Source: Resumo das Comunicacoes. Conference titles: Coloquio da Sociedade Brasileira de Microscopia Eletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
ABNT
SANTOS, J T e HASENACK, Claus Martin e MONTEIRO, Waldemar Alfredo. Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas. 1991, Anais.. São Paulo: Sbme, 1991. . Acesso em: 18 jul. 2025.APA
Santos, J. T., Hasenack, C. M., & Monteiro, W. A. (1991). Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas. In Resumo das Comunicacoes. São Paulo: Sbme.NLM
Santos JT, Hasenack CM, Monteiro WA. Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas. Resumo das Comunicacoes. 1991 ;[citado 2025 jul. 18 ]Vancouver
Santos JT, Hasenack CM, Monteiro WA. Estudo por microscopia eletronica de transmissao (met) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas. Resumo das Comunicacoes. 1991 ;[citado 2025 jul. 18 ]