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Trabalho de evento
Caracterização elétrica de contatos de Al, Ni e Ti em filmes cristalizados de SiC obtidos por PECVD (2008)
Oliveira, Alessandro Ricardo de; Pereyra, Inés ; Páez Carreño, Marcelo Nelson
Source: siPDusp. Conference titles: Simpósio Internacional de Pós-Doutorado. Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de e PEREYRA, Inés e PÁEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Caracterização elétrica de contatos de Al, Ni e Ti em filmes cristalizados de SiC obtidos por PECVD. 2008, Anais.. São Paulo: USP, 2008. . Acesso em: 11 abr. 2026.
APA
Oliveira, A. R. de, Pereyra, I., & Páez Carreño, M. N. (2008). Caracterização elétrica de contatos de Al, Ni e Ti em filmes cristalizados de SiC obtidos por PECVD. In siPDusp. São Paulo: USP.
NLM
Oliveira AR de, Pereyra I, Páez Carreño MN. Caracterização elétrica de contatos de Al, Ni e Ti em filmes cristalizados de SiC obtidos por PECVD. siPDusp. 2008 ;[citado 2026 abr. 11 ]
Vancouver
Oliveira AR de, Pereyra I, Páez Carreño MN. Caracterização elétrica de contatos de Al, Ni e Ti em filmes cristalizados de SiC obtidos por PECVD. siPDusp. 2008 ;[citado 2026 abr. 11 ]
Tese (Doutorado)
Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD (2006)
Oliveira, Alessandro Ricardo de; Paez Carreño, Marcelo Nelson (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, SEMICONDUTORES
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ABNT
OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de. Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD. 2006. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-142624/. Acesso em: 11 abr. 2026.
APA
Oliveira, A. R. de. (2006). Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-142624/
NLM
Oliveira AR de. Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD [Internet]. 2006 ;[citado 2026 abr. 11 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-142624/
Vancouver
Oliveira AR de. Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD [Internet]. 2006 ;[citado 2026 abr. 11 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-142624/
Trabalho de evento
Formation of 3C-SIC films on silicon by thermal annealing process (2004)
Oliveira, Alessandro Ricardo de; Paez Carreño, Marcelo Nelson
Source: Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, FILMES FINOS
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ABNT
OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de e PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Formation of 3C-SIC films on silicon by thermal annealing process. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 11 abr. 2026.
APA
Oliveira, A. R. de, & Paez Carreño, M. N. (2004). Formation of 3C-SIC films on silicon by thermal annealing process. In Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Oliveira AR de, Paez Carreño MN. Formation of 3C-SIC films on silicon by thermal annealing process. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2026 abr. 11 ]
Vancouver
Oliveira AR de, Paez Carreño MN. Formation of 3C-SIC films on silicon by thermal annealing process. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2026 abr. 11 ]
Parte de monografia/livro
In-situ and ion implantation nitrogen doping on near stoichiometric a-SiC:H films (2003)
Oliveira, Alessandro Ricardo de; Paez Carreño, Marcelo Nelson
Source: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de e PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. In-situ and ion implantation nitrogen doping on near stoichiometric a-SiC:H films. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 11 abr. 2026.
APA
Oliveira, A. R. de, & Paez Carreño, M. N. (2003). In-situ and ion implantation nitrogen doping on near stoichiometric a-SiC:H films. In Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society.
NLM
Oliveira AR de, Paez Carreño MN. In-situ and ion implantation nitrogen doping on near stoichiometric a-SiC:H films. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2026 abr. 11 ]
Vancouver
Oliveira AR de, Paez Carreño MN. In-situ and ion implantation nitrogen doping on near stoichiometric a-SiC:H films. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2026 abr. 11 ]
Dissertação (Mestrado)
Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD (2002)
Oliveira, Alessandro Ricardo de; Paez Carreño, Marcelo Nelson (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, SILÍCIO
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ABNT
OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de. Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD. 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02102024-095917/. Acesso em: 11 abr. 2026.
APA
Oliveira, A. R. de. (2002). Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02102024-095917/
NLM
Oliveira AR de. Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD [Internet]. 2002 ;[citado 2026 abr. 11 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02102024-095917/
Vancouver
Oliveira AR de. Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD [Internet]. 2002 ;[citado 2026 abr. 11 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02102024-095917/

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