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Artigo de periodico
Crescimento epitaxial por feixe molecular: da física ao dispositivo (2006)
Martini, S.; Lucchi, Julio Cesar; Marques, Angelo Eduardo Battistini; Lamas, Tomas Eriksson; Silva, M. J. da; Quivy, Alain André
Source: Integração: Ensino, Pesquisa, Extensão. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, LASER, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
MARTINI, S. et al. Crescimento epitaxial por feixe molecular: da física ao dispositivo. Integração: Ensino, Pesquisa, Extensão, n. 44, p. 49-57, 2006Tradução . . Disponível em: ftp://ftp.usjt.br/pub/revint/49_44.zip. Acesso em: 11 maio 2026.
APA
Martini, S., Lucchi, J. C., Marques, A. E. B., Lamas, T. E., Silva, M. J. da, & Quivy, A. A. (2006). Crescimento epitaxial por feixe molecular: da física ao dispositivo. Integração: Ensino, Pesquisa, Extensão, ( 44), 49-57. Recuperado de ftp://ftp.usjt.br/pub/revint/49_44.zip
NLM
Martini S, Lucchi JC, Marques AEB, Lamas TE, Silva MJ da, Quivy AA. Crescimento epitaxial por feixe molecular: da física ao dispositivo [Internet]. Integração: Ensino, Pesquisa, Extensão. 2006 ;( 44): 49-57.[citado 2026 maio 11 ] Available from: ftp://ftp.usjt.br/pub/revint/49_44.zip
Vancouver
Martini S, Lucchi JC, Marques AEB, Lamas TE, Silva MJ da, Quivy AA. Crescimento epitaxial por feixe molecular: da física ao dispositivo [Internet]. Integração: Ensino, Pesquisa, Extensão. 2006 ;( 44): 49-57.[citado 2026 maio 11 ] Available from: ftp://ftp.usjt.br/pub/revint/49_44.zip
Trabalho de evento-resumo
In-situ and ex-situ investigation of In segregation in InGaAs layers grown by molecular beam epitaxy on GaAs (2002)
Martini, S.; Quivy, Alain André ; Abramof, Eduardo
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MARTINI, S. e QUIVY, Alain André e ABRAMOF, Eduardo. In-situ and ex-situ investigation of In segregation in InGaAs layers grown by molecular beam epitaxy on GaAs. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 11 maio 2026.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., & Abramof, E. (2002). In-situ and ex-situ investigation of In segregation in InGaAs layers grown by molecular beam epitaxy on GaAs. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Martini S, Quivy AA, Abramof E. In-situ and ex-situ investigation of In segregation in InGaAs layers grown by molecular beam epitaxy on GaAs. Resumos. 2002 ;[citado 2026 maio 11 ]
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Abramof E. In-situ and ex-situ investigation of In segregation in InGaAs layers grown by molecular beam epitaxy on GaAs. Resumos. 2002 ;[citado 2026 maio 11 ]
Tese (Doutorado)
Estudo da segregação de Índio em camadas epitaxiais de 'In IND. X' 'Ga IND. 1-X' acrescidas sobre substratos de GaAs (001) (2002)
Martini, S.; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FEIXES ÓPTICOS, ÓPTICA, ÁTOMOS, RAIOS X, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
MARTINI, S. Estudo da segregação de Índio em camadas epitaxiais de 'In IND. X' 'Ga IND. 1-X' acrescidas sobre substratos de GaAs (001). 2002. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 11 maio 2026.
APA
Martini, S. (2002). Estudo da segregação de Índio em camadas epitaxiais de 'In IND. X' 'Ga IND. 1-X' acrescidas sobre substratos de GaAs (001) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Martini S. Estudo da segregação de Índio em camadas epitaxiais de 'In IND. X' 'Ga IND. 1-X' acrescidas sobre substratos de GaAs (001). 2002 ;[citado 2026 maio 11 ]
Vancouver
Martini S. Estudo da segregação de Índio em camadas epitaxiais de 'In IND. X' 'Ga IND. 1-X' acrescidas sobre substratos de GaAs (001). 2002 ;[citado 2026 maio 11 ]
Artigo de periodico
Step bunching in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) vicinal surfaces (2001)
Martini, S.; Quivy, Alain André ; Ugarte, D; Lange, C; Richter, W; Tokranov, V E
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
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ABNT
MARTINI, S. et al. Step bunching in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) vicinal surfaces. Journal of Crystal Growth, v. 227, p. 46-50, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00630-3. Acesso em: 11 maio 2026.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Ugarte, D., Lange, C., Richter, W., & Tokranov, V. E. (2001). Step bunching in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) vicinal surfaces. Journal of Crystal Growth, 227, 46-50. doi:10.1016/s0022-0248(01)00630-3
NLM
Martini S, Quivy AA, Ugarte D, Lange C, Richter W, Tokranov VE. Step bunching in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) vicinal surfaces [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2001 ; 227 46-50.[citado 2026 maio 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00630-3
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Ugarte D, Lange C, Richter W, Tokranov VE. Step bunching in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) vicinal surfaces [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2001 ; 227 46-50.[citado 2026 maio 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00630-3
Artigo de periodico
Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces (2001)
Martini, S.; Quivy, Alain André ; Tabata, A; Leite, J. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA, SUPERFÍCIE FÍSICA, TERMODINÂMICA
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ABNT
MARTINI, S. et al. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces. Journal of Applied Physics, v. 90, n. 5, p. 2280-2289, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1389336. Acesso em: 11 maio 2026.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Tabata, A., & Leite, J. R. (2001). Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces. Journal of Applied Physics, 90( 5), 2280-2289. doi:10.1063/1.1389336
NLM
Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 5): 2280-2289.[citado 2026 maio 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389336
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 5): 2280-2289.[citado 2026 maio 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389336
Trabalho de evento-resumo
Step-bunching instability in InGaAs/GaAs quantum wells grown on GaAs(001) vicinal surfaces by molecular beam epitaxy (2000)
Martini, S.; Quivy, Alain André ; Leite, J. R.; Lange, C; Richter, W; Tokranov, V E
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MARTINI, S. et al. Step-bunching instability in InGaAs/GaAs quantum wells grown on GaAs(001) vicinal surfaces by molecular beam epitaxy. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 11 maio 2026.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Leite, J. R., Lange, C., Richter, W., & Tokranov, V. E. (2000). Step-bunching instability in InGaAs/GaAs quantum wells grown on GaAs(001) vicinal surfaces by molecular beam epitaxy. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Martini S, Quivy AA, Leite JR, Lange C, Richter W, Tokranov VE. Step-bunching instability in InGaAs/GaAs quantum wells grown on GaAs(001) vicinal surfaces by molecular beam epitaxy. Resumos. 2000 ;[citado 2026 maio 11 ]
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Leite JR, Lange C, Richter W, Tokranov VE. Step-bunching instability in InGaAs/GaAs quantum wells grown on GaAs(001) vicinal surfaces by molecular beam epitaxy. Resumos. 2000 ;[citado 2026 maio 11 ]
Artigo de periodico
Reduction of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on vicinal GaAs(001) substrates (2000)
Martini, S.; Quivy, Alain André ; Tabata, A; Leite, J. R.
Source: Journal of Vacuum Science & Technology B. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, INTERFACE
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ABNT
MARTINI, S. et al. Reduction of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on vicinal GaAs(001) substrates. Journal of Vacuum Science & Technology B, v. 18, n. 4, p. 1991-1996, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1116/1.1303851. Acesso em: 11 maio 2026.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Tabata, A., & Leite, J. R. (2000). Reduction of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on vicinal GaAs(001) substrates. Journal of Vacuum Science & Technology B, 18( 4), 1991-1996. doi:10.1116/1.1303851
NLM
Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Reduction of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2000 ; 18( 4): 1991-1996.[citado 2026 maio 11 ] Available from: https://doi.org/10.1116/1.1303851
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Reduction of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2000 ; 18( 4): 1991-1996.[citado 2026 maio 11 ] Available from: https://doi.org/10.1116/1.1303851
Artigo de periodico
Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates (1999)
Tabata, A.; Martini, S.; Quivy, Alain André ; Ceschin, Artemis Marti; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TABATA, A. et al. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, v. 25, n. 1/2, p. 405-411, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667. Acesso em: 11 maio 2026.
APA
Tabata, A., Martini, S., Quivy, A. A., Ceschin, A. M., & Leite, J. R. (1999). Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, 25( 1/2), 405-411. doi:10.1006/spmi.1998.0667
NLM
Tabata A, Martini S, Quivy AA, Ceschin AM, Leite JR. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 405-411.[citado 2026 maio 11 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667
Vancouver
Tabata A, Martini S, Quivy AA, Ceschin AM, Leite JR. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 405-411.[citado 2026 maio 11 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667
Dissertação (Mestrado)
Propriedades óticas de poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos por MBE sobre subtratos desorientados de GaAs (1997)
Martini, S.; Leite, J. R. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S. Propriedades óticas de poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos por MBE sobre subtratos desorientados de GaAs. 1997. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. . Acesso em: 11 maio 2026.
APA
Martini, S. (1997). Propriedades óticas de poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos por MBE sobre subtratos desorientados de GaAs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Martini S. Propriedades óticas de poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos por MBE sobre subtratos desorientados de GaAs. 1997 ;[citado 2026 maio 11 ]
Vancouver
Martini S. Propriedades óticas de poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos por MBE sobre subtratos desorientados de GaAs. 1997 ;[citado 2026 maio 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence study of radiative recombination on 'GA''AS' / gaaias 'DELTA'-doping quantum wells (1996)
Dantas, N O; Tabata, A; Martini, S.; Ceschim, A M; Scalfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DANTAS, N O et al. Photoluminescence study of radiative recombination on 'GA''AS' / gaaias 'DELTA'-doping quantum wells. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 11 maio 2026.
APA
Dantas, N. O., Tabata, A., Martini, S., Ceschim, A. M., Scalfaro, L. M. R., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1996). Photoluminescence study of radiative recombination on 'GA''AS' / gaaias 'DELTA'-doping quantum wells. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Dantas NO, Tabata A, Martini S, Ceschim AM, Scalfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Photoluminescence study of radiative recombination on 'GA''AS' / gaaias 'DELTA'-doping quantum wells. Resumos. 1996 ;[citado 2026 maio 11 ]
Vancouver
Dantas NO, Tabata A, Martini S, Ceschim AM, Scalfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Photoluminescence study of radiative recombination on 'GA''AS' / gaaias 'DELTA'-doping quantum wells. Resumos. 1996 ;[citado 2026 maio 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular (1996)
Martini, S.; Tabata, A; Ceschin, A M; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S. et al. Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 11 maio 2026.
APA
Martini, S., Tabata, A., Ceschin, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Martini S, Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular. Resumos. 1996 ;[citado 2026 maio 11 ]
Vancouver
Martini S, Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular. Resumos. 1996 ;[citado 2026 maio 11 ]

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