 4515-4517.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109
Trabalho de evento-resumo
Transition metal impurities in cubic and hexagonalsilicon carbide (2004)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Transition metal impurities in cubic and hexagonalsilicon carbide. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0610-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Transition metal impurities in cubic and hexagonalsilicon carbide. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0610-1.pdf
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Transition metal impurities in cubic and hexagonalsilicon carbide [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0610-1.pdf
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Transition metal impurities in cubic and hexagonalsilicon carbide [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0610-1.pdf
Artigo de periodico
Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC (2003)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Physica B. Unidades: IF, EP
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.008. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2003). Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.008
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.008
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Transition metal impurities in 3C-SiC and 2H-SiC [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.008
Artigo de periodico
Transition metal atoms encapsulated in adamantane molecules (2011)
Garcia, Joelson Cott; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Source: Diamond and Related Materials. Unidades: IF, EP
Assunto: DIAMANTE
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ABNT
GARCIA, Joelson Cott e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Transition metal atoms encapsulated in adamantane molecules. Diamond and Related Materials, v. 20, n. 8, p. 1222-1224, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2011.07.001. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Garcia, J. C., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2011). Transition metal atoms encapsulated in adamantane molecules. Diamond and Related Materials, 20( 8), 1222-1224. doi:10.1016/j.diamond.2011.07.001
NLM
Garcia JC, Justo Filho JF, Assali LVC. Transition metal atoms encapsulated in adamantane molecules [Internet]. Diamond and Related Materials. 2011 ; 20( 8): 1222-1224.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2011.07.001
Vancouver
Garcia JC, Justo Filho JF, Assali LVC. Transition metal atoms encapsulated in adamantane molecules [Internet]. Diamond and Related Materials. 2011 ; 20( 8): 1222-1224.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2011.07.001
Artigo de periodico
Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide (2004)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400016
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016
Trabalho de evento-resumo
Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires (2006)
Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco ; Menezes, Rafael Dias
Source: Sessions Abstracts. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais (SBPMat). Unidades: IF, EP
Subjects: MATERIAIS (PESQUISA), ESTRUTURA DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e JUSTO FILHO, João Francisco e MENEZES, Rafael Dias. Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires. 2006, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2006. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterN.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Justo Filho, J. F., & Menezes, R. D. (2006). Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires. In Sessions Abstracts. Rio de Janeiro: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterN.pdf
NLM
Assali LVC, Justo Filho JF, Menezes RD. Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires [Internet]. Sessions Abstracts. 2006 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterN.pdf
Vancouver
Assali LVC, Justo Filho JF, Menezes RD. Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires [Internet]. Sessions Abstracts. 2006 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterN.pdf
Artigo de periodico
Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2' (2013)
Borges, Pablo D.; Scolfaro, Luisa M.R.; Alves, Horácio W. Leite; Silva Jr., Eronides F. da Silva; Assali, L. V. C.
Source: Applied Surface Science. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
BORGES, Pablo D. et al. Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2'. Applied Surface Science, v. fe2013, p. 115-118, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.08.096. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., Silva Jr., E. F. da S., & Assali, L. V. C. (2013). Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2'. Applied Surface Science, fe2013, 115-118. doi:10.1016/j.apsusc.2012.08.096
NLM
Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva Jr. EF da S, Assali LVC. Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2' [Internet]. Applied Surface Science. 2013 ; fe2013 115-118.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.08.096
Vancouver
Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva Jr. EF da S, Assali LVC. Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2' [Internet]. Applied Surface Science. 2013 ; fe2013 115-118.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.08.096
Trabalho de evento-resumo
Theoretical investigations of the bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon (1990)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Theoretical investigations of the bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. 1990, Anais.. Thessaloniki: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1990). Theoretical investigations of the bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. In . Thessaloniki: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Theoretical investigations of the bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. 1990 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Theoretical investigations of the bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. 1990 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation (2012)
Garcia, Joelson Cott; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Source: Resumo. Conference titles: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCIA, Joelson Cott e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0770-2.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Garcia, J. C., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2012). The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0770-2.pdf
NLM
Garcia JC, Justo Filho JF, Assali LVC. The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0770-2.pdf
Vancouver
Garcia JC, Justo Filho JF, Assali LVC. The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0770-2.pdf
Artigo de periodico
The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation (2012)
Garcia, Joelson Cott; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Source: The Journal of Physical Chemistry C. Unidades: IF, EP
Subjects: ESTANHO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCIA, Joelson Cott e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation. The Journal of Physical Chemistry C, v. 2012, n. ju2012, p. 13382-13387, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/jp300793e. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Garcia, J. C., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2012). The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation. The Journal of Physical Chemistry C, 2012( ju2012), 13382-13387. doi:10.1021/jp300793e
NLM
Garcia JC, Justo Filho JF, Assali LVC. The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2012 ;2012( ju2012): 13382-13387.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1021/jp300793e
Vancouver
Garcia JC, Justo Filho JF, Assali LVC. The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2012 ;2012( ju2012): 13382-13387.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1021/jp300793e
Relatorio tecnico
The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation (2012)
Garcia, Joelson Cott; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Unidades: IF, EP
Subjects: ELÉTRONS, OXIGÊNIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCIA, Joelson Cott e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://doi.org/10.1021/jp300793e. Acesso em: 19 abr. 2024. , 2012
APA
Garcia, J. C., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2012). The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. doi:10.1021/jp300793e
NLM
Garcia JC, Justo Filho JF, Assali LVC. The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation [Internet]. 2012 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1021/jp300793e
Vancouver
Garcia JC, Justo Filho JF, Assali LVC. The structural and electronic properties of tin oxide nanowires: an ab initio investigation [Internet]. 2012 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1021/jp300793e
Trabalho de evento-resumo
Study of the properties of indium nitride thin films, prepared by IBAD (2010)
Prado, Caio A G; Sparvoli, Marina; Matsuoka, Masao; Assali, L. V. C. ; Chubaci, Jose Fernando Diniz
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PRADO, Caio A G et al. Study of the properties of indium nitride thin films, prepared by IBAD. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1248-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Prado, C. A. G., Sparvoli, M., Matsuoka, M., Assali, L. V. C., & Chubaci, J. F. D. (2010). Study of the properties of indium nitride thin films, prepared by IBAD. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1248-1.pdf
NLM
Prado CAG, Sparvoli M, Matsuoka M, Assali LVC, Chubaci JFD. Study of the properties of indium nitride thin films, prepared by IBAD [Internet]. 2010 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1248-1.pdf
Vancouver
Prado CAG, Sparvoli M, Matsuoka M, Assali LVC, Chubaci JFD. Study of the properties of indium nitride thin films, prepared by IBAD [Internet]. 2010 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1248-1.pdf
Artigo de periodico
Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys (2012)
Borges, Pablo D; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Alves, Horacio W L; Silva, Eronides F da; Assali, L. V. C.
Source: Nanoscale Research Letters (NRL). Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, SEMICONDUTORES (PROPRIEDADES MAGNÉTICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BORGES, Pablo D et al. Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys. Nanoscale Research Letters (NRL), v. 7, n. 1, p. 540/1-540/6, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-540. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., Silva, E. F. da, & Assali, L. V. C. (2012). Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys. Nanoscale Research Letters (NRL), 7( 1), 540/1-540/6. doi:10.1186/1556-276X-7-540
NLM
Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva EF da, Assali LVC. Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys [Internet]. Nanoscale Research Letters (NRL). 2012 ;7( 1): 540/1-540/6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-540
Vancouver
Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva EF da, Assali LVC. Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys [Internet]. Nanoscale Research Letters (NRL). 2012 ;7( 1): 540/1-540/6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-540
Trabalho de evento
Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys (2011)
Borges, Pablo Damasceno; Assali, L. V. C. ; Scolfaro, L M R; Alves, H W Leite; Silva Jr, E F da
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BORGES, Pablo Damasceno et al. Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Borges, P. D., Assali, L. V. C., Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., & Silva Jr, E. F. da. (2011). Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-1.pdf
NLM
Borges PD, Assali LVC, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva Jr EF da. Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-1.pdf
Vancouver
Borges PD, Assali LVC, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva Jr EF da. Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide (2011)
Borges, Pablo Damasceno; L. M. R. Scolfaro, L M R; Alves, H W Leite; Assali, L. V. C.
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
BORGES, Pablo Damasceno et al. Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Borges, P. D., L. M. R. Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., & Assali, L. V. C. (2011). Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf
NLM
Borges PD, L. M. R. Scolfaro LMR, Alves HWL, Assali LVC. Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf
Vancouver
Borges PD, L. M. R. Scolfaro LMR, Alves HWL, Assali LVC. Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf
Artigo de periodico
Structure and bonding of iron-acceptor pairs in silicon (2002)
Zhao, S; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C. ; Kimerling, L C
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: EP, IF
Assunto: ELETRICIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZHAO, S et al. Structure and bonding of iron-acceptor pairs in silicon. Brazilian Journal of Physics, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200049. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Zhao, S., Justo Filho, J. F., Assali, L. V. C., & Kimerling, L. C. (2002). Structure and bonding of iron-acceptor pairs in silicon. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332002000200049
NLM
Zhao S, Justo Filho JF, Assali LVC, Kimerling LC. Structure and bonding of iron-acceptor pairs in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200049
Vancouver
Zhao S, Justo Filho JF, Assali LVC, Kimerling LC. Structure and bonding of iron-acceptor pairs in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200049
Artigo de periodico
Structure and bonding of iron-acceptor pairs in silicon (1995)
Zhao, S; Assali, L. V. C. ; Kimerling, L C
Source: Materials Science Forum. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZHAO, S e ASSALI, L. V. C. e KIMERLING, L C. Structure and bonding of iron-acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum, v. 196-201, p. 1333-8, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200049. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Zhao, S., Assali, L. V. C., & Kimerling, L. C. (1995). Structure and bonding of iron-acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum, 196-201, 1333-8. doi:10.1590/s0103-97332002000200049
NLM
Zhao S, Assali LVC, Kimerling LC. Structure and bonding of iron-acceptor pairs in silicon [Internet]. Materials Science Forum. 1995 ;196-201 1333-8.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200049
Vancouver
Zhao S, Assali LVC, Kimerling LC. Structure and bonding of iron-acceptor pairs in silicon [Internet]. Materials Science Forum. 1995 ;196-201 1333-8.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200049

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