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Artigo de periodico
Degradation of luminescence and fatigue effects in porous silicon (1994)
Grivickas, V; Bernussi, A; Basmaji, Pierre; Matvienko, B; Kolenda, J
Source: International Journal of Optoelectronics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
GRIVICKAS, V et al. Degradation of luminescence and fatigue effects in porous silicon. International Journal of Optoelectronics, v. 9 , n. 4 , p. 311-4, 1994Tradução . . Acesso em: 29 mar. 2023.
APA
Grivickas, V., Bernussi, A., Basmaji, P., Matvienko, B., & Kolenda, J. (1994). Degradation of luminescence and fatigue effects in porous silicon. International Journal of Optoelectronics, 9 ( 4 ), 311-4.
NLM
Grivickas V, Bernussi A, Basmaji P, Matvienko B, Kolenda J. Degradation of luminescence and fatigue effects in porous silicon. International Journal of Optoelectronics. 1994 ;9 ( 4 ): 311-4.[citado 2023 mar. 29 ]
Vancouver
Grivickas V, Bernussi A, Basmaji P, Matvienko B, Kolenda J. Degradation of luminescence and fatigue effects in porous silicon. International Journal of Optoelectronics. 1994 ;9 ( 4 ): 311-4.[citado 2023 mar. 29 ]
Trabalho de evento
Photoluminescence and optical anisotropy of a porous silicon (1994)
Surdutovich, G I; Basmaji, Pierre; Vitlina, R Z; Kolenda, J; Bagnato, Vanderlei Salvador
Source: Anais: Optica. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SURDUTOVICH, G I et al. Photoluminescence and optical anisotropy of a porous silicon. 1994, Anais.. Sao Paulo: Ipen, 1994. . Acesso em: 29 mar. 2023.
APA
Surdutovich, G. I., Basmaji, P., Vitlina, R. Z., Kolenda, J., & Bagnato, V. S. (1994). Photoluminescence and optical anisotropy of a porous silicon. In Anais: Optica. Sao Paulo: Ipen.
NLM
Surdutovich GI, Basmaji P, Vitlina RZ, Kolenda J, Bagnato VS. Photoluminescence and optical anisotropy of a porous silicon. Anais: Optica. 1994 ;[citado 2023 mar. 29 ]
Vancouver
Surdutovich GI, Basmaji P, Vitlina RZ, Kolenda J, Bagnato VS. Photoluminescence and optical anisotropy of a porous silicon. Anais: Optica. 1994 ;[citado 2023 mar. 29 ]
Artigo de periodico
Anisotropy investigations and photoluminescence properties of porous silicon (1994)
Basmaji, Pierre; Surdutovich, G I; Vitlina, R Z; Kolenda, J; Bagnato, Vanderlei Salvador; Mohajeri-Moghaddam, H; Peyghambarian, N
Source: Solid State Communications. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Anisotropy investigations and photoluminescence properties of porous silicon. Solid State Communications, v. 91, n. 8 , p. 649-53, 1994Tradução . . Acesso em: 29 mar. 2023.
APA
Basmaji, P., Surdutovich, G. I., Vitlina, R. Z., Kolenda, J., Bagnato, V. S., Mohajeri-Moghaddam, H., & Peyghambarian, N. (1994). Anisotropy investigations and photoluminescence properties of porous silicon. Solid State Communications, 91( 8 ), 649-53. doi:10.1016/0038-1098(94)90565-7
NLM
Basmaji P, Surdutovich GI, Vitlina RZ, Kolenda J, Bagnato VS, Mohajeri-Moghaddam H, Peyghambarian N. Anisotropy investigations and photoluminescence properties of porous silicon. Solid State Communications. 1994 ;91( 8 ): 649-53.[citado 2023 mar. 29 ]
Vancouver
Basmaji P, Surdutovich GI, Vitlina RZ, Kolenda J, Bagnato VS, Mohajeri-Moghaddam H, Peyghambarian N. Anisotropy investigations and photoluminescence properties of porous silicon. Solid State Communications. 1994 ;91( 8 ): 649-53.[citado 2023 mar. 29 ]
Artigo de periodico
Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon (1994)
Grivickas, V; Kolenda, J; Bernussi, A A; Matvienko, B; Basmaji, Pierre
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
GRIVICKAS, V et al. Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon. Brazilian Journal of Physics, v. 24, n. 1 , p. 349-52, 1994Tradução . . Acesso em: 29 mar. 2023.
APA
Grivickas, V., Kolenda, J., Bernussi, A. A., Matvienko, B., & Basmaji, P. (1994). Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon. Brazilian Journal of Physics, 24( 1 ), 349-52.
NLM
Grivickas V, Kolenda J, Bernussi AA, Matvienko B, Basmaji P. Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 349-52.[citado 2023 mar. 29 ]
Vancouver
Grivickas V, Kolenda J, Bernussi AA, Matvienko B, Basmaji P. Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 349-52.[citado 2023 mar. 29 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence and optical anisotropy of a porous silicon (1994)
Surdutovich, G I; Basmaji, Pierre; Vitlina, R Z; Bagnato, Vanderlei Salvador; Kolenda, J; Mohajeri-Moghaddam, H; Peyghambarian, N
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SURDUTOVICH, G I et al. Photoluminescence and optical anisotropy of a porous silicon. 1994, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 29 mar. 2023.
APA
Surdutovich, G. I., Basmaji, P., Vitlina, R. Z., Bagnato, V. S., Kolenda, J., Mohajeri-Moghaddam, H., & Peyghambarian, N. (1994). Photoluminescence and optical anisotropy of a porous silicon. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Surdutovich GI, Basmaji P, Vitlina RZ, Bagnato VS, Kolenda J, Mohajeri-Moghaddam H, Peyghambarian N. Photoluminescence and optical anisotropy of a porous silicon. Resumos. 1994 ;[citado 2023 mar. 29 ]
Vancouver
Surdutovich GI, Basmaji P, Vitlina RZ, Bagnato VS, Kolenda J, Mohajeri-Moghaddam H, Peyghambarian N. Photoluminescence and optical anisotropy of a porous silicon. Resumos. 1994 ;[citado 2023 mar. 29 ]
Trabalho de evento-resumo
Z-scan with temporal resolution (1993)
Misoguti, L; Fragalli, J F; Zílio, Sérgio Carlos; Bagnato, Vanderlei Salvador; Kolenda, J
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: ÓPTICA
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ABNT
MISOGUTI, L et al. Z-scan with temporal resolution. 1993, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 29 mar. 2023.
APA
Misoguti, L., Fragalli, J. F., Zílio, S. C., Bagnato, V. S., & Kolenda, J. (1993). Z-scan with temporal resolution. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Misoguti L, Fragalli JF, Zílio SC, Bagnato VS, Kolenda J. Z-scan with temporal resolution. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2023 mar. 29 ]
Vancouver
Misoguti L, Fragalli JF, Zílio SC, Bagnato VS, Kolenda J. Z-scan with temporal resolution. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2023 mar. 29 ]
Artigo de periodico
Tecnica sspg (steady state photocarrier grating) para a medida do comprimento de difusao em isolantes fotocondutores (1993)
Misoguti, L; Fragalli, J F; Nakagaito, A N; Kolenda, J; Bagnato, Vanderlei Salvador
Source: Revista de Fisica Aplicada e Instrumentacao. Unidade: IFSC
Subjects: ÓPTICA, MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
MISOGUTI, L et al. Tecnica sspg (steady state photocarrier grating) para a medida do comprimento de difusao em isolantes fotocondutores. Revista de Fisica Aplicada e Instrumentacao, v. 8 , n. 4 , p. 130-9, 1993Tradução . . Acesso em: 29 mar. 2023.
APA
Misoguti, L., Fragalli, J. F., Nakagaito, A. N., Kolenda, J., & Bagnato, V. S. (1993). Tecnica sspg (steady state photocarrier grating) para a medida do comprimento de difusao em isolantes fotocondutores. Revista de Fisica Aplicada e Instrumentacao, 8 ( 4 ), 130-9.
NLM
Misoguti L, Fragalli JF, Nakagaito AN, Kolenda J, Bagnato VS. Tecnica sspg (steady state photocarrier grating) para a medida do comprimento de difusao em isolantes fotocondutores. Revista de Fisica Aplicada e Instrumentacao. 1993 ;8 ( 4 ): 130-9.[citado 2023 mar. 29 ]
Vancouver
Misoguti L, Fragalli JF, Nakagaito AN, Kolenda J, Bagnato VS. Tecnica sspg (steady state photocarrier grating) para a medida do comprimento de difusao em isolantes fotocondutores. Revista de Fisica Aplicada e Instrumentacao. 1993 ;8 ( 4 ): 130-9.[citado 2023 mar. 29 ]
Trabalho de evento-resumo
Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico (1993)
Pattaro, R; Monteiro, A; Freitas, A P; Kolenda, J; Basmaji, Pierre
Source: Resumos. Conference titles: Simposio Estadual de Iniciacao Cientifica em Fisica. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PATTARO, R et al. Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico. 1993, Anais.. Sao Carlos: Ifqsc-Usp, 1993. . Acesso em: 29 mar. 2023.
APA
Pattaro, R., Monteiro, A., Freitas, A. P., Kolenda, J., & Basmaji, P. (1993). Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico. In Resumos. Sao Carlos: Ifqsc-Usp.
NLM
Pattaro R, Monteiro A, Freitas AP, Kolenda J, Basmaji P. Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico. Resumos. 1993 ;[citado 2023 mar. 29 ]
Vancouver
Pattaro R, Monteiro A, Freitas AP, Kolenda J, Basmaji P. Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico. Resumos. 1993 ;[citado 2023 mar. 29 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso (1993)
Basmaji, Pierre; Rossi, J C; Grivickas, V; Surdutovich, G; Vitlina, R; Kolenda, J; Matvienko, B; Bernussi, A A
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. 1993, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 29 mar. 2023.
APA
Basmaji, P., Rossi, J. C., Grivickas, V., Surdutovich, G., Vitlina, R., Kolenda, J., et al. (1993). Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Basmaji P, Rossi JC, Grivickas V, Surdutovich G, Vitlina R, Kolenda J, Matvienko B, Bernussi AA. Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2023 mar. 29 ]
Vancouver
Basmaji P, Rossi JC, Grivickas V, Surdutovich G, Vitlina R, Kolenda J, Matvienko B, Bernussi AA. Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2023 mar. 29 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence fatigue-effect cycling in porous silicon (1993)
Grivickas, V; Bernussi, A; Basmaji, Pierre; Matvienko, B; Kolenda, J
Source: Abstracts. Conference titles: Brazilian School of Semiconductor Physics. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
GRIVICKAS, V et al. Photoluminescence fatigue-effect cycling in porous silicon. 1993, Anais.. Sao Carlos: Usp/Ufscar, 1993. . Acesso em: 29 mar. 2023.
APA
Grivickas, V., Bernussi, A., Basmaji, P., Matvienko, B., & Kolenda, J. (1993). Photoluminescence fatigue-effect cycling in porous silicon. In Abstracts. Sao Carlos: Usp/Ufscar.
NLM
Grivickas V, Bernussi A, Basmaji P, Matvienko B, Kolenda J. Photoluminescence fatigue-effect cycling in porous silicon. Abstracts. 1993 ;[citado 2023 mar. 29 ]
Vancouver
Grivickas V, Bernussi A, Basmaji P, Matvienko B, Kolenda J. Photoluminescence fatigue-effect cycling in porous silicon. Abstracts. 1993 ;[citado 2023 mar. 29 ]
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of amorphous silicon measured using z-scan technique (1993)
Kolenda, J; Grivickas, V; Misoguti, L; Fragalli, J F; Zílio, Sérgio Carlos; Bagnato, Vanderlei Salvador
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KOLENDA, J et al. Optical properties of amorphous silicon measured using z-scan technique. 1993, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 29 mar. 2023.
APA
Kolenda, J., Grivickas, V., Misoguti, L., Fragalli, J. F., Zílio, S. C., & Bagnato, V. S. (1993). Optical properties of amorphous silicon measured using z-scan technique. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Kolenda J, Grivickas V, Misoguti L, Fragalli JF, Zílio SC, Bagnato VS. Optical properties of amorphous silicon measured using z-scan technique. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2023 mar. 29 ]
Vancouver
Kolenda J, Grivickas V, Misoguti L, Fragalli JF, Zílio SC, Bagnato VS. Optical properties of amorphous silicon measured using z-scan technique. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2023 mar. 29 ]
Trabalho de evento-resumo
Determinacao da velocidade de recombinacao dos portadores majoritario em filmes de a-'SI': h pela tecnica de sspg (1993)
Misoguti, L; Fragalli, J F; Nakagaito, A N; Bagnato, Vanderlei Salvador; Kolenda, J
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MISOGUTI, L et al. Determinacao da velocidade de recombinacao dos portadores majoritario em filmes de a-'SI': h pela tecnica de sspg. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 29 mar. 2023.
APA
Misoguti, L., Fragalli, J. F., Nakagaito, A. N., Bagnato, V. S., & Kolenda, J. (1993). Determinacao da velocidade de recombinacao dos portadores majoritario em filmes de a-'SI': h pela tecnica de sspg. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Misoguti L, Fragalli JF, Nakagaito AN, Bagnato VS, Kolenda J. Determinacao da velocidade de recombinacao dos portadores majoritario em filmes de a-'SI': h pela tecnica de sspg. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2023 mar. 29 ]
Vancouver
Misoguti L, Fragalli JF, Nakagaito AN, Bagnato VS, Kolenda J. Determinacao da velocidade de recombinacao dos portadores majoritario em filmes de a-'SI': h pela tecnica de sspg. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2023 mar. 29 ]

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