Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados (2002)
Unidade: IFSubjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES, EFEITO MOSSBAUER
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZEVALLOS MARQUES, Angela Maria Ortiz de. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados. 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 12 out. 2024.APA
Zevallos Marques, A. M. O. de. (2002). Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.NLM
Zevallos Marques AMO de. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados. 2002 ;[citado 2024 out. 12 ]Vancouver
Zevallos Marques AMO de. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados. 2002 ;[citado 2024 out. 12 ]
