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  • Source: AIP Conference Proceedings. Conference title: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidades: IF, EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      LINO, A T et al. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 24 set. 2022. , 2007
    • APA

      Lino, A. T., Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Rodrigues, S. C. P., & Silva Junior, E. F. da. (2007). Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
    • NLM

      Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 529-530.[citado 2022 set. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
    • Vancouver

      Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 529-530.[citado 2022 set. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
  • Conference title: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subject: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      LINO, A T et al. Optical properties and effective carrier masses of High-K oxides Hf'O IND.2', Zr'O IND.2' and Sn'O IND.2' as obtained from full relativistic Ab initio calculations. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0899-1.pdf. Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Lino, A. T., Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Freire, V. N., Farias, G. A., & Silva Junior, E. F. (2006). Optical properties and effective carrier masses of High-K oxides Hf'O IND.2', Zr'O IND.2' and Sn'O IND.2' as obtained from full relativistic Ab initio calculations. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0899-1.pdf
    • NLM

      Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF. Optical properties and effective carrier masses of High-K oxides Hf'O IND.2', Zr'O IND.2' and Sn'O IND.2' as obtained from full relativistic Ab initio calculations [Internet]. 2006 ;[citado 2022 set. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0899-1.pdf
    • Vancouver

      Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF. Optical properties and effective carrier masses of High-K oxides Hf'O IND.2', Zr'O IND.2' and Sn'O IND.2' as obtained from full relativistic Ab initio calculations [Internet]. 2006 ;[citado 2022 set. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0899-1.pdf
  • Source: Resumos. Conference title: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      GARCIA, Joelson Cott et al. The influence of relativistic effects on the HfO. 2005, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1400-2.pdf. Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Garcia, J. C., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., Freire, V. N., Farias, G. A., & Silva Junior, E. F. (2005). The influence of relativistic effects on the HfO. In Resumos. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1400-2.pdf
    • NLM

      Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF. The influence of relativistic effects on the HfO [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2022 set. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1400-2.pdf
    • Vancouver

      Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF. The influence of relativistic effects on the HfO [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2022 set. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1400-2.pdf
  • Source: Program. Conference title: Encontro da SBPMat. Unidade: IF

    Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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      GARCIA, Joelson Cott et al. Full relativistic and spin-orbit effects oh the SrTi'O IND. 3' band structure and optical properties in its tetragonal phase. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf. Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Garcia, J. C., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., Freire, V. N., & Faria, G. A. (2004). Full relativistic and spin-orbit effects oh the SrTi'O IND. 3' band structure and optical properties in its tetragonal phase. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
    • NLM

      Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Faria GA. Full relativistic and spin-orbit effects oh the SrTi'O IND. 3' band structure and optical properties in its tetragonal phase [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2022 set. 24 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
    • Vancouver

      Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Faria GA. Full relativistic and spin-orbit effects oh the SrTi'O IND. 3' band structure and optical properties in its tetragonal phase [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2022 set. 24 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
  • Source: Program. Conference title: Encontro da SBPMat. Unidade: IF

    Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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      GARCIA, J C et al. Full-relativistic calculations of the optical properties and carrier effective masses of Zr'O IND. 2' monoclinic, tetragonal and cubic. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf. Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Garcia, J. C., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., Freire, V. N., & Farias, G. A. (2004). Full-relativistic calculations of the optical properties and carrier effective masses of Zr'O IND. 2' monoclinic, tetragonal and cubic. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
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      Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA. Full-relativistic calculations of the optical properties and carrier effective masses of Zr'O IND. 2' monoclinic, tetragonal and cubic [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2022 set. 24 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
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      Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA. Full-relativistic calculations of the optical properties and carrier effective masses of Zr'O IND. 2' monoclinic, tetragonal and cubic [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2022 set. 24 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
  • Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIELÉTRICOS

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      GARCIA, Joelson Cott et al. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2". Applied Physics Letters, v. 85, n. 21, p. 5022-5024, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips. Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Garcia, J. C., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lino, A. T., Freire, V. N., Farias, G. A., & Silva, J. (2004). Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2". Applied Physics Letters, 85( 21), 5022-5024. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips
    • NLM

      Garcia JC, Scolfaro LMR, Leite JR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva J. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 21): 5022-5024.[citado 2022 set. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips
    • Vancouver

      Garcia JC, Scolfaro LMR, Leite JR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva J. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 21): 5022-5024.[citado 2022 set. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subject: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      LINO, A T e SCOLFARO, L M R. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells. Physical Review B, v. 58, n. 11, p. 6720-6723, 1998Tradução . . Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Lino, A. T., & Scolfaro, L. M. R. (1998). Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells. Physical Review B, 58( 11), 6720-6723. doi:10.1103/physrevb.58.6720
    • NLM

      Lino AT, Scolfaro LMR. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells. Physical Review B. 1998 ; 58( 11): 6720-6723.[citado 2022 set. 24 ]
    • Vancouver

      Lino AT, Scolfaro LMR. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells. Physical Review B. 1998 ; 58( 11): 6720-6723.[citado 2022 set. 24 ]
  • Source: International Journal of Modern Physics B. Unidade: IF

    Subject: FÍSICA

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      TAKAHASHI, E K e LINO, A T e SCÓLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B, v. 11, n. 9, p. 1195-1207, 1997Tradução . . Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Takahashi, E. K., Lino, A. T., & Scólfaro, L. M. R. (1997). Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B, 11( 9), 1195-1207.
    • NLM

      Takahashi EK, Lino AT, Scólfaro LMR. Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B. 1997 ; 11( 9): 1195-1207.[citado 2022 set. 24 ]
    • Vancouver

      Takahashi EK, Lino AT, Scólfaro LMR. Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B. 1997 ; 11( 9): 1195-1207.[citado 2022 set. 24 ]
  • Source: Resumos. Conference title: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

    Subject: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      TAKAHASHI, E K et al. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Takahashi, E. K., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
    • NLM

      Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. Resumos. 1996 ;[citado 2022 set. 24 ]
    • Vancouver

      Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. Resumos. 1996 ;[citado 2022 set. 24 ]
  • Source: International Journal Quantum Chemistry. Unidade: IF

    Subject: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      LINO, A T et al. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry, v. s30, p. 347, 1996Tradução . . Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Lino, A. T., Takahashi, E. K., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry, s30, 347.
    • NLM

      Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Leite JR. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry. 1996 ;s30 347.[citado 2022 set. 24 ]
    • Vancouver

      Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Leite JR. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry. 1996 ;s30 347.[citado 2022 set. 24 ]
  • Source: Resumos. Conference title: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

    Subject: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      TAKAHASHI, E K et al. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Takahashi, E. K., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1995). Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
    • NLM

      Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2022 set. 24 ]
    • Vancouver

      Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2022 set. 24 ]
  • Source: Resumos. Conference title: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

    Subject: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      TAKAHASHI, E K et al. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Takahashi, E. K., Lino, A. T., Schmidt, T. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1994). Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
    • NLM

      Takahashi EK, Lino AT, Schmidt TM, Scolfaro LMR, Leite JR. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. Resumos. 1994 ;[citado 2022 set. 24 ]
    • Vancouver

      Takahashi EK, Lino AT, Schmidt TM, Scolfaro LMR, Leite JR. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. Resumos. 1994 ;[citado 2022 set. 24 ]
  • Source: Resumos. Conference title: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

    Subject: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      LINO, A T et al. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 24 set. 2022.
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      Lino, A. T., Takahashi, E. K., Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., & Leite, J. R. (1994). Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
    • NLM

      Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Beliaev D, Leite JR. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. Resumos. 1994 ;[citado 2022 set. 24 ]
    • Vancouver

      Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Beliaev D, Leite JR. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. Resumos. 1994 ;[citado 2022 set. 24 ]
  • Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF

    Subject: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      SCOLFARO, L M R et al. Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry, v. s28, p. 667-73, 1994Tradução . . Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Scolfaro, L. M. R., Lino, A. T., Takahashi, E., & Leite, J. R. (1994). Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry, s28, 667-73.
    • NLM

      Scolfaro LMR, Lino AT, Takahashi E, Leite JR. Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry. 1994 ;s28 667-73.[citado 2022 set. 24 ]
    • Vancouver

      Scolfaro LMR, Lino AT, Takahashi E, Leite JR. Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry. 1994 ;s28 667-73.[citado 2022 set. 24 ]
  • Source: Programa e Resumos. Conference title: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

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    • ABNT

      LINO, A T e ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Modelo microscopico do aglomerado complexo 'MN IND.4' em silicio. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Lino, A. T., Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1993). Modelo microscopico do aglomerado complexo 'MN IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
    • NLM

      Lino AT, Assali LVC, Leite JR. Modelo microscopico do aglomerado complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2022 set. 24 ]
    • Vancouver

      Lino AT, Assali LVC, Leite JR. Modelo microscopico do aglomerado complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2022 set. 24 ]
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

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    • ABNT

      FERRAZ, A. C. et al. Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method. Physical Review B, v. 41, n. 3 , p. 1691-4, 1990Tradução . . Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Ferraz, A. C., Takahashi, E. K., Lino, A. T., & Leite, J. R. (1990). Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method. Physical Review B, 41( 3 ), 1691-4. doi:10.1103/physrevb.41.1691
    • NLM

      Ferraz AC, Takahashi EK, Lino AT, Leite JR. Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method. Physical Review B. 1990 ;41( 3 ): 1691-4.[citado 2022 set. 24 ]
    • Vancouver

      Ferraz AC, Takahashi EK, Lino AT, Leite JR. Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method. Physical Review B. 1990 ;41( 3 ): 1691-4.[citado 2022 set. 24 ]
  • Conference title: Brazilian School of Semiconductors Physics. Unidade: IF

    Subject: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      LINO, A T et al. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990, Anais.. Singapure: World Scientific, 1990. . Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1990). Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. In . Singapure: World Scientific.
    • NLM

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990 ;[citado 2022 set. 24 ]
    • Vancouver

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990 ;[citado 2022 set. 24 ]
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subject: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      TAKAHASHI, E K et al. Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method. Physical Review B, v. 41, n. 3 , p. 1691-4, 1990Tradução . . Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Takahashi, E. K., Lino, A. T., Ferraz, A. C., & Leite, J. R. (1990). Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method. Physical Review B, 41( 3 ), 1691-4. doi:10.1103/physrevb.41.1691
    • NLM

      Takahashi EK, Lino AT, Ferraz AC, Leite JR. Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method. Physical Review B. 1990 ;41( 3 ): 1691-4.[citado 2022 set. 24 ]
    • Vancouver

      Takahashi EK, Lino AT, Ferraz AC, Leite JR. Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method. Physical Review B. 1990 ;41( 3 ): 1691-4.[citado 2022 set. 24 ]
  • Source: Programa e Resumos. Conference title: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

    Subject: ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      LINO, A T et al. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1989). Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
    • NLM

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2022 set. 24 ]
    • Vancouver

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2022 set. 24 ]
  • Source: International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. Unidade: IF

    Subject: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      LINO, A T et al. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, v. 23, p. 701, 1989Tradução . . Acesso em: 24 set. 2022.
    • APA

      Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1989). Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, 23, 701.
    • NLM

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 701.[citado 2022 set. 24 ]
    • Vancouver

      Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 701.[citado 2022 set. 24 ]

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