Caracterização elétrica de dispositivos SOI MOS em baixa temperatura (2008)
Fonte: 16 SIICUSP: anais.. Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS ELETRÔNICOS
ABNT
SANDRI, Marcelo e GALETI, Milene. Caracterização elétrica de dispositivos SOI MOS em baixa temperatura. 2008, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo, 2008. . Acesso em: 30 set. 2024.APA
Sandri, M., & Galeti, M. (2008). Caracterização elétrica de dispositivos SOI MOS em baixa temperatura. In 16 SIICUSP: anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo.NLM
Sandri M, Galeti M. Caracterização elétrica de dispositivos SOI MOS em baixa temperatura. 16 SIICUSP: anais. 2008 ;[citado 2024 set. 30 ]Vancouver
Sandri M, Galeti M. Caracterização elétrica de dispositivos SOI MOS em baixa temperatura. 16 SIICUSP: anais. 2008 ;[citado 2024 set. 30 ]