Evidence for zero-differential resistance states in electronic bilayers (2011)
Unidade: IFAssunto: BAIXA TEMPERATURA
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ABNT
GUSEV, G M et al. Evidence for zero-differential resistance states in electronic bilayers. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1101/1101.5104v1.pdf. Acesso em: 19 set. 2024. , 2011APA
Gusev, G. M., Raichev, O. E., S. Wiedmann,, Portal, J. C., & Bakarov, A. K. (2011). Evidence for zero-differential resistance states in electronic bilayers. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1101/1101.5104v1.pdfNLM
Gusev GM, Raichev OE, S. Wiedmann, Portal JC, Bakarov AK. Evidence for zero-differential resistance states in electronic bilayers [Internet]. 2011 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1101/1101.5104v1.pdfVancouver
Gusev GM, Raichev OE, S. Wiedmann, Portal JC, Bakarov AK. Evidence for zero-differential resistance states in electronic bilayers [Internet]. 2011 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1101/1101.5104v1.pdf
