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  • Artigo de periodico

    Solvent effect on the optimization of 1,54 µm emission in Er-doped Y2O3-Al2O3-SiO2 powders synthesized by a modified Pechini method (2013)

    Mendes, A. C.; Maia, L. J. Q.; Paris, E. C.; Siu Li, Máximo

    Source: Current Applied Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: LUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ÓPTICA (APLICAÇÕES)

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MENDES, A. C. et al. Solvent effect on the optimization of 1,54 µm emission in Er-doped Y2O3-Al2O3-SiO2 powders synthesized by a modified Pechini method. Current Applied Physics, v. 13, n. 8, p. 1558-1565, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.cap.2013.06.012. Acesso em: 10 set. 2024.

    • APA

      Mendes, A. C., Maia, L. J. Q., Paris, E. C., & Siu Li, M. (2013). Solvent effect on the optimization of 1,54 µm emission in Er-doped Y2O3-Al2O3-SiO2 powders synthesized by a modified Pechini method. Current Applied Physics, 13( 8), 1558-1565. doi:10.1016/j.cap.2013.06.012

    • NLM

      Mendes AC, Maia LJQ, Paris EC, Siu Li M. Solvent effect on the optimization of 1,54 µm emission in Er-doped Y2O3-Al2O3-SiO2 powders synthesized by a modified Pechini method [Internet]. Current Applied Physics. 2013 ; 13( 8): 1558-1565.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cap.2013.06.012

    • Vancouver

      Mendes AC, Maia LJQ, Paris EC, Siu Li M. Solvent effect on the optimization of 1,54 µm emission in Er-doped Y2O3-Al2O3-SiO2 powders synthesized by a modified Pechini method [Internet]. Current Applied Physics. 2013 ; 13( 8): 1558-1565.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cap.2013.06.012

  • Artigo de periodico

    Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changers in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2'+'O IND.3' thin films (2010)

    Mendes, A. C.; Maia, L. J. Q.; Messaddeq, S. H.; Messaddeq, Y.; Zanatta, Antonio Ricardo; Siu Li, Máximo

    Source: Current Applied Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: ESPECTROSCOPIA RAMAN (ANÁLISE), FILMES FINOS

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MENDES, A. C. et al. Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changers in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2'+'O IND.3' thin films. Current Applied Physics, v. No 2010, n. 6, p. 1411-1415, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.cap.2010.05.005. Acesso em: 10 set. 2024.

    • APA

      Mendes, A. C., Maia, L. J. Q., Messaddeq, S. H., Messaddeq, Y., Zanatta, A. R., & Siu Li, M. (2010). Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changers in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2'+'O IND.3' thin films. Current Applied Physics, No 2010( 6), 1411-1415. doi:10.1016/j.cap.2010.05.005

    • NLM

      Mendes AC, Maia LJQ, Messaddeq SH, Messaddeq Y, Zanatta AR, Siu Li M. Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changers in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2'+'O IND.3' thin films [Internet]. Current Applied Physics. 2010 ; No 2010( 6): 1411-1415.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cap.2010.05.005

    • Vancouver

      Mendes AC, Maia LJQ, Messaddeq SH, Messaddeq Y, Zanatta AR, Siu Li M. Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changers in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2'+'O IND.3' thin films [Internet]. Current Applied Physics. 2010 ; No 2010( 6): 1411-1415.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cap.2010.05.005

  • Artigo de periodico

    Electronic structure and optical properties of BaMo'O IND. 4' powders (2010)

    Sczancoski, J. C.; Cavalcante, L. S.; Marana, N. L.; Silva, R. O.; Tranquilin, R. L.; Joya, M. R.; Pizani, P. S.; Varela, J. A.; Sambrano, J. R.; Siu Li, Máximo; Longo, E.; Andrés, J.

    Source: Current Applied Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: TECNOLOGIA DE MICRO-ONDAS, FOTOLUMINESCÊNCIA, EMISSÃO DA LUZ, TEMPERATURA AMBIENTE, FILMES FINOS

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SCZANCOSKI, J. C. et al. Electronic structure and optical properties of BaMo'O IND. 4' powders. Current Applied Physics, v. 10, n. 2, p. 614-624, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.cap.2009.08.006. Acesso em: 10 set. 2024.

    • APA

      Sczancoski, J. C., Cavalcante, L. S., Marana, N. L., Silva, R. O., Tranquilin, R. L., Joya, M. R., et al. (2010). Electronic structure and optical properties of BaMo'O IND. 4' powders. Current Applied Physics, 10( 2), 614-624. doi:10.1016/j.cap.2009.08.006

    • NLM

      Sczancoski JC, Cavalcante LS, Marana NL, Silva RO, Tranquilin RL, Joya MR, Pizani PS, Varela JA, Sambrano JR, Siu Li M, Longo E, Andrés J. Electronic structure and optical properties of BaMo'O IND. 4' powders [Internet]. Current Applied Physics. 2010 ; 10( 2): 614-624.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cap.2009.08.006

    • Vancouver

      Sczancoski JC, Cavalcante LS, Marana NL, Silva RO, Tranquilin RL, Joya MR, Pizani PS, Varela JA, Sambrano JR, Siu Li M, Longo E, Andrés J. Electronic structure and optical properties of BaMo'O IND. 4' powders [Internet]. Current Applied Physics. 2010 ; 10( 2): 614-624.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cap.2009.08.006
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