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  • Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, AMPLIFICADORES

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    • ABNT

      GONÇALEZ FILHO, Walter; AGOPIAN, Paula Ghedini Der; MARTINO, João Antonio. Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs.. 2020.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: < https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21092020-144559/pt-br.php >.
    • APA

      Gonçalez Filho, W., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2020). Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21092020-144559/pt-br.php
    • NLM

      Gonçalez Filho W, Agopian PGD, Martino JA. Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. [Internet]. 2020 ;Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21092020-144559/pt-br.php
    • Vancouver

      Gonçalez Filho W, Agopian PGD, Martino JA. Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. [Internet]. 2020 ;Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21092020-144559/pt-br.php
  • Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS ANALÓGICOS, AMPLIFICADORES

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    • ABNT

      NOGUEIRA, Alexandro de Moraes; MARTINO, João Antonio; DER AGOPIAN, Paula Ghedini. Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios.. 2020.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: < https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/pt-br.php >.
    • APA

      Nogueira, A. de M., Martino, J. A., & Der Agopian, P. G. (2020). Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/pt-br.php
    • NLM

      Nogueira A de M, Martino JA, Der Agopian PG. Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. [Internet]. 2020 ;Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/pt-br.php
    • Vancouver

      Nogueira A de M, Martino JA, Der Agopian PG. Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. [Internet]. 2020 ;Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/pt-br.php
  • Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES

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    • ABNT

      GONÇALVES, Guilherme Vieira; MARTINO, João Antonio; OLIVEIRA, Alberto Vinicius de. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado.. 2020.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: < https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/pt-br.php >.
    • APA

      Gonçalves, G. V., Martino, J. A., & Oliveira, A. V. de. (2020). Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/pt-br.php
    • NLM

      Gonçalves GV, Martino JA, Oliveira AV de. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/pt-br.php
    • Vancouver

      Gonçalves GV, Martino JA, Oliveira AV de. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/pt-br.php
  • Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, SENSORES ÓPTICOS, TRANSISTORES

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    • ABNT

      PEIXOTO, José Augusto Padovese; MARTINO, João Antonio. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível.. 2019.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019. Disponível em: < https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/pt-br.php >.
    • APA

      Peixoto, J. A. P., & Martino, J. A. (2019). Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/pt-br.php
    • NLM

      Peixoto JAP, Martino JA. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. [Internet]. 2019 ;Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/pt-br.php
    • Vancouver

      Peixoto JAP, Martino JA. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. [Internet]. 2019 ;Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/pt-br.php
  • Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      MARTINO, Márcio Dalla Valle; CLAEYS, Cor; AGOPIAN, Paula Ghedini Der; et al. Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology[S.l.], v. 33, n. 7, p. 075012, 2018. Disponível em: < https://doi.org/10.1088/1361-6641/aac4fd > DOI: 10.1088/1361-6641/aac4fd.
    • APA

      Martino, M. D. V., Claeys, C., Agopian, P. G. D., Rooyackers, R., Simoen, E., & Martino, J. A. (2018). Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, 33( 7), 075012. doi:10.1088/1361-6641/aac4fd
    • NLM

      Martino MDV, Claeys C, Agopian PGD, Rooyackers R, Simoen E, Martino JA. Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 7): 075012.Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aac4fd
    • Vancouver

      Martino MDV, Claeys C, Agopian PGD, Rooyackers R, Simoen E, Martino JA. Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 7): 075012.Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aac4fd
  • Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO

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    • ABNT

      ITOCAZU, Vitor Tatsuo; MARTINO, João Antonio. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW). 2018.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/pt-br.php >.
    • APA

      Itocazu, V. T., & Martino, J. A. (2018). Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/pt-br.php
    • NLM

      Itocazu VT, Martino JA. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) [Internet]. 2018 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/pt-br.php
    • Vancouver

      Itocazu VT, Martino JA. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) [Internet]. 2018 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/pt-br.php
  • Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

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    • ABNT

      MORI, Carlos Augusto Bergfeld; MARTINO, João Antonio. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB. 2018.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/pt-br.php >.
    • APA

      Mori, C. A. B., & Martino, J. A. (2018). Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/pt-br.php
    • NLM

      Mori CAB, Martino JA. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/pt-br.php
    • Vancouver

      Mori CAB, Martino JA. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/pt-br.php
  • Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

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    • ABNT

      YOJO, Leonardo Shimizu; MARTINO, João Antonio. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. 2018.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/pt-br.php >.
    • APA

      Yojo, L. S., & Martino, J. A. (2018). Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/pt-br.php
    • NLM

      Yojo LS, Martino JA. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/pt-br.php
    • Vancouver

      Yojo LS, Martino JA. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/pt-br.php
  • Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Subjects: TEMPERATURA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      CAPARROZ, Luís Felipe Vicentis; AGOPIAN, Paula Ghedini Der; CLAEYS, Cor; et al. Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100 K. Semiconductor Science and Technology[S.l.], v. 33, n. 6, p. 065003, 2018. Disponível em: < https://doi.org/10.1088/1361-6641/aabab3 > DOI: 10.1088/1361-6641/aabab3.
    • APA

      Caparroz, L. F. V., Agopian, P. G. D., Claeys, C., Simoen, E., Bordallo, C. C. M., & Martino, J. A. (2018). Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100 K. Semiconductor Science and Technology, 33( 6), 065003. doi:10.1088/1361-6641/aabab3
    • NLM

      Caparroz LFV, Agopian PGD, Claeys C, Simoen E, Bordallo CCM, Martino JA. Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100 K [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 6): 065003.Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aabab3
    • Vancouver

      Caparroz LFV, Agopian PGD, Claeys C, Simoen E, Bordallo CCM, Martino JA. Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100 K [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 6): 065003.Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aabab3
  • Source: Composants nanoélectroniques. Unidade: EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      BORDALLO, Caio Cesar Mendes; MOCUTA, Dan; COLLAERT, Nadine; et al. The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs. Composants nanoélectroniques[S.l.], v. 18, n. 1, 2018. Disponível em: < https://doi.org/10.21494/iste.op.2018.0224 > DOI: 10.21494/iste.op.2018.0224.
    • APA

      Bordallo, C. C. M., Mocuta, D., Collaert, N., Alian, A., Simoen, E., Claeys, C., et al. (2018). The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs. Composants nanoélectroniques, 18( 1). doi:10.21494/iste.op.2018.0224
    • NLM

      Bordallo CCM, Mocuta D, Collaert N, Alian A, Simoen E, Claeys C, Agopian PGD, Martino JA, Rooyackers R, Mols Y, Van Dooren A, Verhulst AS, Lin D. The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs [Internet]. Composants nanoélectroniques. 2018 ;18( 1):Available from: https://doi.org/10.21494/iste.op.2018.0224
    • Vancouver

      Bordallo CCM, Mocuta D, Collaert N, Alian A, Simoen E, Claeys C, Agopian PGD, Martino JA, Rooyackers R, Mols Y, Van Dooren A, Verhulst AS, Lin D. The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs [Internet]. Composants nanoélectroniques. 2018 ;18( 1):Available from: https://doi.org/10.21494/iste.op.2018.0224
  • Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, TEMPERATURA

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    • ABNT

      MACAMBIRA, Christian Nemeth; MARTINO, João Antonio. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs. 2017.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/pt-br.php >.
    • APA

      Macambira, C. N., & Martino, J. A. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/pt-br.php
    • NLM

      Macambira CN, Martino JA. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/pt-br.php
    • Vancouver

      Macambira CN, Martino JA. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/pt-br.php
  • Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA

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    • ABNT

      BORDALLO, Caio Cesar Mendes; AGOPIAN, Paula Ghedini Der; MARTINO, João Antonio. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas. 2017.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/pt-br.php >.
    • APA

      Bordallo, C. C. M., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2017). Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/pt-br.php
    • NLM

      Bordallo CCM, Agopian PGD, Martino JA. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/pt-br.php
    • Vancouver

      Bordallo CCM, Agopian PGD, Martino JA. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/pt-br.php
  • Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

    How to cite
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    • ABNT

      ITOCAZU, Vitor Tatsuo; SONNENBERG, Victor; MARTINO, João Antonio; SIMOEN, Eddy; CLAEYS, Cor. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. Journal of Integrated Circuits and Systems[S.l.], v. 12, n. 2, p. 82-88, 2017.
    • APA

      Itocazu, V. T., Sonnenberg, V., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2017). Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. Journal of Integrated Circuits and Systems, 12( 2), 82-88.
    • NLM

      Itocazu VT, Sonnenberg V, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2017 ; 12( 2): 82-88.
    • Vancouver

      Itocazu VT, Sonnenberg V, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2017 ; 12( 2): 82-88.
  • Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, BAIXA TEMPERATURA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      CAPARROZ, Luís Felipe Vicentis; DER AGOPIAN, Paula Ghedini; MARTINO, João Antonio. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas. 2017.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/pt-br.php >.
    • APA

      Caparroz, L. F. V., Der Agopian, P. G., & Martino, J. A. (2017). Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/pt-br.php
    • NLM

      Caparroz LFV, Der Agopian PG, Martino JA. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas [Internet]. 2017 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/pt-br.php
    • Vancouver

      Caparroz LFV, Der Agopian PG, Martino JA. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas [Internet]. 2017 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/pt-br.php
  • Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      NASCIMENTO, Vinicius Mesquita do; MARTINO, João Antonio; DER AGOPIAN, Paula Ghedini. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados. 2017.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/pt-br.php >.
    • APA

      Nascimento, V. M. do, Martino, J. A., & Der Agopian, P. G. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/pt-br.php
    • NLM

      Nascimento VM do, Martino JA, Der Agopian PG. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/pt-br.php
    • Vancouver

      Nascimento VM do, Martino JA, Der Agopian PG. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/pt-br.php
  • Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      BORDALLO, Caio Cesar Mendes; COLLAERT, N; CLAEYS, Cor; et al. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs. IEEE Transactions on Electron Devices[S.l.], v. 64, n. 9, p. 3595-3600, 2017. Disponível em: < https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110 > DOI: 10.1109/TED.2017.2721110.
    • APA

      Bordallo, C. C. M., Collaert, N., Claeys, C., Simoen, E., Vandooren, A., Rooyackers, R., et al. (2017). The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 64( 9), 3595-3600. doi:10.1109/TED.2017.2721110
    • NLM

      Bordallo CCM, Collaert N, Claeys C, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2017 ; 64( 9): 3595-3600.Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110
    • Vancouver

      Bordallo CCM, Collaert N, Claeys C, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2017 ; 64( 9): 3595-3600.Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110
  • Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    DOIHow to cite
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    • ABNT

      MARTINO, M D V; CLAEYS, Cor; ROOYACKERS, R; et al. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology[S.l.], v. 32, n. 5, p. 055015, 2017. DOI: 10.1088/1361-6641/aa6764.
    • APA

      Martino, M. D. V., Claeys, C., Rooyackers, R., Simoen, E., Agopian, P. G. D., Agopian, P. G. D., et al. (2017). Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, 32( 5), 055015. doi:10.1088/1361-6641/aa6764
    • NLM

      Martino MDV, Claeys C, Rooyackers R, Simoen E, Agopian PGD, Agopian PGD, Vandooren A, Martino JA. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology. 2017 ; 32( 5): 055015.
    • Vancouver

      Martino MDV, Claeys C, Rooyackers R, Simoen E, Agopian PGD, Agopian PGD, Vandooren A, Martino JA. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology. 2017 ; 32( 5): 055015.
  • Source: Solid-State Electronics Volume 128, February 2017, Pages 43-47. Unidade: EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      AGOPIAN, Paula Ghedini Der; COLLAERT, N; ALIAN, A; et al. Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures. Solid-State Electronics Volume 128, February 2017, Pages 43-47[S.l.], v. 128, p. 43-47, 2017. Disponível em: < https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.10.021 > DOI: 10.1016/j.sse.2016.10.021.
    • APA

      Agopian, P. G. D., Collaert, N., Alian, A., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2017). Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures. Solid-State Electronics Volume 128, February 2017, Pages 43-47, 128, 43-47. doi:10.1016/j.sse.2016.10.021
    • NLM

      Agopian PGD, Collaert N, Alian A, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures [Internet]. Solid-State Electronics Volume 128, February 2017, Pages 43-47. 2017 ; 128 43-47.Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.10.021
    • Vancouver

      Agopian PGD, Collaert N, Alian A, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures [Internet]. Solid-State Electronics Volume 128, February 2017, Pages 43-47. 2017 ; 128 43-47.Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.10.021
  • Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, SILÍCIO

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    • ABNT

      OLIVEIRA, Alberto Vinicius de; SIMOEN, Eddy; MITARD JEROME,; et al. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes. IEEE Transactions on Electron Devices[S.l.], v. 63, n. 10, p. 4031-4037, 2016. Disponível em: < https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288 > DOI: 10.1109/ted.2016.2598288.
    • APA

      Oliveira, A. V. de, Simoen, E., Mitard Jerome,, Agopian, P. G. D., Langer, R., Witters, L. J., & Martino, J. A. (2016). Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes. IEEE Transactions on Electron Devices, 63( 10), 4031-4037. doi:10.1109/ted.2016.2598288
    • NLM

      Oliveira AV de, Simoen E, Mitard Jerome, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 10): 4031-4037.Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288
    • Vancouver

      Oliveira AV de, Simoen E, Mitard Jerome, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 10): 4031-4037.Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288
  • Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP

    Assunto: TRANSISTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      AOULAICHE, M; BOURDELLE, K. K.; WITTERS, Liesbeth J; et al. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX. Solid-State Electronics[S.l.], v. 117, p. 123-129, 2016. Disponível em: < https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021 > DOI: 10.1016/j.sse.2015.11.021.
    • APA

      Aoulaiche, M., Bourdelle, K. K., Witters, L. J., Caillat, C., Simoen, E., & Martino, J. A. (2016). Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX. Solid-State Electronics, 117, 123-129. doi:10.1016/j.sse.2015.11.021
    • NLM

      Aoulaiche M, Bourdelle KK, Witters LJ, Caillat C, Simoen E, Martino JA. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 117 123-129.Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021
    • Vancouver

      Aoulaiche M, Bourdelle KK, Witters LJ, Caillat C, Simoen E, Martino JA. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 117 123-129.Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021

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