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Tese (Livre Docência)
Silício poroso e nano estruturas auto-organizadas (2005)
Salcedo, Walter Jaimes
Unidade: EP
Assuntos: SILÍCIO, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes. Silício poroso e nano estruturas auto-organizadas. 2005. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-29072024-071954/pt-br.php. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J. (2005). Silício poroso e nano estruturas auto-organizadas (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-29072024-071954/pt-br.php
NLM
Salcedo WJ. Silício poroso e nano estruturas auto-organizadas [Internet]. 2005 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-29072024-071954/pt-br.php
Vancouver
Salcedo WJ. Silício poroso e nano estruturas auto-organizadas [Internet]. 2005 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-29072024-071954/pt-br.php
Artigo de periodico
Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer (1999)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. Unidades: EP, IQ
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, n. 29, 1999Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0f346b6e-d690-485d-909d-fc289718b1e7/BT-PEE-99_29_250911_081929.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1999). Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, (29). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/0f346b6e-d690-485d-909d-fc289718b1e7/BT-PEE-99_29_250911_081929.pdf
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1999 ;(29):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0f346b6e-d690-485d-909d-fc289718b1e7/BT-PEE-99_29_250911_081929.pdf
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1999 ;(29):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0f346b6e-d690-485d-909d-fc289718b1e7/BT-PEE-99_29_250911_081929.pdf
Artigo de periodico
Influence of laser excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers (1999)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Rubim, Joel Camargo
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidades: EP, IQ
Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e RUBIM, Joel Camargo. Influence of laser excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400028. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., & Rubim, J. C. (1999). Influence of laser excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers. Brazilian Journal of Physics, 29( 4). doi:10.1590/s0103-97331999000400028
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC. Influence of laser excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400028
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Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC. Influence of laser excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400028
Artigo de periodico
Characterization of porous silicon by photoluminescence, ellipsometric and micro-Raman spectroscopies (1999)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. Unidades: EP, IQ
Assunto: MICROSCOPIA ELETRÔNICA
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Characterization of porous silicon by photoluminescence, ellipsometric and micro-Raman spectroscopies. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, n. 50, 1999Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b7d155e8-c660-42fe-a5b4-f03b264af25d/BT-PEE-99_50_250911_083940.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1999). Characterization of porous silicon by photoluminescence, ellipsometric and micro-Raman spectroscopies. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, (50). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b7d155e8-c660-42fe-a5b4-f03b264af25d/BT-PEE-99_50_250911_083940.pdf
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Characterization of porous silicon by photoluminescence, ellipsometric and micro-Raman spectroscopies [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1999 ;(50):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b7d155e8-c660-42fe-a5b4-f03b264af25d/BT-PEE-99_50_250911_083940.pdf
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Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Characterization of porous silicon by photoluminescence, ellipsometric and micro-Raman spectroscopies [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1999 ;(50):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b7d155e8-c660-42fe-a5b4-f03b264af25d/BT-PEE-99_50_250911_083940.pdf
Artigo de periodico
Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers (1999)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. Unidades: EP, IQ
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, n. 13, 1999Tradução . . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1999). Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, (13).
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1999 ;(13):[citado 2025 nov. 02 ]
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Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1999 ;(13):[citado 2025 nov. 02 ]
Artigo de periodico
Photonic band structure of periodic-like porous silicon (1999)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. Unidades: EP, IQ
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Photonic band structure of periodic-like porous silicon. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, n. 30, 1999Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c9a484b3-8a8c-4766-8a19-86413eb9a2e5/BT-PEE-99_30_250911_082031.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1999). Photonic band structure of periodic-like porous silicon. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, (30). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/c9a484b3-8a8c-4766-8a19-86413eb9a2e5/BT-PEE-99_30_250911_082031.pdf
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Photonic band structure of periodic-like porous silicon [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1999 ;(30):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c9a484b3-8a8c-4766-8a19-86413eb9a2e5/BT-PEE-99_30_250911_082031.pdf
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Photonic band structure of periodic-like porous silicon [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1999 ;(30):[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c9a484b3-8a8c-4766-8a19-86413eb9a2e5/BT-PEE-99_30_250911_082031.pdf
Tese (Doutorado)
Silício poroso como material fotônico (1998)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
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SALCEDO, Walter Jaimes. Silício poroso como material fotônico. 1998. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1998. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052024-072705/pt-br.php. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J. (1998). Silício poroso como material fotônico (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052024-072705/pt-br.php
NLM
Salcedo WJ. Silício poroso como material fotônico [Internet]. 1998 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052024-072705/pt-br.php
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Salcedo WJ. Silício poroso como material fotônico [Internet]. 1998 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052024-072705/pt-br.php
Trabalho de evento
Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM) (1997)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Rubim, Joel Camargo ; Matz, M
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidades: EP, IQ
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes et al. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., Rubim, J. C., & Matz, M. (1997). Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC, Matz M. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC, Matz M. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Electrical behaviour of thin films porous silicon layers (1995)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Nome do evento: Brazilian/German Workshop on Applied Surface Science. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Electrical behaviour of thin films porous silicon layers. 1995, Anais.. Rio de Janeiro: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 1995. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1995). Electrical behaviour of thin films porous silicon layers. In . Rio de Janeiro: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Electrical behaviour of thin films porous silicon layers. 1995 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Electrical behaviour of thin films porous silicon layers. 1995 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Structural characterization of photoluminescent porous silicon (1995)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Galeazzo, Elisabete
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Congress of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e GALEAZZO, Elisabete. Structural characterization of photoluminescent porous silicon. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., & Galeazzo, E. (1995). Structural characterization of photoluminescent porous silicon. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Structural characterization of photoluminescent porous silicon. Proceedings. 1995 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Structural characterization of photoluminescent porous silicon. Proceedings. 1995 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento
Caracterização do envelhecimento de filmes de silício poroso (1994)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Cbecimat: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia dos Materiais. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Caracterização do envelhecimento de filmes de silício poroso. 1994, Anais.. São Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt, 1994. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1994). Caracterização do envelhecimento de filmes de silício poroso. In Cbecimat: Anais. São Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização do envelhecimento de filmes de silício poroso. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização do envelhecimento de filmes de silício poroso. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Dissertação (Mestrado)
Contribuição ao desenvolvimento de sensores com silício poroso (1994)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: SENSORES QUÍMICOS, SILÍCIO
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes. Contribuição ao desenvolvimento de sensores com silício poroso. 1994. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1994. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052024-070606/pt-br.php. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J. (1994). Contribuição ao desenvolvimento de sensores com silício poroso (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052024-070606/pt-br.php
NLM
Salcedo WJ. Contribuição ao desenvolvimento de sensores com silício poroso [Internet]. 1994 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052024-070606/pt-br.php
Vancouver
Salcedo WJ. Contribuição ao desenvolvimento de sensores com silício poroso [Internet]. 1994 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052024-070606/pt-br.php
Trabalho de evento
Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso (1994)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Galeazzo, Elisabete
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e GALEAZZO, Elisabete. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., & Galeazzo, E. (1994). Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. Anais. 1994 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. Anais. 1994 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento
Contribuição ao modelamento de transporte de cargas elétricas em filmes de silício poroso (1994)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Cbecimat: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia dos Materiais. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Contribuição ao modelamento de transporte de cargas elétricas em filmes de silício poroso. 1994, Anais.. São Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt, 1994. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1994). Contribuição ao modelamento de transporte de cargas elétricas em filmes de silício poroso. In Cbecimat: Anais. São Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Contribuição ao modelamento de transporte de cargas elétricas em filmes de silício poroso. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Contribuição ao modelamento de transporte de cargas elétricas em filmes de silício poroso. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento
Sensor de umidade implementado com diodo schottky sobre silicio poroso (1994)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Sensor de umidade implementado com diodo schottky sobre silicio poroso. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1994). Sensor de umidade implementado com diodo schottky sobre silicio poroso. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Sensor de umidade implementado com diodo schottky sobre silicio poroso. Anais. 1994 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Sensor de umidade implementado com diodo schottky sobre silicio poroso. Anais. 1994 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento
Contribuição à caracterização da formação de silício poroso por técnicas de gravimetria (1994)
Galeazzo, Elisabete ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Salcedo, Walter Jaimes ; Tubor, A
Fonte: Cbecimat: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciência dos Materiais. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GALEAZZO, Elisabete et al. Contribuição à caracterização da formação de silício poroso por técnicas de gravimetria. 1994, Anais.. São Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt, 1994. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Galeazzo, E., Ramírez Fernandez, F. J., Salcedo, W. J., & Tubor, A. (1994). Contribuição à caracterização da formação de silício poroso por técnicas de gravimetria. In Cbecimat: Anais. São Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt.
NLM
Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ, Salcedo WJ, Tubor A. Contribuição à caracterização da formação de silício poroso por técnicas de gravimetria. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ, Salcedo WJ, Tubor A. Contribuição à caracterização da formação de silício poroso por técnicas de gravimetria. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento
Formação de microporos no silício (1994)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Cbecimat: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia dos Materiais. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Formação de microporos no silício. 1994, Anais.. São Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt, 1994. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1994). Formação de microporos no silício. In Cbecimat: Anais. São Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Formação de microporos no silício. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Formação de microporos no silício. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento
Caracterização estrutural do silício poroso (1994)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Anais. Nome do evento: Workshop Paranaense de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Caracterização estrutural do silício poroso. 1994, Anais.. Curitiba: Rhae/Cnpq, 1994. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1994). Caracterização estrutural do silício poroso. In Anais. Curitiba: Rhae/Cnpq.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização estrutural do silício poroso. Anais. 1994 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização estrutural do silício poroso. Anais. 1994 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Trabalho de evento
Microporos em silicio para aplicacoes em sensores (1993)
Tubor, A; Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Anais Cicte-93. Nome do evento: Congresso de Iniciacao Cientifica e Tecnologica em Engenharia. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
TUBOR, A e SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Microporos em silicio para aplicacoes em sensores. 1993, Anais.. Sao Carlos: Cetepe, 1993. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/476334e3-4b1a-446f-a2b0-f7bfc29091bb/Fernandes-1993-Microporos_em_silicio_para_aplicacoes_em_sensores.pdf. Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Tubor, A., Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1993). Microporos em silicio para aplicacoes em sensores. In Anais Cicte-93. Sao Carlos: Cetepe. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/476334e3-4b1a-446f-a2b0-f7bfc29091bb/Fernandes-1993-Microporos_em_silicio_para_aplicacoes_em_sensores.pdf
NLM
Tubor A, Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Microporos em silicio para aplicacoes em sensores [Internet]. Anais Cicte-93. 1993 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/476334e3-4b1a-446f-a2b0-f7bfc29091bb/Fernandes-1993-Microporos_em_silicio_para_aplicacoes_em_sensores.pdf
Vancouver
Tubor A, Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Microporos em silicio para aplicacoes em sensores [Internet]. Anais Cicte-93. 1993 ;[citado 2025 nov. 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/476334e3-4b1a-446f-a2b0-f7bfc29091bb/Fernandes-1993-Microporos_em_silicio_para_aplicacoes_em_sensores.pdf
Trabalho de evento
Influencia da umidade e recozimento no comportamento do silicio poroso (1993)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Influencia da umidade e recozimento no comportamento do silicio poroso. 1993, Anais.. Campinas: Sbmicro, 1993. . Acesso em: 02 nov. 2025.
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1993). Influencia da umidade e recozimento no comportamento do silicio poroso. In Anais. Campinas: Sbmicro.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Influencia da umidade e recozimento no comportamento do silicio poroso. Anais. 1993 ;[citado 2025 nov. 02 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Influencia da umidade e recozimento no comportamento do silicio poroso. Anais. 1993 ;[citado 2025 nov. 02 ]

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