Subjects: FÍSICA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS
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ABNT
OLIVEIRA, Glaura Caroena Azevedo de; ASSALI, L. V. C. Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO:: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade. 2012.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032013-151853/pt-br.php >.APA
Oliveira, G. C. A. de, & Assali, L. V. C. (2012). Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO:: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032013-151853/pt-br.phpNLM
Oliveira GCA de, Assali LVC. Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO:: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade [Internet]. 2012 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032013-151853/pt-br.phpVancouver
Oliveira GCA de, Assali LVC. Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO:: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade [Internet]. 2012 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032013-151853/pt-br.php