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Trabalho de evento
Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE' (1985)
Fazzio, A; Iikawa, F; Motisuke, P
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
FAZZIO, A e IIKAWA, F e MOTISUKE, P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Fazzio, A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1985). Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A, Iikawa F, Motisuke P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Fazzio A, Iikawa F, Motisuke P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Terras raras em gap (1985)
Azevedo, T C A M; Fazzio, A
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
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ABNT
AZEVEDO, T C A M e FAZZIO, A. Terras raras em gap. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 08 jun. 2024. , 1985
APA
Azevedo, T. C. A. M., & Fazzio, A. (1985). Terras raras em gap. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Azevedo TCAM, Fazzio A. Terras raras em gap. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 298.[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Azevedo TCAM, Fazzio A. Terras raras em gap. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 298.[citado 2024 jun. 08 ]
Artigo de periodico
Theoretical model of the au-te complex in silicon (1985)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. e FAZZIO, A. Theoretical model of the au-te complex in silicon. Physical Review B, v. 32, p. 8085-91, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085. Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Theoretical model of the au-te complex in silicon. Physical Review B, 32, 8085-91. doi:10.1103/physrevb.32.8085
NLM
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Theoretical model of the au-te complex in silicon [Internet]. Physical Review B. 1985 ;32 8085-91.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085
Vancouver
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Theoretical model of the au-te complex in silicon [Internet]. Physical Review B. 1985 ;32 8085-91.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085
Artigo de periodico
Chemical trends and universalities in the spectra transition metal impurities in semiconductors (1985)
Caldas, Marília Junqueira; Fazzio, A; Zunger, A
Source: Journal of Electronic Materials. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
CALDAS, Marília Junqueira e FAZZIO, A e ZUNGER, A. Chemical trends and universalities in the spectra transition metal impurities in semiconductors. Journal of Electronic Materials, v. 14, p. 1035-41, 1985Tradução . . Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Caldas, M. J., Fazzio, A., & Zunger, A. (1985). Chemical trends and universalities in the spectra transition metal impurities in semiconductors. Journal of Electronic Materials, 14, 1035-41.
NLM
Caldas MJ, Fazzio A, Zunger A. Chemical trends and universalities in the spectra transition metal impurities in semiconductors. Journal of Electronic Materials. 1985 ;14 1035-41.[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Caldas MJ, Fazzio A, Zunger A. Chemical trends and universalities in the spectra transition metal impurities in semiconductors. Journal of Electronic Materials. 1985 ;14 1035-41.[citado 2024 jun. 08 ]
Trabalho de evento
Group-ib impurities in 'SI' (1985)
Fazzio, A; Caldas, Marília Junqueira; Zunger, A
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
FAZZIO, A e CALDAS, Marília Junqueira e ZUNGER, A. Group-ib impurities in 'SI'. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Fazzio, A., Caldas, M. J., & Zunger, A. (1985). Group-ib impurities in 'SI'. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Group-ib impurities in 'SI'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Group-ib impurities in 'SI'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Artigo de periodico
Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon (1985)
Gomes, V M S; Assali, L. V. C. ; Caldas, Marília Junqueira; Leite, J. R.; Fazzio, A
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
GOMES, V M S et al. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, v. 53, p. 841-4, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x. Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., Caldas, M. J., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, 53, 841-4. doi:10.1016/0038-1098(85)90064-x
NLM
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x
Vancouver
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x
Trabalho de evento-resumo periodico
Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI' (1985)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.; Fazzio, A
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reuniaoo Anual da Sbpc. Unidade: IF
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. e FAZZIO, A. Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI'. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 08 jun. 2024. , 1985
APA
Assali, L. V. C., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI'. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI'. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 251.[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI'. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 251.[citado 2024 jun. 08 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Analise de auto-interacao de zunger e perdew (1985)
Figueiredo, S K; Fazzio, A
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FIGUEIREDO, S K e FAZZIO, A. Analise de auto-interacao de zunger e perdew. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 08 jun. 2024. , 1985
APA
Figueiredo, S. K., & Fazzio, A. (1985). Analise de auto-interacao de zunger e perdew. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Figueiredo SK, Fazzio A. Analise de auto-interacao de zunger e perdew. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 298.[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Figueiredo SK, Fazzio A. Analise de auto-interacao de zunger e perdew. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 298.[citado 2024 jun. 08 ]
Artigo de periodico
Electronic structure of copper, silver and gold in silicon (1985)
Fazzio, A; Caldas, Marília Junqueira; Zunger, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A e CALDAS, Marília Junqueira e ZUNGER, A. Electronic structure of copper, silver and gold in silicon. Physical Review B, v. 32, p. 934-54, 1985Tradução . . Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Fazzio, A., Caldas, M. J., & Zunger, A. (1985). Electronic structure of copper, silver and gold in silicon. Physical Review B, 32, 934-54.
NLM
Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Electronic structure of copper, silver and gold in silicon. Physical Review B. 1985 ;32 934-54.[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Electronic structure of copper, silver and gold in silicon. Physical Review B. 1985 ;32 934-54.[citado 2024 jun. 08 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Impurezas de 'CU' 'AG' e 'AU' em'SI' por um metodo de funcoes de green (1985)
Caldas, Marília Junqueira; Fazzio, A
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marília Junqueira e FAZZIO, A. Impurezas de 'CU' 'AG' e 'AU' em'SI' por um metodo de funcoes de green. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 08 jun. 2024. , 1985
APA
Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1985). Impurezas de 'CU' 'AG' e 'AU' em'SI' por um metodo de funcoes de green. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Caldas MJ, Fazzio A. Impurezas de 'CU' 'AG' e 'AU' em'SI' por um metodo de funcoes de green. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 261.[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Caldas MJ, Fazzio A. Impurezas de 'CU' 'AG' e 'AU' em'SI' por um metodo de funcoes de green. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 261.[citado 2024 jun. 08 ]
Trabalho de evento
Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors (1985)
Fazzio, A
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A. Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Fazzio, A. (1985). Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A. Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Fazzio A. Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jun. 08 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Influencia dos orbitais mn-3d no espectro otico de ligas 'CD IND.1-X''MN IND.X''TE' (1985)
Caldas, Marília Junqueira; Fazzio, A
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marília Junqueira e FAZZIO, A. Influencia dos orbitais mn-3d no espectro otico de ligas 'CD IND.1-X''MN IND.X''TE'. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 08 jun. 2024. , 1985
APA
Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1985). Influencia dos orbitais mn-3d no espectro otico de ligas 'CD IND.1-X''MN IND.X''TE'. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Caldas MJ, Fazzio A. Influencia dos orbitais mn-3d no espectro otico de ligas 'CD IND.1-X''MN IND.X''TE'. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 260.[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Caldas MJ, Fazzio A. Influencia dos orbitais mn-3d no espectro otico de ligas 'CD IND.1-X''MN IND.X''TE'. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 260.[citado 2024 jun. 08 ]
Tese (Livre Docência)
Excitações e ionizações de metais de transição em semicondutores (1985)
Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto. Excitações e ionizações de metais de transição em semicondutores. 1985. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-23102014-103752/. Acesso em: 08 jun. 2024.
APA
Fazzio, A. (1985). Excitações e ionizações de metais de transição em semicondutores (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-23102014-103752/
NLM
Fazzio A. Excitações e ionizações de metais de transição em semicondutores [Internet]. 1985 ;[citado 2024 jun. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-23102014-103752/
Vancouver
Fazzio A. Excitações e ionizações de metais de transição em semicondutores [Internet]. 1985 ;[citado 2024 jun. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-23102014-103752/
Trabalho de evento-resumo periodico
Estrutura eletronica dos condutores lineares (1985)
Silva, M M F; Pereira Neto, J R; Fazzio, A
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M M F e PEREIRA NETO, J R e FAZZIO, A. Estrutura eletronica dos condutores lineares. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 08 jun. 2024. , 1985
APA
Silva, M. M. F., Pereira Neto, J. R., & Fazzio, A. (1985). Estrutura eletronica dos condutores lineares. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Silva MMF, Pereira Neto JR, Fazzio A. Estrutura eletronica dos condutores lineares. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 249.[citado 2024 jun. 08 ]
Vancouver
Silva MMF, Pereira Neto JR, Fazzio A. Estrutura eletronica dos condutores lineares. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 249.[citado 2024 jun. 08 ]

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