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  • Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Subjects: SILÍCIO, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      PAVANELLO, Marcelo Antonio; SOUZA, Michelly de; RIBEIRO, Thales Augusto; MARTINO, João Antonio; FLANDRE, Denis. Improved operation of graded-channel SOI nMOSFETs down to liquid helium temperature. Semiconductor Science and Technology[S.l.], v. 31, n. 11, p. 114005, 2016. Disponível em: < https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114005 > DOI: 10.1088/0268-1242/31/11/114005.
    • APA

      Pavanello, M. A., Souza, M. de, Ribeiro, T. A., Martino, J. A., & Flandre, D. (2016). Improved operation of graded-channel SOI nMOSFETs down to liquid helium temperature. Semiconductor Science and Technology, 31( 11), 114005. doi:10.1088/0268-1242/31/11/114005
    • NLM

      Pavanello MA, Souza M de, Ribeiro TA, Martino JA, Flandre D. Improved operation of graded-channel SOI nMOSFETs down to liquid helium temperature [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 11): 114005.Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114005
    • Vancouver

      Pavanello MA, Souza M de, Ribeiro TA, Martino JA, Flandre D. Improved operation of graded-channel SOI nMOSFETs down to liquid helium temperature [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 11): 114005.Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114005
  • Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES (MODELAGEM), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS

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    • ABNT

      SOUZA, Michelly de; PAVANELLO, Marcelo Antonio. Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas. 2008.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29012009-161414/ >.
    • APA

      Souza, M. de, & Pavanello, M. A. (2008). Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29012009-161414/
    • NLM

      Souza M de, Pavanello MA. Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas [Internet]. 2008 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29012009-161414/
    • Vancouver

      Souza M de, Pavanello MA. Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas [Internet]. 2008 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29012009-161414/
  • Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES (MODELAGEM), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS

    How to cite
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    • ABNT

      SOUZA, Michelly de; PAVANELLO, Marcelo Antonio. Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs. 2005.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005.
    • APA

      Souza, M. de, & Pavanello, M. A. (2005). Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Souza M de, Pavanello MA. Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs. 2005 ;
    • Vancouver

      Souza M de, Pavanello MA. Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs. 2005 ;

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