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  • Unidade: IFSC

    Subjects: ÓPTICA, ZINCO, FILMES FINOS

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    • ABNT

      SABINO, Fernando Pereira; OLIVEIRA, Luiz Nunes de; SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas de óxidos transparentes condutores na fase unária e binária baseados em Al2O3, Ga2O3, In2O3, SnO2 and ZnO. 2017.Universidade de São Paulo, São Carlos, 2017. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-14032017-143438/ >.
    • APA

      Sabino, F. P., Oliveira, L. N. de, & Silva, J. L. F. da. (2017). Estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas de óxidos transparentes condutores na fase unária e binária baseados em Al2O3, Ga2O3, In2O3, SnO2 and ZnO. Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-14032017-143438/
    • NLM

      Sabino FP, Oliveira LN de, Silva JLF da. Estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas de óxidos transparentes condutores na fase unária e binária baseados em Al2O3, Ga2O3, In2O3, SnO2 and ZnO [Internet]. 2017 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-14032017-143438/
    • Vancouver

      Sabino FP, Oliveira LN de, Silva JLF da. Estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas de óxidos transparentes condutores na fase unária e binária baseados em Al2O3, Ga2O3, In2O3, SnO2 and ZnO [Internet]. 2017 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-14032017-143438/
  • Source: Physical Review B. Unidade: IQSC

    Assunto: QUÍMICA QUÂNTICA

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    • ABNT

      CABRAL, L; SABINO, Fernando Pereira; LOPES-OLIVEIRA, Vivaldo; et al. Interplay between structure asymmetry, defect-induced localization, and spin-orbit interaction in Mn-doped quantum dots. Physical Review B, College Park |b American Physical Society - APS, v. 95, p. 205409-6, 2017. Disponível em: < http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.95.205409 > DOI: 10.1103/PhysRevB.95.205409.
    • APA

      Cabral, L., Sabino, F. P., Lopes-Oliveira, V., Silva, J. L. F. da, Lima, M. P., Marques, G. E., & Lopez-Richard, V. (2017). Interplay between structure asymmetry, defect-induced localization, and spin-orbit interaction in Mn-doped quantum dots. Physical Review B, 95, 205409-6. doi:10.1103/PhysRevB.95.205409
    • NLM

      Cabral L, Sabino FP, Lopes-Oliveira V, Silva JLF da, Lima MP, Marques GE, Lopez-Richard V. Interplay between structure asymmetry, defect-induced localization, and spin-orbit interaction in Mn-doped quantum dots [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 95 205409-6.Available from: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.95.205409
    • Vancouver

      Cabral L, Sabino FP, Lopes-Oliveira V, Silva JLF da, Lima MP, Marques GE, Lopez-Richard V. Interplay between structure asymmetry, defect-induced localization, and spin-orbit interaction in Mn-doped quantum dots [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 95 205409-6.Available from: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.95.205409
  • Source: Abstract Booklet. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IQSC

    Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      CABRAL, L; SABINO, Fernando Pereira; LOPES-OLIVEIRA, Vivaldo; et al. Interplay of structure asymmetry, defect induced localization and spin-orbit interaction in Mn doped quantum dots. Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017.Disponível em: .
    • APA

      Cabral, L., Sabino, F. P., Lopes-Oliveira, V., Silva, J. L. F. da, Lima, M. P., Marques, G. E., & Lopez-Richard, V. (2017). Interplay of structure asymmetry, defect induced localization and spin-orbit interaction in Mn doped quantum dots. In Abstract Booklet. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. Recuperado de http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
    • NLM

      Cabral L, Sabino FP, Lopes-Oliveira V, Silva JLF da, Lima MP, Marques GE, Lopez-Richard V. Interplay of structure asymmetry, defect induced localization and spin-orbit interaction in Mn doped quantum dots [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
    • Vancouver

      Cabral L, Sabino FP, Lopes-Oliveira V, Silva JLF da, Lima MP, Marques GE, Lopez-Richard V. Interplay of structure asymmetry, defect induced localization and spin-orbit interaction in Mn doped quantum dots [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
  • Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IQSC

    Assunto: QUÍMICA QUÂNTICA

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    • ABNT

      BASTOS, Carlos Maciel de Oliveira; SABINO, Fernando Pereira; BESSE, Rafael; SIPAHI, Guilherme Matos; SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Theorethical study of transition metal dichacogenides: stability energy, structural and electronic properties. Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2017.
    • APA

      Bastos, C. M. de O., Sabino, F. P., Besse, R., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2017). Theorethical study of transition metal dichacogenides: stability energy, structural and electronic properties. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
    • NLM

      Bastos CM de O, Sabino FP, Besse R, Sipahi GM, Silva JLF da. Theorethical study of transition metal dichacogenides: stability energy, structural and electronic properties. Livro de Resumos. 2017 ;
    • Vancouver

      Bastos CM de O, Sabino FP, Besse R, Sipahi GM, Silva JLF da. Theorethical study of transition metal dichacogenides: stability energy, structural and electronic properties. Livro de Resumos. 2017 ;
  • Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidades: IFSC, IQSC

    Subjects: FÍSICA TEÓRICA, ÓPTICA

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    • ABNT

      SABINO, Fernando Pereira; BESSE, Rafael; OLIVEIRA, Luiz Nunes de; WEI, Su-Huai; SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Origin of and tuning the optical and fundamental band gaps in transparent conducting oxides: the case of M2O3 (M = Al, Ga, In). Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2016.Disponível em: .
    • APA

      Sabino, F. P., Besse, R., Oliveira, L. N. de, Wei, S. -H., & Silva, J. L. F. da. (2016). Origin of and tuning the optical and fundamental band gaps in transparent conducting oxides: the case of M2O3 (M = Al, Ga, In). In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2YG
    • NLM

      Sabino FP, Besse R, Oliveira LN de, Wei S-H, Silva JLF da. Origin of and tuning the optical and fundamental band gaps in transparent conducting oxides: the case of M2O3 (M = Al, Ga, In) [Internet]. Program Book. 2016 ;Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2YG
    • Vancouver

      Sabino FP, Besse R, Oliveira LN de, Wei S-H, Silva JLF da. Origin of and tuning the optical and fundamental band gaps in transparent conducting oxides: the case of M2O3 (M = Al, Ga, In) [Internet]. Program Book. 2016 ;Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2YG
  • Source: Physical Review B. Unidade: IQSC

    Assunto: FÍSICO-QUÍMICA

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    • ABNT

      BESSE, Rafael; SABINO, Fernando Pereira; SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Electronic structure of layered quaternary chalcogenide materials for band-gap engineering: The example of Cs2 MII MIV3 Q8. Physical Review B, College Park, v. 93, n. 16, p. 165205-1-9, 2016. Disponível em: < http://dx.doi.org 10.1103/PhysRevB.93.165205 > DOI: 10.1103/PhysRevB.93.165205.
    • APA

      Besse, R., Sabino, F. P., & Silva, J. L. F. da. (2016). Electronic structure of layered quaternary chalcogenide materials for band-gap engineering: The example of Cs2 MII MIV3 Q8. Physical Review B, 93( 16), 165205-1-9. doi:10.1103/PhysRevB.93.165205
    • NLM

      Besse R, Sabino FP, Silva JLF da. Electronic structure of layered quaternary chalcogenide materials for band-gap engineering: The example of Cs2 MII MIV3 Q8 [Internet]. Physical Review B. 2016 ; 93( 16): 165205-1-9.Available from: http://dx.doi.org 10.1103/PhysRevB.93.165205
    • Vancouver

      Besse R, Sabino FP, Silva JLF da. Electronic structure of layered quaternary chalcogenide materials for band-gap engineering: The example of Cs2 MII MIV3 Q8 [Internet]. Physical Review B. 2016 ; 93( 16): 165205-1-9.Available from: http://dx.doi.org 10.1103/PhysRevB.93.165205
  • Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidades: IFSC, IQSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, LASER

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    • ABNT

      BASTOS, Carlos Maciel de Oliveira; SABINO, Fernando Pereira; SIPAHI, Guilherme Matos; SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Hybrid-density functional theory study of the III-V semiconductors: structural, energetic and electronic properties revised. Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2016.Disponível em: .
    • APA

      Bastos, C. M. de O., Sabino, F. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2016). Hybrid-density functional theory study of the III-V semiconductors: structural, energetic and electronic properties revised. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2SK
    • NLM

      Bastos CM de O, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. Hybrid-density functional theory study of the III-V semiconductors: structural, energetic and electronic properties revised [Internet]. Program Book. 2016 ;Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2SK
    • Vancouver

      Bastos CM de O, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. Hybrid-density functional theory study of the III-V semiconductors: structural, energetic and electronic properties revised [Internet]. Program Book. 2016 ;Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2SK
  • Source: Livro de resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IQSC

    Subjects: FÍSICA TEÓRICA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      BESSE, Rafael; SABINO, Fernando Pereira; SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Band gap engineering in the chalcogenide semicondutors Cs2 MII MIV3 Q8: the role of hybrid density functional theory. Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2015.
    • APA

      Besse, R., Sabino, F. P., & Silva, J. L. F. da. (2015). Band gap engineering in the chalcogenide semicondutors Cs2 MII MIV3 Q8: the role of hybrid density functional theory. In Livro de resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
    • NLM

      Besse R, Sabino FP, Silva JLF da. Band gap engineering in the chalcogenide semicondutors Cs2 MII MIV3 Q8: the role of hybrid density functional theory. Livro de resumos. 2015 ;
    • Vancouver

      Besse R, Sabino FP, Silva JLF da. Band gap engineering in the chalcogenide semicondutors Cs2 MII MIV3 Q8: the role of hybrid density functional theory. Livro de resumos. 2015 ;
  • Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidades: IFSC, IQSC

    Subjects: FÍSICA TEÓRICA, NANOPARTÍCULAS, HIBRIDIZAÇÃO

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    • ABNT

      SABINO, Fernando Pereira; OLIVEIRA, Luiz Nunes de; SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Roles of the cation atomic radius and s-d hybridization in the stability of the gallia Ga2O3 structure. Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2015.Disponível em: .
    • APA

      Sabino, F. P., Oliveira, L. N. de, & Silva, J. L. F. da. (2015). Roles of the cation atomic radius and s-d hybridization in the stability of the gallia Ga2O3 structure. In Proceedings. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APNR
    • NLM

      Sabino FP, Oliveira LN de, Silva JLF da. Roles of the cation atomic radius and s-d hybridization in the stability of the gallia Ga2O3 structure [Internet]. Proceedings. 2015 ;Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APNR
    • Vancouver

      Sabino FP, Oliveira LN de, Silva JLF da. Roles of the cation atomic radius and s-d hybridization in the stability of the gallia Ga2O3 structure [Internet]. Proceedings. 2015 ;Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APNR
  • Source: Livro de resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IFSC, IQSC

    Assunto: FÍSICA TEÓRICA

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    • ABNT

      SABINO, Fernando Pereira; BESSE, Rafael; OLIVEIRA, Luiz Nunes de; WEI, S H; SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Origin and tuning of the band gaps in transparent conducting oxides: the example of M2O3 (M = Al, Ga, In). Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2015.
    • APA

      Sabino, F. P., Besse, R., Oliveira, L. N. de, Wei, S. H., & Silva, J. L. F. da. (2015). Origin and tuning of the band gaps in transparent conducting oxides: the example of M2O3 (M = Al, Ga, In). In Livro de resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
    • NLM

      Sabino FP, Besse R, Oliveira LN de, Wei SH, Silva JLF da. Origin and tuning of the band gaps in transparent conducting oxides: the example of M2O3 (M = Al, Ga, In). Livro de resumos. 2015 ;
    • Vancouver

      Sabino FP, Besse R, Oliveira LN de, Wei SH, Silva JLF da. Origin and tuning of the band gaps in transparent conducting oxides: the example of M2O3 (M = Al, Ga, In). Livro de resumos. 2015 ;
  • Source: Physical Review B. Unidades: IFSC, IQSC

    Subjects: NANOPARTÍCULAS, HIBRIDIZAÇÃO, CRISTALOGRAFIA

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    • ABNT

      SABINO, Fernando Pereira; OLIVEIRA, Luiz Nunes de; SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Role of atomic radius and d-states hybridization in the stability of the crystal structure of M2O3 (M = Al, Ga, In) oxides. Physical Review B, College Park, v. 90, n. 15, p. 155206-1-155206-7, 2014. Disponível em: < http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.155206 > DOI: 10.1103/PhysRevB.90.155206.
    • APA

      Sabino, F. P., Oliveira, L. N. de, & Silva, J. L. F. da. (2014). Role of atomic radius and d-states hybridization in the stability of the crystal structure of M2O3 (M = Al, Ga, In) oxides. Physical Review B, 90( 15), 155206-1-155206-7. doi:10.1103/PhysRevB.90.155206
    • NLM

      Sabino FP, Oliveira LN de, Silva JLF da. Role of atomic radius and d-states hybridization in the stability of the crystal structure of M2O3 (M = Al, Ga, In) oxides [Internet]. Physical Review B. 2014 ; 90( 15): 155206-1-155206-7.Available from: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.155206
    • Vancouver

      Sabino FP, Oliveira LN de, Silva JLF da. Role of atomic radius and d-states hybridization in the stability of the crystal structure of M2O3 (M = Al, Ga, In) oxides [Internet]. Physical Review B. 2014 ; 90( 15): 155206-1-155206-7.Available from: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.155206

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