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  • In: Physica B. Unidade: IF

    Subjects: Física

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    • ABNT

      SILVA, Antonio Jose Roque da; BAIERLE, Rogerio Jose; MOTA, R.; FAZZIO, Adalberto. Native defects in germanium. Physica B, Amsterdam, Elsevier Science, v. 302-303, p. 363-368, 2001. Disponível em: < http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v302-303inone&article=364_ndig&form=pdf&file=file.pdf > DOI: 10.1016/s0921-4526(01)00455-0.
    • APA

      Silva, A. J. R. da, Baierle, R. J., Mota, R., & Fazzio, A. (2001). Native defects in germanium. Physica B, 302-303, 363-368. doi:10.1016/s0921-4526(01)00455-0
    • NLM

      Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v302-303inone&article=364_ndig&form=pdf&file=file.pdf
    • Vancouver

      Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v302-303inone&article=364_ndig&form=pdf&file=file.pdf
  • In: Solid State Communications. Unidade: IF

    Subjects: Semicondutores, Matéria Condensada (propriedades Mecânicas;propriedades Térmicas)

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    • ABNT

      SCHMIDT, T M; MIWA, R H; FAZZIO, Adalberto; MOTA, R. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP. Solid State Communications, Oxford, Pergamon, v. 117, n. 6, p. 353-355, 2001. Disponível em: < http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00381098&issue=v117i0006&article=353_aicotcmii&form=pdf&file=file.pdf > DOI: 10.1016/s0038-1098(00)00487-7.
    • APA

      Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mota, R. (2001). Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP. Solid State Communications, 117( 6), 353-355. doi:10.1016/s0038-1098(00)00487-7
    • NLM

      Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 117( 6): 353-355.Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00381098&issue=v117i0006&article=353_aicotcmii&form=pdf&file=file.pdf
    • Vancouver

      Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 117( 6): 353-355.Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00381098&issue=v117i0006&article=353_aicotcmii&form=pdf&file=file.pdf
  • In: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: Matéria Condensada, Clusters

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    • ABNT

      BAIERLE, Rogerio Jose; FAGAN, S B; MOTA, R.; SILVA, Antonio Jose Roque da; FAZZIO, Adalberto. Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes. Physical Review B, Woodbury, The Society, v. 64, n. 8, p. 5413/1-5413/4, 2001. Disponível em: < http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000008085413000001&idtype=cvips > DOI: 10.1103/physrevb.64.085413.
    • APA

      Baierle, R. J., Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes. Physical Review B, 64( 8), 5413/1-5413/4. doi:10.1103/physrevb.64.085413
    • NLM

      Baierle RJ, Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 8): 5413/1-5413/4.Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000008085413000001&idtype=cvips
    • Vancouver

      Baierle RJ, Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 8): 5413/1-5413/4.Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000008085413000001&idtype=cvips
  • In: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: Matéria Condensada

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    • ABNT

      SILVA, Antonio J R da; JANOTTI, A.; FAZZIO, Adalberto; BAIERLE, Rogerio Jose; MOTA, R. Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, Woodbury, The Society, v. 61, n. 15, p. 9903-9906, 2000. Disponível em: < http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000062000015009903000001&idtype=cvips > DOI: 10.1103/physrevb.62.9903.
    • APA

      Silva, A. J. R. da, Janotti, A., Fazzio, A., Baierle, R. J., & Mota, R. (2000). Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, 61( 15), 9903-9906. doi:10.1103/physrevb.62.9903
    • NLM

      Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15): 9903-9906.Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000062000015009903000001&idtype=cvips
    • Vancouver

      Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15): 9903-9906.Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000062000015009903000001&idtype=cvips
  • In: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: Física

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    • ABNT

      FAZZIO, Adalberto; JANOTTI, A.; SILVA, Antonio Jose Roque da; MOTA, R. Microscopic picture of the single vacancy in germanium. Physical Review B, Woodbury, The Society, v. 61. n. 4, p. R2401-R2404, 2000. Disponível em: < http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO0000610000040R2401000001&idtype=cvips > DOI: 10.1103/physrevb.61.r2401.
    • APA

      Fazzio, A., Janotti, A., Silva, A. J. R. da, & Mota, R. (2000). Microscopic picture of the single vacancy in germanium. Physical Review B, 61. n. 4, R2401-R2404. doi:10.1103/physrevb.61.r2401
    • NLM

      Fazzio A, Janotti A, Silva AJR da, Mota R. Microscopic picture of the single vacancy in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61. n. 4 R2401-R2404.Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO0000610000040R2401000001&idtype=cvips
    • Vancouver

      Fazzio A, Janotti A, Silva AJR da, Mota R. Microscopic picture of the single vacancy in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61. n. 4 R2401-R2404.Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO0000610000040R2401000001&idtype=cvips
  • In: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: Matéria Condensada

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    • ABNT

      SILVA, Antonio Jose Roque da; JANOTTI, A.; FAZZIO, Adalberto; BAIERLE, Rogerio Jose; MOTA, R. Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, Woodbury, The Society, v. 62, n. 15, p. 9903-9906, 2000. Disponível em: < http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000062000015009903000001&idtype=cvips > DOI: 10.1103/physrevb.62.9903.
    • APA

      Silva, A. J. R. da, Janotti, A., Fazzio, A., Baierle, R. J., & Mota, R. (2000). Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, 62( 15), 9903-9906. doi:10.1103/physrevb.62.9903
    • NLM

      Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 62( 15): 9903-9906.Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000062000015009903000001&idtype=cvips
    • Vancouver

      Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 62( 15): 9903-9906.Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000062000015009903000001&idtype=cvips
  • In: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: Física

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    • ABNT

      FAGAN, Solange B; BAIERLE, Rogerio Jose; MOTA, R.; SILVA, Antonio Jose Roque; FAZZIO, Adalberto. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes. Physical Review B, Woodbury, The Society, v. 61, n. 15, p. 9994-9996, 2000. Disponível em: < http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000061000015009994000001&idtype=cvips > DOI: 10.1103/physrevb.61.9994.
    • APA

      Fagan, S. B., Baierle, R. J., Mota, R., Silva, A. J. R., & Fazzio, A. (2000). Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes. Physical Review B, 61( 15), 9994-9996. doi:10.1103/physrevb.61.9994
    • NLM

      Fagan SB, Baierle RJ, Mota R, Silva AJR, Fazzio A. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15): 9994-9996.Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000061000015009994000001&idtype=cvips
    • Vancouver

      Fagan SB, Baierle RJ, Mota R, Silva AJR, Fazzio A. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15): 9994-9996.Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000061000015009994000001&idtype=cvips
  • In: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: Física

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    • ABNT

      FAGAN, Solange B; BAIERLE, Rogerio Jose; MOTA, R.; SILVA, Antonio J R da; FAZZIO, Adalberto. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes. Physical Review B, Woodbury, APS, v. 61, n. 15, 2000. Disponível em: < http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000061000015009994000001&idtype=cvips > DOI: 10.1103/physrevb.61.9994.
    • APA

      Fagan, S. B., Baierle, R. J., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2000). Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes. Physical Review B, 61( 15). doi:10.1103/physrevb.61.9994
    • NLM

      Fagan SB, Baierle RJ, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15):Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000061000015009994000001&idtype=cvips
    • Vancouver

      Fagan SB, Baierle RJ, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15):Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000061000015009994000001&idtype=cvips
  • In: Resumos. Conference title: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: Matéria Condensada

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    • ABNT

      SCHMIDT, T. M.; MIWA, Roberto Hiroki; MOTA, R.; FAZZIO, Adalberto. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. Anais.. São Paulo: SBF, 1999.
    • APA

      Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Mota, R., & Fazzio, A. (1999). "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. In Resumos. São Paulo: SBF.
    • NLM

      Schmidt TM, Miwa RH, Mota R, Fazzio A. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. Resumos. 1999 ;
    • Vancouver

      Schmidt TM, Miwa RH, Mota R, Fazzio A. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. Resumos. 1999 ;
  • In: Solid State Communications. Unidade: IF

    Subjects: Matéria Condensada

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    • ABNT

      JANOTTI, A.; FAZZIO, Adalberto; MOTA, R.; PIQUINI, P. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs. Solid State Communications, New York, Pergamon Press, v. 110, p. 457-461, 1999. DOI: 10.1016/s0038-1098(98)00606-1.
    • APA

      Janotti, A., Fazzio, A., Mota, R., & Piquini, P. (1999). Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs. Solid State Communications, 110, 457-461. doi:10.1016/s0038-1098(98)00606-1
    • NLM

      Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs. Solid State Communications. 1999 ; 110 457-461.
    • Vancouver

      Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs. Solid State Communications. 1999 ; 110 457-461.
  • In: Physica B. Unidade: IF

    Subjects: Física

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    • ABNT

      SCHMIDT, T. M.; MIWA, Roberto Hiroki; FAZZIO, Adalberto; MOTA, R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, Amsterdam, Elsevier Science, v. 273-274, p. 831-834, 1999. DOI: 10.1016/s0921-4526(99)00515-3.
    • APA

      Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mota, R. (1999). Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, 273-274, 831-834. doi:10.1016/s0921-4526(99)00515-3
    • NLM

      Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.
    • Vancouver

      Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.
  • In: Physica B. Unidade: IF

    Subjects: Física

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    • ABNT

      JANOTTI, A.; BAIERLE, Rogerio Jose; SILVA, Antônio J. R. da; MOTA, R.; FAZZIO, Adalberto. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium. Physica B, Amsterdam, Elsevier Science, v. 274, p. 575-578, 1999. DOI: 10.1016/s0921-4526(99)00576-1.
    • APA

      Janotti, A., Baierle, R. J., Silva, A. J. R. da, Mota, R., & Fazzio, A. (1999). Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium. Physica B, 274, 575-578. doi:10.1016/s0921-4526(99)00576-1
    • NLM

      Janotti A, Baierle RJ, Silva AJR da, Mota R, Fazzio A. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium. Physica B. 1999 ; 274 575-578.
    • Vancouver

      Janotti A, Baierle RJ, Silva AJR da, Mota R, Fazzio A. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium. Physica B. 1999 ; 274 575-578.
  • In: Resumos. Conference title: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: Matéria Condensada

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    • ABNT

      FAZZIO, Adalberto; SILVA, Antônio J. R. da; MOTA, R.; JANOTTI, A. Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors. Anais.. São Paulo: SBF, 1999.
    • APA

      Fazzio, A., Silva, A. J. R. da, Mota, R., & Janotti, A. (1999). Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors. In Resumos. São Paulo: SBF.
    • NLM

      Fazzio A, Silva AJR da, Mota R, Janotti A. Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors. Resumos. 1999 ;
    • Vancouver

      Fazzio A, Silva AJR da, Mota R, Janotti A. Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors. Resumos. 1999 ;
  • In: Brazilian Journal of Physics. Conference title: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Subjects: Física

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    • ABNT

      JANOTTI, A.; FAZZIO, A; PIQUINI, P; MOTA, R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics[S.l: s.n.], 1998.
    • APA

      Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1998). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
    • NLM

      Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.
    • Vancouver

      Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.
  • In: resumos. Conference title: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: Matéria Condensada

    How to cite
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    • ABNT

      JANOTTI, A.; FAZZIO, A; MOTA, R.; PIQUINI, P. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. Anais.. São Paulo: Sociedade de Brasileira de Física, 1998.
    • APA

      Janotti, A., Fazzio, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. In resumos. São Paulo: Sociedade de Brasileira de Física.
    • NLM

      Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. resumos. 1998 ;
    • Vancouver

      Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. resumos. 1998 ;
  • In: Radiation Effects and Defect in Solids. Conference title: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Semiconductors. Unidade: IF

    Subjects: Física, Física Nuclear

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    • ABNT

      FAZZIO, A; JANOTTI, A.; MOTA, R.; PIQUINI, P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids[S.l: s.n.], 1998.
    • APA

      Fazzio, A., Janotti, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers.
    • NLM

      Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.
    • Vancouver

      Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.
  • In: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Subjects: Física

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    • ABNT

      JANOTTI, A.; FAZZIO, Adalberto; PIQUINI, P; MOTA, R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics, São Paulo, Sociedade Brasileira de Física, v. 27A, n. 4, p. 110-113, 1997.
    • APA

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      Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 110-113.
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      Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 110-113.
  • In: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: Matéria Condensada

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    • ABNT

      JANOTTI, Anderson; FAZZIO, Adalberto; PIQUINI, P; MOTA, R. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B, Woodbury, American Physical Society, v. 56, n. 20, p. 13073-13076, 1997.
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      Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1997). Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B, 56( 20), 13073-13076.
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      Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B. 1997 ; 56( 20): 13073-13076.
    • Vancouver

      Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B. 1997 ; 56( 20): 13073-13076.
  • In: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: Física

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    • ABNT

      PIQUINI, P; MOTA, R.; SCHMIDT, T M; FAZZIO, Adalberto. Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride. Physical Review B[S.l.], v. 56, n. 7, p. 3556-3559, 1997. DOI: 10.1103/physrevb.56.3556.
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      Piquini, P., Mota, R., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1997). Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride. Physical Review B, 56( 7), 3556-3559. doi:10.1103/physrevb.56.3556
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      Piquini P, Mota R, Schmidt TM, Fazzio A. Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride. Physical Review B. 1997 ; 56( 7): 3556-3559.
  • In: Resumos. Conference title: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

    Subjects: Matéria Condensada

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    • ABNT

      FAZZIO, A; SCHMIDT, T M; PIQUINI, P; MOTA, R. Estudo teorico de defeitos nativos em bn. Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996.
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      Fazzio, A., Schmidt, T. M., Piquini, P., & Mota, R. (1996). Estudo teorico de defeitos nativos em bn. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
    • NLM

      Fazzio A, Schmidt TM, Piquini P, Mota R. Estudo teorico de defeitos nativos em bn. Resumos. 1996 ;
    • Vancouver

      Fazzio A, Schmidt TM, Piquini P, Mota R. Estudo teorico de defeitos nativos em bn. Resumos. 1996 ;


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