Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: FFCLRP, IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
ABNT
FERREIRA, Ernando Silva et al. Fabricação de um Ion Sensitive-FET à base de germânio amorfo hidrogenado para aplicações médicas. 2004, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2004. . Acesso em: 29 set. 2024.APA
Ferreira, E. S., Mulato, M., Marega Júnior, E., & Marques, F. das C. [F. das C. M. - erro de impressão]. (2004). Fabricação de um Ion Sensitive-FET à base de germânio amorfo hidrogenado para aplicações médicas. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.NLM
Ferreira ES, Mulato M, Marega Júnior E, Marques F das C [F das CM- erro de impressão]. Fabricação de um Ion Sensitive-FET à base de germânio amorfo hidrogenado para aplicações médicas. Resumos. 2004 ;[citado 2024 set. 29 ]Vancouver
Ferreira ES, Mulato M, Marega Júnior E, Marques F das C [F das CM- erro de impressão]. Fabricação de um Ion Sensitive-FET à base de germânio amorfo hidrogenado para aplicações médicas. Resumos. 2004 ;[citado 2024 set. 29 ]